「ゲート電極」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

転送ゲート144のゲート電極144A（図3）は転送配線154に接続されている。

转移栅极 144的栅电极 144A(图 3)连接至转移线 154。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1CCD142のゲート電極171A（図3）は、CCD1配線152に接続されている。

第一 CCD 142的栅电极 171A(图 3)连接至 CCD1线 152。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2CCD143のゲート電極173A（図3）は、CCD2配線153に接続されている。

第二 CCD 143的栅电极 173A(图 3)连接至 CCD2线 153。 - 中国語 特許翻訳例文集

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。

在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

オーバーフローゲート電極（OFG）43は、第2リセットゲート電極に相当し、オーバーフローどれ印領域38は、リセットドレイン領域に相当する。

溢出栅极电极 (OFG)43相当于第二复位栅极电极，而溢出漏极区域 38相当于复位漏极区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。

第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss，控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2，输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示しないが、オーバーフローゲート電極43も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。

尽管未图示，但溢出栅极电极 43也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、この場合転送ゲート電極41は、基板あるいは他の配線49により接地されているのが望ましい。

此外，在此情况下，应该通过基板或另一布线 49来使传输栅极电极 41按照期望接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加された状態は、ステップS10まで継続される。

这里，选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S10。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101（図2参照。）、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている（図2参照。）。

如图 3中所示，由无碱玻璃等构成的绝缘基板 1形成放射线图像成像装置 10的像素 20A，在该绝缘基板 1上形成有扫描线 101和栅极 2，其中扫描线 101连接到栅极 2(参见图 2)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜15が形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4におけるゲート絶縁膜として作用する。

在第一信号布线层的一面上形成绝缘膜 15，并且各个栅极 2上方的位置充当 TFT开关 4中的栅绝缘膜。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、以下、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加された状態を、転送パルスTRC1がオンされた状態、あるいは、第1CCDゲート171がオンされた状態とも称する。

此外，以下，将转移脉冲 TRC1施加至栅电极 171A的状态称作转移脉冲 TRC1导通的状态，或称作第一 CCD栅极 171导通的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、以下、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加されていない状態を、転送パルスTRC1がオフされた状態、あるいは、第1CCDゲート171がオフされた状態とも称する。

此外，以下，将转移脉冲 TRC1未施加至栅电极 171A的状态称作转移脉冲 TRC1断开的状态或第一 CCD栅极 171断开的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、以下、ゲート電極173Aに転送パルスTRC2が印加された状態を、転送パルスTRC2がオンされた状態、あるいは、第2CCDゲート173がオンされた状態とも称する。

另外，以下，将转移脉冲 TRC2施加至栅电极 173A的状态称作转移脉冲 TRC2导通的状态或第二 CCD栅极 173导通的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、以下、ゲート電極173Aに転送パルスTRC2が印加されていない状態を、転送パルスTRC2がオフされた状態、あるいは、第2CCDゲート173がオフされた状態とも称する。

此外，以下，将转移脉冲 TRC2未施加至栅电极 173A的状态称作转移脉冲 TRC2断开的状态或第二 CCD栅极 173断开的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、以下、ゲート電極144Aに転送パルスTRGが印加された状態を、転送パルスTRGがオンされた状態、あるいは、転送ゲート144がオンされた状態とも称する。

此外，以下，将转移脉冲 TRG施加至栅电极 144A的状态称作转移脉冲 TRG导通的状态或转移栅极 144导通的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、以下、ゲート電極144Aに転送パルスTRGが印加されていない状態を、転送パルスTRGがオフされた状態、あるいは、転送ゲート144がオフされた状態とも称する。

此外，以下，将转移脉冲 TRG未施加至栅电极 144A的状态称作转移脉冲 TRG断开的状态或转移栅极 144断开的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t2においてフォトダイオード141への信号電荷S1の蓄積が開始されてから所定の露光時間T1が経過した時刻t8において、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加され、第1CDDゲート171がオンする。

具体地，在自从在时间 t2信号电荷 S1开始在光电二极管 141中累积之后过去预定曝光时间 T1的时间 t8，转移脉冲 TRC1被施加至栅电极 171A，第一 CCD栅极 171导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t9においてフォトダイオード141への信号電荷S2の蓄積が開始されてから所定の露光時間T2が経過した時刻t13において、ゲート電極171Aに転送パルスTRC1が印加され、第1CDDゲート171がオンする。

具体地，自从在时间 t9信号电荷 S2开始在光电二极管 141中累积之后过去预定曝光时间 T2的时间 t13，转移脉冲 TRC1被施加至栅电极 171A，第一 CCD栅极 171导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

结果，通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174，可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

因此，通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中，可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、光の入射方向については裏面照射、すなわち、この撮像素子における電荷蓄積ゲート71やCCDメモリの転送電極等が形成された側と反対側の面から光を入射させる方式とすることができる。

该种情况下，光的入射方向采用背面照射的方式，即，能够采用从与形成有该摄像器件的电荷积蓄门 71和 CCD存储器的传输段的侧相对的对侧的面使光入射的方式。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部106は、放射線の照射を検出すると、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。

当检测到放射线的照射时，控制部 106在经过特定累积持续时间之后控制扫描信号控制电路104，并且使得从扫描信号控制电路104每次一条线顺序地向各条扫描线101输出导通信号。 从而，控制部 106通过扫描线 101将导通信号顺序地施加给 TFT开关 4的栅极 2。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。

在经过特定累积持续时间之后，控制部 106控制扫描信号控制电路 104，使得从扫描信号控制电路 104每次一条线顺序地向各条扫描线 101输出导通信号。 结果，控制部 106通过扫描线 101顺序地向 TFT开关 4的栅极 2施加导通信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部106は、放射線の照射を検出すると、リセット動作を停止して放射線検出素子10の各画素20Aに電荷を蓄積させ、所定の蓄積期間経過後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加する。

在已经经过特定累积持续时间之后，控制部 106控制扫描信号控制电路104，使得从扫描信号控制电路104每次一条线顺序地向各条扫描线101输出导通信号。 结果，控制部 106通过扫描线 101顺序地向 TFT开关 4的栅极 2施加导通信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部106は、放射線の照射終了を検出すると、検出した時点を起点に所定の終了待機期間だけ待機した後に、スキャン信号制御回路104を制御してスキャン信号制御回路104から1ラインずつ順に各走査配線101にON信号を出力させ、TFTスイッチ4のゲート電極2に走査配線101を介して順次ON信号を印加して放射線検出素子10の各画素20Aに蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号から放射線が示す画像を生成する。

当控制部 106检测到完成了放射线的照射时，在从做出了该检测的点待机达到特定完成状态待机持续时间之后，控制部 106控制扫描信号控制电路 104并且使导通信号从扫描信号控制电路 104每次一条线顺序地向各条扫描线 101输出。 然后，控制部 106通过扫描线 101向 TFT开关 4的栅极 2顺序地施加导通信号，并且读出与放射线图像成像装置10的各个像素 20A中累积的电荷量相对应的电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集