「サンプリング点」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

矢印240は、ビット・シーケンスによって提供され得る受信のサンプリング点の一例である。

箭头 240为潜在的接收机采样点，该采样点可能由比特序列提供。 - 中国語 特許翻訳例文集

矢印250は、図2Bのデータ・セグメント220、222、224を受信する受信機のサンプリング点の一例を示す。

箭头 250所示为用于图 2B的数据段 220、222、224的潜在的接收机采样点。 - 中国語 特許翻訳例文集

接続ノードではないマスタノードにおいては、図17に示すPLL（Phase Locked Loop）発振器302が、波形データのサンプリング周波数（サンプリング周期の逆数）と同じ周波数の伝送用ワードクロック（WC）を生成し、送信時刻Tsを示す信号として、データ入出力部301に供給する。

在不是连接节点的主节点中，图 17中所示的 PLL(锁相环 )振荡器 402以与波形数据的采样频率 (采样周期的倒数 )相同的频率产生用于传输的字时钟 (WC)，并且将该用于传输的字时钟作为表示传输时刻 Ts的信号提供给数据输入 /输出模块 401。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、オーバーサンプリングされたストリーム（たとえば、SDMストリーム）中の所与の点の周りの連続するサンプルのセットの平均は、その点における基礎をなす信号のPCM値に対応する。

举例来说，过取样流 (例如，SDM流 )中的给定点周围的连续样本集合的平均值对应于所述点处的基础信号的 PCM值。 - 中国語 特許翻訳例文集

ある状況では、信号をオーバーサンプリングし、データポイントの一部のサブセットから高値および／または低値を取り除き、残りのデータポイントから移動平均を計算してもよい。

在一些情形中，希望过采样该信号和拒绝来自一些数据点子集的高和 /或低的值以及从剩余数据点计算滑动平均。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5（a）は、2倍オーバサンプリングで2電極MZ変調器を駆動した場合の光電界の複素平面上の遷移の軌跡を示しており、図中の黒丸がQPSKの信号点に対応する。

图 5(a)示出通过 2倍过采样 (over sampling)对双电极 MZ调制器进行了驱动的情况下的光电场的复数平面上的迁移的轨迹，图中的黑圈对应于 QPSK的信号点。 - 中国語 特許翻訳例文集

チップ又はシンボル毎に1つのサンプルでサンプリングされる信号サンプルでは、好ましい方法は、信号サンプルのブロック浮動小数点符号化である。

对于以每码片或每符号一个样本进行采样的信号样本，优选方法是对信号样本进行块浮点编码。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

この点に関して、スライサにより受信された各信号の複製はこのような装置によりサンプリングされ、そして電圧レベルまたは他の情報を送信機403に戻すために使用されてよい。

就此而言，由限幅器接收到的每个信号的副本可被这样的器件采样，并被用于反过来向发送器 403提供电压电平或其他信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

この図に破線及び一点鎖線の矢印で示すのがTLフレームの到達タイミングであるが、図16（a）から分かるように、カスケード接続の場合、1サンプリング周期に1つのTLフレームが、カスケードの両端のノードを除いては、時間差を置いて2回通過する。

在附图中，由虚线箭头和点划线箭头示出 TL帧的到达定时，并且在级联样式中，如图 16中 (a)所示，除了级联两端的节点之外，一个 TL帧在一个采样周期中经过每个节点两次，这两次之间具有时差。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしこの場合も、1サンプリング期間中に2回TLフレームを受信することはカスケード接続の場合と同様であるので、スレーブノードが1回目にTLフレームを受信する時刻を第1受信時刻Traとし、2回目にTLフレームを受信する時刻を第2受信時刻Trbとする。

但是，同样在该情况下，与在级联样式中一样，从节点在一个采样周期中接收 TL帧两次，并且因此该从节点第一次接收 TL帧的时间为第一接收时间 Tra，而该从节点第二次接收 TL帧的时间为第二接收时间 Trb。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

1Gbps（ギガビット・パー・セカンド）のイーサネット（登録商標）方式のデータ転送を採用すれば、例えばTLフレームのサイズを1282バイトとすると、TLフレーム100の時間長は、1ナノ秒×8ビット×1282バイト＝10．26μsecであり、1サンプリング周期内に伝送が完了する。

当采用 1Gbps(千兆位每秒 )的 Ethernet(注册商标 )系统传输数据时，(假设TL帧的大小为例如 1282字节 )所述 TL帧 100的时长为 1毫微秒×8位×1282字节＝10.26μsec，以使得在一个采样周期中完成来自主节点的 TL帧 100的传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

再サンプリングは効果的に、1つのフレームから次のフレームにオブジェクトの画素データを正規化し、これにより、ビデオ処理目的に対する計算および分析上の利点を有する、ビデオデータの中間形態を提供する。

重采样将对象像素数据从一个帧到下一帧有效地进行规范化，并且所得结果是提供视频数据的中间形式，所述中间形式对于处理目的而言具有计算和分析优势。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、接続ノードがブリッジ動作のためにTLフレームから波形データを読み出す時点で、そのTLフレームには、波形データを書き込んだ機器と接続ノードとの上流／下流の位置関係に応じて異なるサンプリング周期の波形データが書き込まれていることに注意が必要である。

在该事件中，应该注意，当连接点从 TL帧读取波形数据以用于桥接操作时，不同采样周期中的波形数据已写入 TL帧中，这取决于写入波形数据的装置与所述连接节点之间的上游 /下游位置关系。 - 中国語 特許翻訳例文集