「サイトスタチック」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

フレアチップに関するよくある問題は、当該チップが休止状態にある際の当該チップ内部での燃焼である。

与火炬尖端关联的常见的问题是当尖端处于休眠状态时在尖端内的燃烧。 - 中国語 特許翻訳例文集

自然嘔吐が生じた場合、気管へ入ると窒息する危険性があるため、気管への吸入が起きないようにしてください。

发生自然呕吐的情况下，如果进入气管会有导致窒息的危险性，所以请不要吸入气管中。 - 中国語会話例文集

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。

代替直接在板102上安装半导体芯片103，通过在插入板上安装半导体芯片103并利用树脂 (例如环氧树脂 )将半导体芯片 103压模 (mold)而形成的半导体封装可以安装在板 102上。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。

半导体芯片 103不能直接安装在板 102上，但是可以形成为半导体封装，其中半导体芯片 103安装在插座板上并使用如环氧树脂的树脂制模，并如此安装在板 102上。 - 中国語 特許翻訳例文集

国際的に何かちょっとした異変があると，蟄居していた敵は飛び出して来て悪事を働こうとする．

每当国际上有风吹草动时，蛰伏的敌人就蠢蠢欲动。 - 白水社 中国語辞典

例えば光ディスク、ハードディスク、着脱不能に取り付けられたフラッシュメモリチップなどの半導体メモリチップ、ホログラムメモリ等、各種の記録媒体を採用することもできる。

例如，可以使用不同的记录介质，例如光盘、硬盘、以不可拆的方式安装的如闪存芯片的半导体存储芯片，以及全息存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば光ディスク、ハードディスク、着脱不能に取り付けられたフラッシュメモリチップなどの半導体メモリチップ、ホログラムメモリ等、各種の記録媒体を採用することもできる。

例如，可以使用各种记录介质，诸如光盘、硬盘、例如以不可拆卸方式安装的闪存芯片之类的半导体存储芯片、以及全系存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

デュアル送信機（LED）とデュアル受信機（PD）の両方を搭載しているチップオンチップ送受信機により、デュアル送受信機に対するサイズのコンパクト化およびコスト削減が可能となる。

包括双发送器 (LED)和双接收器 (PD)的片上芯片收发器使双收发器的紧凑尺寸和低成本成为可能。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、半導体チップ203B_2は、半導体チップ203B_1において注入同期方式で再生された再生搬送信号を受け取り、周波数混合部8402は、その再生搬送信号を使って受信信号Sin_2を復調する。

另一方面，半导体芯片 203B_2接收半导体芯片 203B_1上通过注入锁定恢复的恢复的载波信号，并且混频器 8402使用恢复的载波信号解调接收信号 Sin_2。 - 中国語 特許翻訳例文集

ベース部材32の上面（部品搭載面）32cには受光素子33と増幅器34の半導体チップが搭載されている。

光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片设置在基底部件 32的顶面 (部件布置面 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、aシーケンスが128の長さのシーケンスである場合には、STFの最後の128チップ（デリミタフィールドがない場合）またはデリミタフィールドの最後の128チップ（デリミタフィールドが含まれている場合）が、CEFの最初の複合シーケンスの巡回プレフィックスとして機能してよい。

例如，如果 a序列为 128长度序列，那么 STF的最后 128个码片 (当没有定界符字段时 )或是定界符字段的最后 128个码片 (当有定界符字段时 )可以用作 CEF中的第一个复合序列的循环前缀。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数の半導体チップを収納したマルチチップ方式の半導体装置において、第1の半導体チップに搭載される第2の半導体チップの一辺の近傍にボンディングパッドを設け、それらの半導体チップのボンディングパッドを直接ワイヤで接続することが記載されている。

描述了一种容纳有多个半导体芯片的多芯片系统中的半导体器件，其中接合焊盘设置在装载到第一半导体芯片的第二半导体芯片的一侧附近，并且半导体芯片的接合焊盘通过引线直接连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

許容領域は、たとえば、最大ピークのビンよりも2〜4つの符号位相チップだけ前の内に発生することがあり、また、最大ピークの4つの周波数仮説ビン内に発生することがある。

可允许区域可例如出现在比最大峰值的槽早 2个到 4个码相码片内，以及可出现在最大峰值的 4个频率假言槽内。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書に開示される制御装置を使用することで、火炎を当該チップの内部から移動させて、当該シェルを冷却することができる。 これにより、もはや当該チップ本体が内部火炎により台無しにされることはない。

使用于此公开的控制装置从该尖端的内部移除火焰将使得壳体冷却，意味着尖端的主体不再受到内部火焰的危害。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。

此外，描述了一种半导体集成电路装置，其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中，半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。 - 中国語 特許翻訳例文集

11. 前記第2ボディーに内蔵する前記第2アンテナは700Mhz／850Mhz／1900Mhzのチップアンテナとモノポールアンテナの中の少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする、請求項10記載のデータ送受信端末機。

11.根据权利要求 10所述的终端，其中嵌入所述第二本体中的所述多个第二天线包括在 700MHz/850MHz/1900MHz操作的单极天线和芯片天线。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像に基づくフレア制御システム10の使用により、煙を最小化かつ分解効率を最大化する態様で一のエンティティ又は複数の多バーナチップがオンラインでもたらされることが保証される。

使用基于图像的火炬控制系统 10保证了许多燃烧器尖端中的单个实体或多个以最小化烟雾并最大化分解效率的方式投入运行。 - 中国語 特許翻訳例文集

光受信デバイスは、1又は複数の受光素子33と増幅器34を搭載したものに限らず他の半導体チップを搭載したものにも適用できる。

光接收设备不限于包括多个光接收元件 33和放大器 34的配置，装载有其它半导体芯片的配置也是可用的。 - 中国語 特許翻訳例文集

図25（a）において、（1）黒文字重視モード、（2）2色文字モード（黒文字重視と2色文字のチックボックスにチェックが入る）、（3）黒文字重視・高精細モード、（4）2色文字・高精細モードの選択が可能になる。

在图 25A中，能够进行 (1)黑色文字重视模式、(2)双色文字模式 (在黑色文字重视和双色文字的复选框中打钩 )、(3)黑色文字重视·高精细模式、(4)双色文字·高精细模式的选择。 - 中国語 特許翻訳例文集

一部の実施形態では、512個のチップ（例えば、128の拡散ファクタで拡散される4つのシンボル各々）が、単一のブロックにまとめられてよく、ブロックの最後の128チップが巡回プレフィックスとしてブロックにプリペンドされてよい。

在一些实施方式中，512码片 (例如，每一个利用 128的扩展因子进行扩展的四个符号 )可以被聚集到单一区块中，并且区块的最后 128码片可以前搁置于该区块作为循环前缀。 - 中国語 特許翻訳例文集

8. 前記プラスチック材料からなる層に接して配設された前記導電体が、100kHz〜100GHzの範囲の交流信号を受信又は送信するためのアンテナであることを特徴とする請求項7に記載の車両用窓ガラス。

8.如权利要求 7中所述的玻璃窗，其中，设置成与所述塑料材料层接触的所述电导体为天线，所述天线用于接收或发射 100kHz-100GHz范围内的 AC信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、符号化部13は、再送制御部16からHARQ−CCモードが通知された場合、システマチックビットSとパリティビットPとを含む送信パケットを生成する。

具体而言，当从重传控制部 16通知了HARQ-CC模式时，编码部 13生成包含系统位 S和奇偶校验位 P的发送分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、符号化部13は、生成したシステマチックビットSとパリティビットPとから、再送制御部16から通知されるHARQ方式の動作モードに従った送信パケットを生成する。

另外，编码部 13根据所生成的系统位 S和奇偶校验位 P，生成与从重传控制部16通知的 HARQ方式的工作模式对应的发送分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

好ましくはすべて単一の集積回路チップ上にあるプロセッサ17の一部である小さい揮発性バッファメモリは、アナログ・デジタル変換器35からの画像画素データのストリームを受け取る。

所有最好在单个集成电路芯片上的为处理器17的一部分的小易失性缓冲存储器从模数转换器 35接收图像像素数据流。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体チップ203B_1は、送信側の半導体チップ103Bから送られてきたミリ波信号（送信信号Sout_2 ＝受信信号Sin_2）を受信側局部発振部8404への注入信号として使用し、それに基づく再生搬送信号を受信側局部発振部8404が取得する。

半导体芯片 203B_1使用从传输侧的半导体芯片 103B发送到其的毫米波信号作为到接收侧本地振荡器 8404的注入信号，该毫米波信号是传输信号 Sout_2＝接收信号 Sin_2，并且接收侧本地振荡器 8404基于注入锁定获取恢复的载波信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

簡素化を目的にこれらのブロックを個別の存在として示すが、当然のことながら実際には、設計上の事項および半導体技術の状態に応じて個別のチップ、単一のチップ、または1つ以上デバイスのあらゆる好適な組み合わせで実装されてよい。

应明白，为了简单起见，将这些块作为独立实体加以介绍，但实际上，取决于设计考虑和半导体技术的状况，它们可作为独立芯片实现、在单个芯片中实现、或在一个或多个装置的任何合适组合中实现。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、符号化部13は、再送制御部16からHARQ−IRモードが通知された場合、システマチックビットSを含む送信パケット又はパリティビットPを含む送信パケットを生成する。

另一方面，当由重传控制部 16通知了 HARQ-IR模式时，编码部 13生成包含系统位S的发送分组或包含奇偶校验位 P的发送分组。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は通信装置および通信方法に関し、特に非接触IC（Integrated Circuit）チップを搭載したカードや携帯端末などの通信媒体との間で通信を行う通信装置および通信方法に関する。

本发明涉及通信设备和通信方法，尤其涉及与诸如在其上安装了非接触集成电路(IC)芯片的卡的通信介质或移动装置进行通信的通信设备和通信方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、半導体チップ203B_1は搬送周波数f1に注入同期することはなく、再生搬送信号を使って同期検波し低域通過フィルタ8412を通すことで、搬送周波数f1の送信信号Sout_1 を半導体チップ203B_1で復調処理したとしても、伝送対象信号SIN_1の成分が復元されることはない。

在该实例中，半导体芯片 203B_1不与载波频率 f1注入锁定，并且即使载波频率 f1的传输信号 Sout_1使用恢复的载波信号经历同步检测，并且通过低通滤波器 8412，然后通过半导体芯片 203B_1经历解调处理，也没有恢复传输对象信号 SIN_1的分量。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、周波数f2を使用する側の半導体チップ203B_2は第2実施形態と同様であるが、周波数f1を使用する側の半導体チップ203Aは、副搬送信号生成部8612を備えており、注入同期に対応した半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に副搬送信号生成部8612にて同期した別の周波数（この例ではf1）の再生搬送信号を生成してから周波数変換（ダウンコンバート）を行なう。

这里，尽管使用载波频率 f2的半导体芯片 203B_2类似于第二实施例中的半导体芯片 203B_2，但是使用载波频率 f1的半导体芯片 203A包括辅助载波信号生成器 8612，并且从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号。 然后，基于恢复的载波信号，辅助载波信号生成器 8612生成与恢复的载波信号同步的另一频率 (在本示例中，载波频率 f1)的另一恢复的载波信号，然后，半导体芯片 203B_2执行频率转换，即，下转换。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、非接触充電の際に、ICチップ216、すなわち非接触通信のための電気回路にかかる負荷をさらに抑制することができる。

通过这样做，可能进一步抑制施加到 IC芯片 216(或者换言之，非接触充电期间用于非接触通信的电路 )的载荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

6. 前記クライアント識別子を、移動無線通信装置とチップカードのインターフェイスが利用できるようにすることを含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。

6.如权利要求 1至 5中任一个所述的方法，包括使得所述客户端标识符对移动无线电通信设备 -芯片卡接口可用。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、高い周波数で動作する大きなオンチップデータメモリを使用することなく、限られたメモリリソースを用いて、システムパフォーマンスを最大にするフレキシブルな動き補償装置101を実現することができる。

其结果，能够使用有限的存储器资源，实现使系统性能最大化的灵活的动作补偿装置 101，而不使用以高频率动作的较大的片上数据存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、ミリ波信号伝送路9による影響を無視するべく、つまり受信チップ単体の特性を把握するべく、ミリ波信号（無変調波＝RF入力）の入力点を増幅部8224の入力端とし、一意の搬送周波数の再生搬送波でミリ波信号を復調し、RF入力に対する復調出力の比（変換ゲイン＝復調出力／RF入力［dB］）の周波数特性を測定する。

具体地，为了掌握作为单个单元的接收芯片的特性，将放大部分8224的输入设为毫米波信号的输入点(未调制波＝RF输入 )，毫米波信号通过独特载波频率的再现的载波调制，并且测量作为解调输出与 RF输入的比 (转换增益＝解调输出 /RF输入 [dB])的频率特性。 - 中国語 特許翻訳例文集

9. 前記プラスチック材料からなる層に接して配設された前記導電体が、約λg／4の長さを有し、ここで、λgは、前記アンテナによって受信又は送信された信号の前記窓ガラス中における波長である、ことを特徴とする請求項8に記載の車両用窓ガラス。

9.如权利要求 8中所述的玻璃窗，其中，设置成与所述塑料材料层接触的所述电导体具有约λg/4的长度，其中λg为在所述玻璃窗中由所述天线接收或发射的信号的波长。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図1】本開示の一実施形態に係る、解析分類モジュール18とパケット処理モジュール16とを有するシステム・オン・チップ（SOC）100を備えるパケット通信システム10（本明細書ではシステム10と呼ぶこともある）を示す概略図である。

图 1示意性地示出了根据本公开实施方式的包括片上系统 (SOC)100的分组通信系统 10(此处也称作系统 10)，该片上系统 (SOC)100包括解析和分类模块 18和分组处理模块 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1は、本開示の一実施形態に係る、解析分類モジュール18とパケット処理モジュール16とを有するシステム・オン・チップ（SOC）100を備えるパケット通信システム10（本明細書ではシステム10と呼ぶこともある）を示す概略図である。

图 1示意性地示出了根据本公开实施方式的包括片上系统 (SOC)100的分组通信系统 10(此处也称作系统 10)，该片上系统 (SOC)100包括解析和分类模块 18和分组处理模块 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

「シリコンドリフト検出器（SDD）」と呼ばれる市販のシリコンセンサの最新世代は、適切な動作に液体窒素温度への冷却を必要とするような従来の所謂リチウムドリフトシリコン（Si（Li））と比較して、非常に高い温度で動作する。

称为“硅漂移检测器”(SDD)的最新一代的商业硅传感器在比必须被冷却至液氮温度以进行正确操作的传统的所谓锂漂移硅 (Si(Li))高得多的温度下工作。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施の形態によれば、非接触充電の際に、ICチップ216、すなわち非接触通信のための電気回路にかかる負荷を抑制することができるため、非接触充電の状態が長時間に亘る場合においても非接触通信のための電気回路が破壊されることを防止することができ、もって、非接触充電を安全に行うことができる。

根据当前实施例，由于可能抑制向 IC芯片 216(或者换言之，非接触充电期间用于非接触通信的电路 )施加的载荷，所以即使当非接触充电状态长时间持续时，也可能防止用于非接触通信的电路受到损坏。 这意味着可安全地执行非接触充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、非接触充電の際に、ICチップ216、すなわち非接触通信のための電気回路にかかる負荷を抑制することができるため、非接触充電の状態が長時間に亘る場合においても非接触通信のための電気回路が破壊されることを防止することができ、もって、非接触充電を安全に行うことができる。

通过这样做，由于可能抑制施加到 IC芯片216(或者换言之，非接触充电期间用于非接触通信的电路 )的载荷，所以即使当非接触充电状态长时间持续时，也可能防止用于非接触通信的电路受到损坏。 这意味着可安全地执行非接触充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、非接触充電の際に、ICチップ216、すなわち非接触通信のための電気回路にかかる負荷を抑制することができるため、非接触充電の状態が長時間に亘る場合においても非接触通信のための電気回路が破壊されることを防止することができ、もって、非接触充電を安全に行うことができる。

通过这样做，由于可能抑制向 IC芯片 216(或者换言之，非接触充电期间用于非接触通信的电路 )施加的载荷，所以即使当非接触充电状态长时间持续时，也可能防止用于非接触通信的电路受到损坏。 这意味着可安全地执行非接触充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、非接触充電の際に、ICチップ816、すなわち非接触通信のための電気回路にかかる負荷を抑制することができるため、非接触充電の状態が長時間に亘る場合においても非接触通信のための電気回路が破壊されることを防止することができ、もって、非接触充電を安全に行うことができる。

通过这样做，由于可能抑制向 IC芯片 816(或者换言之，非接触充电期间用于非接触通信的电路 )施加的载荷，所以即使当非接触充电长时间持续时，也可能防止用于非接触通信的电路受到损坏。 这意味着可安全地执行非接触充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示されたプリズム255をLED、フォトトランジスタおよびライトガイドよりも遥かに大きな大型プリズムとして組み立てるために、多くの異なる技術を利用することができるが、実際には、一方の端面によく知られた偏光コーティングのある小さなプラスチック成形構造を使用することができおよびそのようなコーティングされたプラスチック構造化プリズムが、本発明の好ましい実施形態で使用される。

许多不同技术可以应用于把在图 3中示为大棱镜的棱镜 255构成远大于 LED、光电晶体管和光导，但实际上可以使用在一端具有众所周知的极化涂层的小塑料模制结构，并且这种涂覆的塑料结构棱镜被用在本发明的优选实施例中。 - 中国語 特許翻訳例文集

一態様では、通信プラットフォーム405は、（i）例えば1つまたは複数の展開済みの地球航法衛星システム（GNSSS）が生成し、本明細書に記載の諸態様に従ってルーティング・プラットフォーム、例えば110によってフェムトAP410に中継されるタイミング・メッセージなどのGPSシグナリング、または（ii）無線認証（RFID）タグの作動時に、そのタグから受信する1つまたは複数の信号を、1つまたは複数のマルチモード・チップセット413を少なくとも部分的に用いて復号することができる。

在一个方面，通信平台 405可至少部分地经多模芯片组 413对以下内容进行解码： (i)GPS信令，如通过 (例如 )部署的一个或多个全球导航卫星系统(GNNS)产生并通过根据本文所述各方面的路由平台 (例如，110)中继给毫微微 AP 410的时序消息； - 中国語 特許翻訳例文集

実際、CMOSセンサは、プロセッサについて必要とされるCMOS技術と同じ集積回路製造技術を使用するので、（部分フレーム画像データバッファを含む）プロセッサ17、アナログ・デジタル変換器35およびセンサ31は、単一の集積回路チップ上に形成することができる。

事实上，由于 CMOS传感器使用与处理器所需的 CMOS技术相同的集成电路制造技术，处理器17(包括局部帧图像数据缓冲器 )、模数转换器 35和传感器 31可以形成在单个集成电路芯片上。 - 中国語 特許翻訳例文集

遠隔局において最小処理時間が利用可能であることを保証するために、E−DCH（エンハンスト専用チャンネル）あるいはE−DPDCH（E−DCH専用物理データチャンネル）に関係するDL（ダウンリンク）専用物量管理チャネルの送信時間は、ラジオフレーム境界の開始が、対応するラジオフレーム境界のP−CCPCH開始よりもτecチップ後に生じるようになる。

为了确保在远程站处有最小处理时间，与 E-DCH(增强型专用信道 )或 E-DPDCH(E-DCH专用物理数据信道 )有关的 DL(下行链路 )专用物理控制信道的传输时间使得无线帧边界的开始比无线帧边界的相应 P-CCPCH开始晚出现τec个码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板（チップ）11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。

如图 3所示，根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18，以及负电压发生电路 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下の説明においては、本発明の実施形態が完全に理解されるように、プログラミング、ソフトウェア・モジュール、ユーザ選択、ネットワーク・トランザクション、データベース照会、データベース構造、ハードウェア・モジュール、ハードウェア回路、ハードウェア・チップなどの例のような多数の特定の細部が提供される。

在以下描述中，提供了众多特定细节，诸如，编程示例、软件模块、用户选择、网络事务、数据库查询、数据库结构、硬件模块、硬件电路、硬件芯片等，以提供对本发明实施方式的透彻理解。 - 中国語 特許翻訳例文集