「コンデンサースタートランモーター」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記で説明されるように、上記のトランシーバシステム210における欠点は、25DC LOが、比較的高い電流を消費し、電力のより高い消費をもたらすことである。

如上文所述，以上收发器系统 210中的缺点在于 25DC LO消耗相对高的电流，从而导致较高的功率消耗。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような電力増幅器アレンジメントは、例えば、単一帯域送信機（または、トランシーバ）とともに使用するように適合され、それらの間に結合されているフィルタと直列に配置されている少なくとも2つの増幅器を備えていてもよい。

此类功率放大器布置可例如适于与单频带发射机 (或收发机 )联用，并且包括布置成与耦合于其间的滤波器串联的至少两个放大器。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み出し専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。

术语存储器可以指代各种处理器可读介质，例如，随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

CRSMは、これらに限定されないが、ランダムアクセスメモリ（RAM）、リードオンリーメモリ（ROM）、電気的消去可能ROM（EEPROM）、フラッシュメモリ又は他の固体状態メモリ技術、コンパクトディスク・リードオンリーメモリ（CD−ROM）、デジタル多用途ディスク（DVD）又はその他の光ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置、又はその他の磁気記憶デバイス、若しくはコンピューティングデバイスがアクセス可能な所望の情報を格納するのに使用可能なその他の媒体を含む。

CRSM可包括但不限于随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器或其它固态存储器技术，压缩光盘只读存储器 (CD-ROM)、数字多功能盘 (DVD)或其它光盘存储装置，磁盘存储装置或其它磁存储装置，或者能够用于存储预期信息并且可由计算装置访问的任何其它介质。 CN 10215846505 A - 中国語 特許翻訳例文集

この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。

注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1で説明する実施形態では、電子機器10は、処理装置12と、メモリ14と、1個又は複数の物理センサ16と、入力装置18と、トランシーバ20と、短距離通信装置22と、出力装置24を含む。

如图 1所示的实施例中，电子装置 10包括处理装置 12、存储器 14、一个或多个物理传感器 16、输入装置 18、收发器 20、短距离通讯装置 22和输出装置 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような電力増幅器回路は、例えば、多帯域送信機（または、トランシーバ）間で使用するように適合され、スイッチと周波数ドメインマルチプレサとの間に別々に配置されている少なくとも2つの増幅器を備えていてもよい。

此类功率放大器电路可例如适于与多频带发射机 (或收发机 )联用，并且包括分开布置在开关与频域复用器之间的至少两个放大器。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ステップS10にて絵文字・記号入力モードMODを終了する入力を受付けたと判別した場合、一覧指示判別部111は、文書データの編集（この例では、電子メールの本文の作成）を終了する入力を入力部15が利用者から受付けたかどうかを判別する（ステップS11）。

与之不同，如果在步骤 10列表命令判断部件 111判定已接受到用于结束图画字符 -符号输入模式 MOD的输入，则在步骤 11，列表命令判断部件 111判断输入部件 15是否已接受到来在用户的用于结束文本数据的编辑 (在此示例中，电子邮件正文的创建 )的输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図6A、図6B、および図7のプロセス例は、フラッシュメモリ、CD、DVD、フロッピー（登録商標）ディスク、読出し専用メモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、プログラマブルROM（PROM）、電子的にプログラム可能なROM（EPROM）および／または電子的に消去可能なPROM（EEPROM）、光記憶ディスク、光記憶デバイス、磁気記憶装置ディスク、磁気記憶デバイス、および／または、機械読み取り可能な命令またはデータ構造の形態でプログラムコードおよび／または命令を運搬または格納する目的で使用でき、プロセッサ、汎用または特殊用途コンピュータ、またはプロセッサを有する他の機械（例えば、図8に関連して後述するプロセッサプラットフォーム例P100など）によってアクセス可能な他の任意のメディアなど、任意の有形のコンピュータ可読メディアにも格納された符号化された命令で具現化され得る。

例如，图 6A、6B和 7的示例性过程可以被体现在存储在任何一种有形的计算机可读介质上的代码中，所述计算机可读介质例如闪存、CD、DVD、软盘、只读存储器 (ROM)、随机存取存储器 (RAM)、可编程只读存储器 (PROM)、电可编程只读存储器 (EPROM)和 /或电可擦除只读存储器 (EEPROM)、光存储盘、光学储存设备、磁盘存储盘、磁存储器和 /或能够用于承载或存储以机器可读的指令或数据结构的形式的程序代码和 /或指令，并能够由处理器、通用或专用计算机或其它具有处理器的机器 (例如，下面结合图 8讨论的示例性处理器平台 P100)访问的任何其他介质上。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、充電装置40は、管理装置60から入力された識別情報、乱数、暗号文を用いて電動移動体50との間で相互認証を実施し、この相互認証に成功した後で課税サーバ20との間の通信経路を確立させる。

在这种情况下，充电设备 40利用从管理设备 60输入的识别信息、随机数和密文执行与电动移动体 50的相互认证，并在成功进行相互认证之后，建立与征税服务器 20的通信路径。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示されるように、トランシーバシステム609は、先ずバッファ68にバッファされ、次いで、局部発振器（LO）システム600へと供給される前に、2分周のように周波数分周器67によって周波数分周されるダウンコンバートする電圧信号を生成するための電圧制御発振器69も含んでいる。

如图 6中所示，收发器系统 609还包括压控振荡器 69，其用于产生下变频转换电压信号，所述下变频转换电压信号首先在缓冲器 68中经缓冲，且接着在馈入到本机振荡器(LO)系统 600中之前由分频器 67进行分频，例如除以二。 - 中国語 特許翻訳例文集

撮像装置1は電源が投入されているときに、先ずユーザーによるMWB設定（マニュアル（手動）操作によるホワイトバランスの設定）の指示を検出すると、制御部5は撮像部3に対し逐次撮像処理を行わせてその撮像範囲に対応する画像データを出力させるとともに、出力された画像データを所定サイズに対応する画素数に間引いて縮小する（ステップS1）。

拍摄装置 1在电源被接通时，首先若检测出用户对 MWB设定 (基于手动 (manual)操作的白平衡设定 )的指示，则控制部 5使拍摄部 3依次进行拍摄处理，并使拍摄部 3输出与其拍摄范围对应的图像数据，并且对所输出的图像数据进行间隔剔除，以缩小到与规定尺寸对应的像素数 (步骤 S1)。 - 中国語 特許翻訳例文集

フランジ部36は、支持部材23よりも大きく構成することでレリーズボタン4の周囲から静電気が侵入した際に、第1の接点部12や第2の接点部13に静電気が入り込む前に支持部材23に静電気が落ちるように案内する役割を担う。

凸缘部 36的尺寸小于支撑构件 23的尺寸，使得当静电在释放按钮 4的周围侵入时，凸缘部 36实现在静电进入第一触点 12和第二触点 13之前将静电引导至支撑构件 23的功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバシステム310はまた、次いで先ずバッファ38にバッファされ、次いで局部発振器システム300に供給される前に、2分周のように周波数分周器37によって周波数分周されるダウンコンバートする電圧信号を生成するための電圧制御発振器39も含んでいる。

收发器系统 310还包括压控振荡器 39，其用于产生下变频转换电压信号，所述下变频转换电压信号接着首先在缓冲器 38中经缓冲，且接着在馈入到本机振荡器系统 300中之前由分频器 37进行分频，例如除以二。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態例において、(技術上「RFIDトランスポンダー」とも称される)RFIDタグ250は、ネットワーク装置の装着または保守を行っている人間(例えば作業者)がその過程でRFIDタグを選択的に起動できるように、RFIDアンテナを電気的に接続／切断及び起動／停止させるスイッチ(例えば押しボタン式スイッチ)260(図3及び図4)を有する。

在一示例性实施例中，RFID标签 250(在本领域内也称为“RFID应答器”)包括开关 (例如按钮式开关 )260(图 3和图 4)，该开关 260电连接 /断开并激活/禁用 RFID天线以使安装或维护网络设备的人员 (例如技工 )能在该过程中有选择地激活RFID标签。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。

然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、2つのトランスポート接続、最大待ち時間t1を有するもの、および、t1を超える最大待ち時間t2を有する別のものがある場合、Sは、バッテリ電力を節約する間にQoS要求を満たすために、min{t1,t2}未満 = t1(less than min{t1,t2} = t1)であるだろう。

例如，如果有两个传输连接，一个的最大等待时间为 t1，而另一个的最大等待时间 t2＞ t1，则 S应小于 min{t1，t2}＝ t1，才能在节省电池功率的同时满足 QoS要求。 - 中国語 特許翻訳例文集

いくつかの例示的なインプリメンテーションにおいて、トランシーバ602は、低位相ノイズをもたらしながら、このような送信信号に約＋15dBmの出力電力を提供するように適合されていてもよく、選択的な増幅器回路632および634は、「より低い」（例えば、約10dB）利得増幅器を備えていてもよい。

在某些示例性实现中，收发机 602可适于提供输出功率约为 +15dBm的此类发射信号同时提供低相位噪声，并且选择性放大器电路 632和 634可包括“低”增益放大器 (例如，约 10dB)。 - 中国語 特許翻訳例文集

7. 前記デジタル信号処理回路において、前記第1の移動平均電力値（PW1）を用いて前記伝達関数同定フィルタ（FILID）の前記フィルタ係数（HA［k］）の繰返し演算の収束時間および収束誤差を動的に制御する、システム同定修正強度計算アルゴリズム（ALmu）をさらに備える、ことを特徴とする請求項6に記載の単一トランスデューサを用いた全二重通話回路。

7.根据权利要求 6的单换能器全双工电路，其中，所述数字信号处理电路中的系统识别修正强度计算算法 (ALmu)根据所述第一移动平均功率值 (PW1)来动态地控制所述传递函数识别滤波器 (FILID)的所述滤波器系数 (HA[k])的重复计算的收敛时间和收敛误差。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述したように、ビデオカメラや電子スチルカメラ、さらには携帯電話等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置において、その撮像デバイス42として先述した実施形態に係る固体撮像装置10を用いることで、当該固体撮像装置10では画素内の選択トランジスタの有限なオン抵抗に起因する1／fノイズやバーストノイズを低減できるために、極めてノイズの少ない撮像画像を得ることができる。

如上所述，在诸如摄像机、电子照相机和设在诸如蜂窝式电话这样的移动设备中的照相机模块这样的成像设备中，根据上述实施例的固态成像装置 10被用作成像装置 42，这使得可以减小由固态成像装置 10中的像素的选择晶体管的有限导通电阻引起的 1/f噪声或突发噪声，从而得到具有极小噪声的成像设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェア・モジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読出し専用メモリ（ROM）、消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、コンパクトディスク読出し専用メモリ（CD−ROM）、あるいは当該技術分野で知られているその他任意の形式の記憶媒体に収納されうる。

软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

8. 前記デジタル信号処理回路において、前記伝達関数同定デジタルフィルタ（FILID）の前記第1のフィルタ係数（HA［k］）の更新に際して、前記第2の移動平均電力値（PW2）と前記第3の移動平均電力値（PW3）を比較し、動的更新するか否かを判定しと誤修正を検出する機能を有する、誤修正検出および同時通話検出アルゴリズム（ALDB）をさらに備える、ことを特徴とする請求項6に記載の単一トランスデューサを用いた全二重通話回路。

8.根据权利要求 6的单换能器全双工电路，其中，所述数字信号处理电路中的误差修正检测和同时通话检测算法 (ALDB)更新所述第一滤波器系数 (HA[k])，并通过比较所述第二移动平均功率值 (PW2)和所述第三移动平均功率值 (PW3)来评估是否要动态地更新该第一滤波器系数 (HA[k])。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械可読媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み出し専用メモリ）、PROM（プログラマブルな読み出し専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ）、EEPROM（電気的に消去可能なPROM）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、又はその他任意の適切な記憶媒体、或いはそれらの何れの組み合わせを含む様々なメモリ構成要素を含むことができる。

机器可读介质可以包括各种存储器组件，作为示例，包括： RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘、或任何其他适当的存储介质、或其任意组合。 - 中国語 特許翻訳例文集