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「ゲート構造」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
【図3】AMPDUのアグリゲート（aggregate）されたフレームの構造を示す図である。
图 3说明 AMPDU聚合帧的结构；
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【図3】図1のゲートウェイ装置が有するホストテーブルのデータ構造およびデータの一例を示す図である。
图 3是示出图 1的网关装置具有的主机表的数据结构以及数据的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図4】図1のゲートウェイ装置が有する転送テーブルのデータ構造およびデータの一例を示す図である。
图 4是示出图 1的网关装置具有的转发表的数据结构以及数据的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図11】図10のゲートウェイ装置が有するホストテーブルのデータ構造およびデータの一例を示す図である。
图 11是示出图 10的网关装置具有的主机表的数据结构以及数据的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図12】図10のゲートウェイ装置が有する転送テーブルのデータ構造およびデータの一例を示す図である。
图 12是示出图 10的网关装置具有的转发表的数据结构以及数据的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図16】図1および図10のゲートウェイ装置が有するホストテーブルのデータ構造およびデータの一例を示す図である。
图 16是示出图 1以及图 10的网关装置具有的主机表的数据结构以及数据的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図17】図1および図10のゲートウェイ装置が有する転送テーブルのデータ構造およびデータの一例を示す図である。
图 17是示出图 1以及图 10的网关装置具有的转发表的数据结构以及数据的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1回路ブロック180_1のnMOS182のドレインを第2回路ブロック180_2のpMOS185のゲートへ接続し、第2回路ブロック180_2のnMOS184のドレインを第1回路ブロック180_1のpMOS183のゲートへ接続した襷掛け接続構造を採っている。
第一电路块 180_1和第二电路块 180_2交叉耦合，其中第一电路块 180_1的 nMOS182的漏极连接到第二电路块 180_2的 pMOS185的栅极，并且第二电路块 180_2的 nMOS184的漏极连接到第一电路块 180_1的 pMOS183的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。
例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集
現在、802．11nにおいて、上述したMPDUアグリゲーションのコンセプトは、アグリゲートされたフレーム構造を作り出すために、複数のMPDUを「連続して（back-to-back）」パックすることにより、MAC層の効率を増すために使用される。
当前，在 802.11n中，上文所论述的 MPDU聚合的概念用以通过“背对背”包装多个MPDU以形成聚合帧结构来增加 MAC层的效率。 - 中国語 特許翻訳例文集
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