「ダイオードトランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。

术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

同一画素列の2つの画素の信号を合成して読み出す動作においては、転送トランジスタ102−1〜104を同時にオン状態にすることによって、第1グループの画素行の画素と第2グループの画素行の画素から信号を同時に読み出すことができる。

在合成来自相同像素列中的两个像素的信号并且读取合成信号的操作中，可通过同时接通传输晶体管 102-1到 102-4来从第一组像素行中的像素和第二组像素行中的像素同时读取信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。

接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。

参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

この提示は、対応するフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12または12AおよびLED13または13Aと共に、対応するTXおよびRX回路32および33または32Aおよび33Aを準備して、単一またはデュアル光ファイバケーブル252を使用することおよび／または単一またはデュアルライトガイドケーブル252を使用すること含む。

这包括通过连同对应的光电二极管或光电晶体管12或 12A和 LED 13或 13A一起提供对应的 TX和 RX电路 32和 33或 32A和 33A来使用单个或两个光纤线缆 252和 /或使用单个或两个光导线缆 252。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。

光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集

次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。

接着，将参照图 7所示的时序图来描述当应用根据第二实施例的方法时像素 20和负载晶体管 31的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

調光器6M−2は、デュアルライトガイドまたは光ファイバ線252を介した制御回路（図示されず）との両方向通信をサポートし、TXドライバ33によって駆動されるTX13Aを介して確認および状態を供給され、フォトトランジスタまたはダイオード12Aを通してさらにRX回路32Aを介してオンオフおよび調光器レベル命令を受信するように図示されている。

调光器 6M-2被示出为支持经由双向光导或光纤线 252与控制电路（未示出）的双向通信，经由 TX 13A被馈送确认和状态，被 TX驱动器 33驱动，并通过光电晶体管或二极管 12A以及经由 RX电路 32接收开启 -关断和调光器电平命令。 - 中国語 特許翻訳例文集

ライトガイドケーブル端面は、自動ロック式プラスチックプラグ（図示されず）に貼り付けるか圧着することができ、または違った方法で、一般に使用される光ファイバケーブルの高精度コネクタを使用することなしに、図7E〜7Gおよび8A〜8Fに示されるようにLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aに付けることができる。

光导线缆端可以粘合或压接（crimp）到自锁定塑料插头（未示出）上，或者以其他方式附接到 LED 13A和到光电晶体管或二极管 12A，如图 7E-7G和图 8A-8F所示，而不用通常使用的光纤线缆的高精确连接器。 - 中国語 特許翻訳例文集

もちろん、そのような単一の一方向命令変換器は、電気器具を操作するためにTX回路33AおよびLED13Aだけを、または電気器具から状態またはデータを受信するためにRX回路32Aおよびフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12Aだけを持ち、さらに、図8Aに示された端子を通して有線ネットワークに接続される。

当然，这种单个单向命令转换器将仅具有用于操作设备的 TX电路 33A和 LED 13A，或者仅具有用于接收来自设备的状态或数据的 RX电路 32A和光电二极管或光电晶体管 12A，并且它们通过图 8A中所示的端子连接到其有线网络。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、CPUは、ゼロ交差のタイミング、接続されたトラベラ1または2、およびIRフォトトランジスタまたはフォトダイオード12を介しIR遠隔制御受信機32を通してCPU30に供給される受信命令オンまたはオフおよび所定の調光器レベルに基づいて、トリガパルスT1またはT2を生成することができる。

因此 CPU可以基于过零定时、所连接的移动器 1或 2、和经由 IR光电晶体管或光电二极管12通过 IR远程控制接收器 32馈送到 CPU 30的所接收到的命令开启或关断或者给定调光器电平来生成触发脉冲 T1或 T2。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力信号が高論理レベルの場合、第1のFET611はアクティブになり、出力605を3つのpMOSFET617、619、621（および追加トランジスタ部が使用されるかどうかに依存して可能性として他のnMOSFET）の共通ノード613に接続するだろう。

当输入信号为高逻辑电平时，第一 FET611将起作用并且将输出 605耦合到三个pMOSFET 617、619和621的公共节点613(并根据是否使用了额外的晶体管段而潜在地耦合到其他 nMOSFET)。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記した第2の実施の形態において、画像形成装置10のディスプレイ15は、図15に示すように、トラブルメッセージが表示されている画面（即ち、リモート操作メッセージ付きのトラブル画面110）と同一の画面上にリモート操作メッセージを表示するが、本発明はそのような構成に限定されず、画像形成装置10のディスプレイ15は、トラブルメッセージが表示されている画面と異なる画面上にリモート操作メッセージを表示する構成であってもよい。

此外，在上述第 2实施方式中，图像形成装置 10的显示器 15如图 15所示，在与显示有故障消息的画面 (即，带有遥控操作消息的故障画面 110)同一画面上显示遥控操作消息，但本发明并不限定于这样的结构，也可以是图像形成装置 10的显示器 15在与显示有故障消息的画面不同的画面上显示遥控操作消息的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第2の遮光画素920の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。

由于可以以这种方式将栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，因此与在感光像素 110中相比，可以更多地降低由第二遮光像素 920中的驱动晶体管Td1所生成的噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

ユーザとの対話を提供するため、本明細書で説明された主題の実施形態は、ユーザに情報を表示するための例えばCRT(ブラウン管)またはLCD(液晶表示)モニタなどの表示デバイスと、ユーザがそれによってコンピュータに入力を提供できるキーボードおよび例えばマウスまたはトラックボールなどのポインティングデバイスとを有するコンピュータ上で実施することができる。

为了提供与用户的交互，在本说明书中描述的主题的实施例可以被实现在计算机上，该计算机具有显示设备与键盘和指示设备，该显示设备例如是 CRT(阴极射线管 )或LCD(液晶显示器 )监控器，用于向用户显示信息，该键盘和指示设备例如是鼠标或跟踪球，通过其用户可以向计算机提供输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズム255は、組合せプリズムの半透明鏡表面コーティングによって作られた半透明鏡によって、受信された光またはIR信号をフォトトランジスタまたはダイオード12Aの表面に向けて偏向させ、さらに、伝送LED13Aの表面からの、可視スペクトルまたはIR信号の範囲内の伝送光を通過させる。

棱镜 255经由由组合棱镜的半透明反射镜表面涂层所构建的半透明反射镜将所接收到的光或 IR信号偏转到光电晶体管或二极管 12A的表面，并使来自发射 LED 13A表面的可见光谱或 IR信号内的透射光穿过。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、媒体アクセス制御機能は、そのプロセスに関する新しいフィードバックが受信されるまで各プロセスに関するHARQフィードバックを維持するように構成され、ストップ・アンド・ウエイト型HARQプロセスに対応するごく最近の前のHARQフィードバックがNACKメッセージであることを検出すると、この検出に応えて、トランスポートブロックの同期HARQ再送信を第2の送信間隔に自動的にスケジュールする。

在其它实施例中，媒体访问控制功能配置成保持每个过程的 HARQ反馈，直到接收到那个过程的新反馈为止，并检测对应于停止并等待 HARQ过程的最近先前 HARQ反馈是NACK消息，由此响应于所述检测，对于第二发射间隔自动调度传送块的同步 HARQ重发。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、図4に示すように、基準信号読み出し期間、最大値検出期間、最小値検出期間の順に動作を行うことで、出力線141の充放電を、負荷抵抗ではなく、トランジスタ116を流れるソース電流または119を流れるシンク電流によって行うことができる。

因此，如图 4所示，当以基准信号读取周期、最大值检测周期和最小值检测周期的次序执行操作时，不是通过负载电阻器而是通过流过晶体管 116的拉电流或流过晶体管 119的灌电流来对于输出线 141进行充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集