「タングステンランプ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

この方法は、多重化方式に従う、可変スケジューリング期間（SP）における単一マルチキャストトランスポートチャネル（MCH）層に、複数のMTCHをマッピングするステップを、さらに含み、複数のMTCHからのトラフィックは、空白のTBへのパディング（padding）を低減するために、SPの複数のトランスポートブロック（TB）に割り当てられる。

所述方法还包括： 在可变调度期 (SP)内，根据复用方案，将所述多个 MTCH映射至单个多播传输信道 (MCH)层，其中，来自所述多个 MTCH的业务被分配给 SP的多个传输块 (TB)，以减少空 TB中的填充。 - 中国語 特許翻訳例文集

通常、個々のブレードサーバは、以下に限定されるわけではないが、ファイル共有、ファイル仮想化／ネットワーク記憶ファイル管理、ウェブページ提供、（ファイヤウォール、認証、クレデンシャル管理などの）ネットワークセキュリティ管理、キャッシング、トランスコーディング、ストリーミングメディア（ビデオ、オーディオ）、（ロードバランシング、フェイルオーバ管理、加速化／最適化などの）ネットワークトラフィック管理、及びバーチャルプライベートネットワークの設定を含む単一のタスク又はプロセスのためのものであるが、同時にこれらのタスクの1又はそれ以上の組み合わせを実行するように構成することもできる。

每一个刀片服务器通常专用于单个任务或处理，包括但不限于文件共享、文件虚拟化 /网络存储文件管理、网页提供、网络安全性管理 (例如，防火墙、认证、证书管理 )、高速缓冲、代码转换、流媒体 (视频、音频 )、网络流量管理 (例如，负载平衡、故障转移管理、加速 /优化 )、以及建立虚拟专用网，不过刀片服务器也可被配置为联合地执行这些任务的一个或多个组合。 - 中国語 特許翻訳例文集