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「グランド接続」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 15



支持部材23にはグランド接続部29を備えており、グランドプレート30とグランドプレート30のビス止め部31を介して、不図示の回路基板15のグランドパターン部とをビスで固定することで電気的に接続される。

支撑构件 23包括接地部 29。 利用螺钉经由接地板 30和接地板 30的螺钉安装部 31将接地部 29固定至电路板 15的接地图案部 (未示出 ),使得支撑构件 23被电连接到电路板 15的接地图案部。 - 中国語 特許翻訳例文集

各スイッチSW1−1〜SW1−xの端子aにそれぞれ基準電位VSS、たとえばグランドGNDに接続された電流源I1−1〜I1−xが接続されている。

连接到地 GND的基准电势 VSS,例如电流源 I1-1至 I1-x,分别连接至开关 SW1-1至 SW1-x的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集

各スイッチSW2−1〜SW2−yの端子aにそれぞれグランドGNDに接続された電流源I2−1〜I2−yが接続されている。

连接到地 GND的电流源 I2-1至 I2-y分别连接至开关 SW2-1至 SW2-y的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集

支持部材23はグランドプレート30と電気的に接続されているため、回路基板15に静電気が回り込むことを防止できる。

由于支撑构件 23被电连接至接地板 30,所以能够防止静电流入电路板 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することで、電源用端子孔101に電源用端子251a、グランド用端子孔102にグランド用端子252aを挿入するように、チューナユニット2AをTV基板1に装着したときのみ、他の接続端子もそれぞれ対応する端子孔に正しく挿入される。

通过该配置,只有当调谐器单元 2A安装在 TV板 1上且电源端子 251a被插入电源端子孔 101同时接地端子 252a被插入接地端子孔 102时,其余连接端子才被正确地插入相应的端子孔中。 - 中国語 特許翻訳例文集

セレクタ181は、第1入力が各スイッチSW0〜SWNの出力端子に接続され、第2入力が基準電位、たとえばグランドGNDに接続されている。

选择器 181具有连接至开关 SW0~ SWN的输出端的第一输入、以及连接至例如地GND的参照电势的第二输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

接続端子25aは、電源用端子251a、グランド用端子252a、I2Cバス用の接続端子253a、254a、CVBS用端子255a、SIF信号用端子256a、IF信号用端子257a、TS信号用端子258aである。

连接端子 25a包括电源端子 251a、接地端子 252a、I2C总线连接端子 253a和 254a、CVBS端子255a、SIF信号端子 256a、IF信号端子 257a、以及 TS信号端子 258a。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような、アナログ出力用の接続端子が省略されているチューナユニットであっても、のこりの接続端子(電源、グランド、I2C、IF、TS)を端子孔と正確に対応させることで、TV基板1に取り付けることができる。

没有用于模拟输出的连接端子的调谐器单元仍可安装在 TV板1上,只要其余连接端子 (电源、接地、I2C、IF和 TS)恰当地与端子孔配合。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1,Vref2,Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30,31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33,34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35,36とで構成されている。

各基准电压驱动电路 19a为相同构成,如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3,则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。 - 中国語 特許翻訳例文集

各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40,41で構成されている。

各控制信号驱动电路 20为相同构成,包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。 - 中国語 特許翻訳例文集


図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25,26で構成されている。

图 13中,各数据传输电路 18b构成都相同,包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30,31で構成されている。

图 14中,各基准电压驱动电路 19b的构成相同,包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。 - 中国語 特許翻訳例文集

図21において、基準電圧駆動回路群8dは、基準電圧線Vref1を駆動するために電源77との間に直列接続されたPMOSトランジスタ75,76と、基準電圧線Vref3を駆動するためにグランドとの間に直列接続されたNMOSトランジスタ78,79とを備えている。

图 21中,基准电压驱动电路组 8d具有用于驱动基准电压线 Vref1而串联连接于与电源 77之间的 PMOS晶体管 75、76、为了驱动基准电压线 Vref3而串联连接于与电路接地端之间的 NMOS晶体管 78、79。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75,76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランド接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号(/列選択信号)が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接,处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78,79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外,驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号,处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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