「ゲート端子」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ANDゲートAG42の第1入力端子が最下位アドレスデコード信号ADDR＿DEC＿L＜n＞の供給ラインに接続され、第2入力端子がリードラッチセット信号RLSETの供給ラインに接続されている。

AND门 AG42的第一输入端被连接到最低地址解码信号 ADDR_DEC_L<n>的供应线，而第二输入端被连接到读取锁存器信号 RLSET的供应线。 - 中国語 特許翻訳例文集

ANDゲートAG44の第1入力端子が最上位アドレスデコード信号ADDR＿DEC＿H＜n＞の供給ラインに接続され、第2入力端子がシャッターラッチセット信号SLSETの供給ラインに接続されている。

AND门 AG44的第一输入端被连接到最高地址解码信号 ADDR_DEC_H<n>的供应线，而第二输入端被连接到快门锁存器设置信号 SLSET的供应线。 - 中国語 特許翻訳例文集

ANDゲートAG45の第1入力端子が最下位アドレスデコード信号ADDR＿DEC＿L＜n＞の供給ラインに接続され、第2入力端子がシャッターラッチセット信号SLSETの供給ラインに接続されている。

AND门 AG45的第一输入端被连接到最低地址解码信号 ADDR_DEC_L<n>的供应线，而第二输入端被连接到快门锁存器设置信号 SLSET的供应线。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。

PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ORゲートOG12の第1入力端子が読み出しフレームのシャッター行の最下位アドレスデコード信号S＿ADDR1＿L＿DEC＜n＞の供給ラインに接続されている。

OR门 OG12的第一输入端被连接到正在读取帧的快门行的最低地址解码信号 S_ADDR1_L_DEC<n>的供应线。 - 中国語 特許翻訳例文集

ORゲートOG13の第1入力端子が読み出しフレームのシャッター行の最上位アドレスデコード信号S＿ADDR1＿H＿DEC＜n＞の供給ラインに接続されている。

OR门 OG13的第一输入端被连接到正在读取帧的快门行的最高地址解码信号 S_ADDR1_H_DEC<n>。 - 中国語 特許翻訳例文集