「ゲート幅」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第1のOB領域61のゲート幅（チャネル幅）W2とゲート長（チャネル長）L2の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。

显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第一 OB区域 61的栅极宽度 (沟道宽度 )W2和栅极长度 (沟道长度 )L2之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第1のOB領域61および第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。

显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第一 OB区域 61和第二 OB区域 62各自的栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

同じく、有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。

同样，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度 (沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第二 OB区域 62的栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

同じく、有効画素領域60のゲート幅（チャネル幅）W1とゲート長（チャネル長）L1に対する、第2のOB領域62それぞれのゲート幅（チャネル幅）W4とゲート長（チャネル長）L4の関係を、第1の実施形態と同様にして実施することで、ノイズ低減効果があることは明らかである。

同样，显然，可以通过在以与第一实施例中的方式相同的方式设置有效像素区域 60的栅极宽度(沟道宽度 )W1和栅极长度 (沟道长度 )L1与第二 OB区域 62的栅极宽度 (沟道宽度 )W4和栅极长度 (沟道长度 )L4之间的关系时执行操作，来获得噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。

此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2の遮光画素920においては、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとるために、光電変換素子D1の面積を削減している。

在第二遮光像素 920中，为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3，缩小光电转换元件 D1的面积。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲート幅（チャネル幅）W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長（チャネル長）L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。

为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，缩小光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3，缩小光电转换元件 D1在水平方向上的面积。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時、ゲート幅（チャネル幅）W3だけ広くして、ゲート長（チャネル長）L3を感光画素110のL1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。

在这种情况下，可以仅增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，而将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为与感光像素 110的 L1相等。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。

另外，可以仅增大栅极长度 (沟道长度 )L3，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、第3のOB領域63より第4のOB領域64の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。

因此，优选使第四 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第三 OB区域 64中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、第6のOB領域66より第5のOB領域65の方のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方がよい。

因此，优选使第五 OB区域 65中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L大于第六 OB区域 66中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の（1）の条件を満たすことができる。

与第一遮光像素 910相比较，这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，因此可以满足本实施例中的情况 (1)的条件。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じるので、本実施形態の（1）の条件を満たすことができる。

与第一遮光像素 910相比较，这允许增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，因此可以满足本实施例中的“(1)”的条件。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。

然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。

放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第2の遮光画素920の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。

由于可以以这种方式将栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，因此与在感光像素 110中相比，可以更多地降低由第二遮光像素 920中的驱动晶体管Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにし、光電変換素子D1の垂直方向の面積の削減は行わないことにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。

另外，可以仅将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等，从而不缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）W3を広くするために、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート長（チャネル長）L3を長くするために、光電変換素子D1の水平方向の面積を削減している。

另外，在本实施例中，为了增大栅极宽度 (沟道宽度 )W3，缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 为了增大栅极长度 (沟道长度 )L3，缩减光电转换元件 D1在水平方向上的面积。 - 中国語 特許翻訳例文集

第4の遮光画素940においては、図10において光電変換素子D1の面積を削減したのと同様の方法で、ゲート幅（チャネル幅）W5が広くなるとともに、ゲート長（チャネル長）L5が長くなるようなレイアウトとなっている。

第四遮光像素 940的布局被设计成，通过与图 10中缩减光电转换元件 D1的面积的方法相同的方法，来增大栅极宽度 (沟道宽度 )W5和栅极长度 (沟道长度 )L5。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のOB領域63が、第1の遮光画素910の時には、第4のOB領域64には、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のいずれか一つを配列させることで、第1の遮光画素910に比べて、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする余裕が生じる。

当第三 OB区域 63包括第一遮光像素 910时，在第四 OB区域 64中排列第二遮光像素 920、第三遮光像素 930或第四遮光像素 940。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。

同样在这种情况下，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。

另外，可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時も、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感なHOBクランプの誤補正をさらに防止することができる。

同样在这种情况下，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的 HOB钳位的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第1の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。

另外，还可以通过以与针对第一阵列示例的方式相同的方式设置第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止对噪声敏感的垂直条纹噪声的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を第4の配列例と同じにすることで、ノイズに敏感な縦スジノイズの誤補正をさらに防止することができる。

另外，可以通过以与针对第四阵列示例的方式相同的方式设置第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件，来进一步防止垂直条纹噪声的错误校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作と略同時にスイッチ60のゲートにパルスを供給して導通させることにより、演算増幅器4の出力ノードにVrefを供給する。

基本上在该操作的同时，向开关60的栅极供给脉冲以接通开关60，由此，向运算放大器4的输出节点供给基准电压 Vref。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート75は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 75是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート85は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 85是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート95は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 95是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート215は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 215是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート221は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 221是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート315は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 315是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理ゲート415は、セットパルスの入力からリセットパルスの入力までをパルス幅とするパルス信号を発生する回路デバイスである。

所述逻辑门 415是产生具有从所述设置脉冲的输入到所述重置脉冲的输入的脉冲宽度的脉冲信号的电路装置。 - 中国語 特許翻訳例文集