「ゲートバイアス」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

メディアストリーム105はまた、ビデオカメラ、再生装置、ビデオゲームコンソール、ネットワーク（例えばインターネット）を通じた遠隔装置又はその他のメディア情報のソースのような装置から生じてもよい。

媒体流 105还可以源自诸如视频摄像机、回放设备、视频游戏控制台、通过网络 (例如因特网 )的远程设备的设备，或源自任何其他媒体信息来源。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、モードセレクタ1780は、より高いVCO雑音のトレードオフとともに電力消費量を低減するために、エネルギースキャンモードにおけるバイアス電流を低下させることができる。

例如，模式选择器 1780可以在能量扫描模式下降低偏流以缩减功耗，而带来较高的 VCO噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】図10の補正用バイアス選択部における黒化現象検出期間の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。

图 11说明了用于解释黑化检测时间段中图 10中校正偏置选择部件操作的时序图； - 中国語 特許翻訳例文集

図11は、図10の補正用バイアス選択部における黒化現象検出期間の動作を説明するためのタイミングチャートを示す図である。

图 11说明了用于解释黑化检测时间段中图 10中校正偏置选择部件操作的时序图。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集

無線ターミナル110の具現化可能であるユーザ機器210は、入力電圧VINを提供する直流（DC）バッテリ225によってバイアスがかけられる周波数計測可能なSMPSプラットフォーム215を含んでいる。

用户设备 210(其可为无线终端 110的实现形式 )包括通过提供输入电压VIN的直流 (DC)电池 225偏置的频率可缩放的SMPS平台 215。 - 中国語 特許翻訳例文集

クライアントデバイス218からのコマンドが選択と送信を表示する場合には、マイメディアサービスタプル214は、ゲストゲートウェイ226をサポートするネットワークキャリア252に対する、通信チャネル250（例インターネット）上でホームゲートウェイ222をサポートするネットワークキャリア248からの送信について、メディアコンテンツ230を正確にフォーマット化するために、メディアストリーミングタプル246を使用することができる。

若来自客户端设备 218的命令指示选择和传输，则我的媒体服务元组 214可利用媒体流送元组 246来正确地格式化媒体内容 230以从支持归属网关 222的网络承运商 248跨通信信道 250(例如，因特网 )传输到支持访客网关 226的网络承运商 252。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

原点から信号点までの距離が短くなることは、光多値信号の平均パワーが小さくなることと等価なので、2電極MZ変調器14からの光多値信号の平均パワーを検出することにより、DCバイアスの最適値からのずれを検出することができる。

从原点到信号点的距离变短等价于使光多值信号的平均功率变小，所以通过对来自双电极 MZ调制器 14的光多值信号的平均功率进行检测，可以检测从 DC偏置的最佳值的偏离。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集