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「ゲインスイッチング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
Nスイッチング周波数のグループでは、N−Gスイッチング周波数のセットが固定されたままであり、一方、G(例えば、G=1)スイッチング周波数はダイナミックに計測されることが言及されることになっている。
请注意,在一群组N个开关频率中,一组N-G个开关频率可保持固定,而动态地缩放G(例如,G= 1)个开关频率。 - 中国語 特許翻訳例文集
こうすれば、スイッチング容量が必要なときには、大きいスイッチング容量を確保すると共に、スイッチング容量が必要ないときには、消費電力を低減させることができる。
这样,能够在需要交换容量时,确保大的交换容量,并且在不需要交换容量时,降低消耗功率。 - 中国語 特許翻訳例文集
こうすれば、スイッチング容量が必要なときには、大きいスイッチング容量を確保すると共に、スイッチング容量が必要ないときには、消費電力を低減させることができる。
这样一来,能够在需要交换容量时,确保大的交换容量,在不需要交换容量时,降低消耗功率。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図5】図5は、スイッチドモード電源にクロックソースを一致させるクロック発振器の典型的な構成のブロックダイヤグラムを描く。
图 5描绘使时钟源与开关模式电源匹配的时钟产生器的示范性配置的框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
本体制御部121は、スイッチバックした、原稿G1の先端α1が、出口ゲート53を抜ける時に、2枚目の原稿G2の先端α2が、出口ゲート53に到達するタイミングで、搬送要求信号をCPU130に送信する。
主体控制部 121在转向后的文稿 G1的前端α1脱离出口闸门 53且第二张文稿 G2的前端α2到达出口闸门 53的定时下,将输送请求信号发送给 CPU 130。 - 中国語 特許翻訳例文集
ADF10は、排出−反転ローラ対58でスイッチバックした原稿Gを、入口ゲート18に搬送する反転搬送部60を備える。
ADF 10具有将被排出 -反转辊对 58转向的文稿 G输送至入口闸门 18的反转输送部 60。 - 中国語 特許翻訳例文集
出口ゲート53は、排出−反転ローラ対58でスイッチバックした原稿Gを、反転パス62方向に分岐する。
出口闸门 53将被排出 -反转辊对 58转向的文稿 G向反转路径 62方向分支。 - 中国語 特許翻訳例文集
加えて、第1のスイッチング素子TR1及び第2のスイッチング素子TR2は複数のゲート線G1〜Gn+1のうちの一部にのみ接続され、残りのゲート線には接続されていなくてもよい。
另外,第一开关元件 TR1和第二开关元件 TR2可连接到多条栅极线 G1至 Gn+1的一部分,可不连接其他的栅极线。 - 中国語 特許翻訳例文集
代わりに、またはさらに、クロックソースの選択が、SMPSのスイッチング周波数を決定することができることを言及し、それによって、クロックソース(例えば、248K)の選択をスイッチング周波数の選択に、相互に関連させる。
作为替代或另外,请注意,对时钟源的选择可确定SMPS的开关频率,借此将对时钟源 (例如,248K)的选择与对开关频率的选择相关。 - 中国語 特許翻訳例文集
M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。
M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。
更具体地说,在图 4中,图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极,这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集
図17は、ここで記述された態様に従ってスイッチドモード電源(SMPS)でのスイッチング周波数のダイナミックな調整を可能にする例のシステムのブロックダイヤグラム900を例証する。
图 17说明根据本文所描述的方面的使得能够对开关模式电源 (SMPS)中的开关频率的动态调整的实例系统 900的框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
一態様では、ターミナル110のスイッチドモード電源は、特定の動作モード(例えば、GPSおよび関連する表示アプリケーション、またはWCDMAによるビデオ電話)によってスイッチング周波数を調整し、計測可能なスイッチング周波数である。
在一方面中,终端 110中的开关模式电源为开关频率可缩放的,根据特定操作模式来调整开关频率; 例如,GPS和相关联的显示应用,或经由WCDMA的视频电话。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1のスイッチング素子TR1は、第1のスキャン開始信号線STVP1及びゲート線G1〜Gn+1に接続されている。
第一开关元件 TR1连接到第一扫描开始信号线 STVP1和栅极线 G1至 Gn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集
(ii)特定のスイッチング周波数(例えば、fλ(λ=1、2、3)、VIN=VMINで292λ)の最大ロード電流は、スイッチング周波数の減少とともに増加する。
(ii)在特定开关频率下的最大负载电流 (例如,在fλ 处 (λ= 1,2,3)在 VIN= VMIN处的 292λ)随着开关频率减小而增加。 - 中国語 特許翻訳例文集
ゲート駆動部500は、信号制御部600からのゲート制御信号CONT1に基づき、ゲートオン電圧Vonをゲート線G1〜Gnに印加し、該ゲート線G1〜Gnに接続されたスイッチング素子Trswをターンオンさせる。
栅极驱动器 500根据来自信号控制器 600的栅极控制信号 CONT1将栅极导通电压Von施加到栅极线 G1至 Gn,并导通分别连接到栅极线 G1至 Gn的开关元件 Trsw。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、逆光補正部26は、原点0がRGB表色系の原点0と一致し、x軸がR軸に、y軸がG軸に、z軸がB軸にそれぞれ一致するxyz座標系を設定する。
具体而言,逆光修正部 26设定原点 0与 RGB表色系的原点 0一致,x轴与 R轴一致,y轴与 G轴一致,z轴与 B轴一致的 xyz坐标系。 - 中国語 特許翻訳例文集
出口ゲートソレノイド78をオンすると、出口ゲート53は、矢印w方向に回動して、排出−反転ローラ対58にスイッチバックされる原稿Gを反転パス62方向に振り分ける。
当导通出口闸门螺线管 78时,出口闸门 53向箭头 w方向转动,将被排出 -反转辊对 58转向的文稿 G向反转路径 62方向分配。 - 中国語 特許翻訳例文集
各スイッチSW1−1〜SW1−xの端子aにそれぞれ基準電位VSS、たとえばグランドGNDに接続された電流源I1−1〜I1−xが接続されている。
连接到地 GND的基准电势 VSS,例如电流源 I1-1至 I1-x,分别连接至开关 SW1-1至 SW1-x的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集
1以上のスイッチング周波数が、満足または最適な動作を提供することはさらに言及されるべきである。
请再进一步注意,一个或一个以上开关频率可提供令人满意或最佳的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図4】図4は、周波数計測されたスイッチドモード電源(SMPS)ソースを開発するユーザ機器の例のブロックダイヤグラムを描く。
图 4描绘利用频率缩放的开关模式电源 (SMPS)源的实例用户设备的框图。 - 中国語 特許翻訳例文集
逆に、クロック信号が低速であれば、消費電力を抑止できるがスイッチング容量が減少する。
相反,若使时钟信号低速,则能够控制消耗功率,但交换容量减小。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2のデバイス220の第1の入力221は、pチャネルFET224のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第二装置 220的第一输入 221耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道 FET 224的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2のデバイス220の第2の入力222は、nチャネルFET225のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第二装置 220的第二输入 222耦合到第二切换元件的控制端子,例如 n沟道FET225的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
第3のデバイス230の第1の入力231は、pチャネルFET234のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第三装置 230的第一输入 231耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道 FET 234的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
第3のデバイスの第2の入力は、nチャネルFET235のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第三装置 230的第二输入 232耦合到第二切换元件的控制端子,例如 n沟道FET235的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態(選択パルスSELが低レベルの状態)で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ(例えば、電源電圧Vdd)とする。
当被连接到垂直信号线的全部像素的选择晶体管 25被关断时 (当选择晶体管处于低电平时 ),用于对开关负载晶体管 31进行开关的开关脉冲 LOAD被激活 (例如,电源电压 Vdd)。 - 中国語 特許翻訳例文集
各スイッチSW2−1〜SW2−yの端子aにそれぞれグランドGNDに接続された電流源I2−1〜I2−yが接続されている。
连接到地 GND的电流源 I2-1至 I2-y分别连接至开关 SW2-1至 SW2-y的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、走査中に遭遇する第1のAFを単に選択し、次いで、十分な数のAFが実装済みの上限値に一致したことが判明するとすぐに、プロセッサ202は停止することができる。
举例来说,处理器 202可简单地选择在扫描时遇到的最初若干 AF,且一旦已发现足够的 AF符合所实施的上限便停止。 - 中国語 特許翻訳例文集
カメラ操作スイッチ150は、例えば撮影動作の実行を指示するレリーズスイッチ、撮影モードを連写モードや通常撮影モードなどに切り替えるモード変更スイッチ、電源のオン・オフを切り替えるパワースイッチなど、ユーザがカメラを操作するために必要な操作ボタン(操作手段)を含むスイッチ群で構成される。
照相机操作开关 150由开关组构成,该开关组包括例如指示摄影动作执行的释放开关、将摄影模式切换为连拍模式或通常摄影模式等的模式变更开关、用于切换电源的接通 /断开的电源开关等用户操作照相机而所需的操作按钮 (操作部 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
36. 前記スイッチング周波数セレクタコンポーネントは、さらに、前記動作モードの公称電圧または電圧範囲を具備する前記電源要件を決定する、請求項30の装置。
36.根据权利要求 30所述的设备,其中所述开关频率选择器组件进一步用于确定包含所述操作模式的标称电压或电压范围的所述功率要求。 - 中国語 特許翻訳例文集
さらに、定期切換運転モード、流量切換運転モードおよび通信速度切換運転モードのように、処理負荷に応じて自動的に高クロック動作と、低クロック動作とを切り換えるので、スイッチング容量が必要なときには、大きいスイッチング容量を確保すると共に、スイッチング容量が必要ないときには、消費電力を低減させることができる。
再者,由于如定期切换运转模式、流量切换运转模式和通信速度切换运转模式那样,根据处理负荷来自动地切换高时钟动作和低时钟动作,所以,能够在需要交换容量时确保大的交换容量,并且在不需要交换容量时,减小消耗功率。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、ビニング読み出しをする場合、各積分回路Snにおいて、ゲイン設定用スイッチSW22が閉じていて、帰還容量部の容量値が大きい値に設定され、ゲインが小さくされているのが好ましい。
再者,在作像素并邻组合读出的情况下,优选为在各积分电路 Sn中,增益设定用开关 SW22闭合,将反馈电容部的电容值设定为大值,将增益设为小值。 - 中国語 特許翻訳例文集
すなわち、一般的に、ADFを具備しない軽量のプラテンカバー(例えば第1プラテンカバー)では、カバー全体の重心位置は原稿読取面を開閉するカバー本体の重心位置と略一致している。
即,一般在不具备 ADF的轻量的稿台盖 (例如第一稿台盖 )中,盖整体的重心位置与开闭原稿读取面的盖主体的重心位置大致一致。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn+1に接続されている。
第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss,控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2,输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集
1つの評価信号を観察した後に送信経路および受信経路の両方の利得不一致および位相の不一致を決定するトランシーバが、教示目的用の特定の具体的な実施形態に関して記述されたが、トランシーバはそれに制限されない。
尽管已出于指导目的而结合某些特定实施例来描述在观测单个评估信号之后确定发射路径与接收路径两者的增益失配及相位失配的收发器,但收发器不限于此。 - 中国語 特許翻訳例文集
これらのバイアス電圧VBIAS11,12,13は、サンプルホールド回路190,200内のサンプリングスイッチSW191,SW192,SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。
通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201,偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集
37. 前記スイッチング周波数セレクタコンポーネントは、さらに、前記動作モードの無線周波数感度を具備する前記電源要件を決定するための前記周波数セレクタコンポーネントである、請求項30の装置。
37.根据权利要求 30所述的设备,其中所述开关频率选择器组件进一步用于用于确定包含所述操作模式的射频敏感性的所述功率要求的所述频率选择器组件。 - 中国語 特許翻訳例文集
52. 前記スイッチング周波数セレクタコンポーネントは、さらに、格納されたルックアップデータ構造へのアクセスにより、前記電源要件を決定する、請求項30の装置。
52.根据权利要求 30所述的设备,其中所述开关频率选择器组件进一步用于通过存取所存储的查找数据结构来确定所述功率要求。 - 中国語 特許翻訳例文集
典型的な電源回路26では、スイッチング周波数モードルックアップ参照48は、オリジナル機器製造業者によってインストールされまたはUE12によって経験的に学習され、この必要条件を捕らえる。
在示范性功率电路 26中,开关频率模式查找参考 48俘获此要求,其是由原始设备制造商安装或通过 UE 12基于经验获悉的。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。
第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集
設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。
设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集
各電源回路26、34は、SMPS 36が適切なパワー特性を提供するようなスイッチング周波数fSWで、異なる選択されたクロック38を提供することができる。
每一功率电路26、34可在开关频率 fSW下供应不同的选定时钟 38,使得 SMPS 36提供适当功率特性。 - 中国語 特許翻訳例文集
ケーブル接続有無の検出機構の具体的な構成については、例えばケーブルの接続/抜き取りに応じてスイッチがON/OFFする構成などを挙げることができる。
作为对是否连接线缆进行检测的检测机构的具体结构,示例出其中开关响应于线缆的连接 /未连接而接通 /断开的结构等。 - 中国語 特許翻訳例文集
しかしながら、プルーニングは、特に見出された最初の解が送信アンテナから実際に送信されたシンボルと一致するときは、実際に訪れたノードの数を低減し得る。
然而,剪除可减少实际访问的节点的数目,尤其是当所发现的第一解匹配于从发射天线实际发射的符号时。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ(pチャネルFET)214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子,例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
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