「ダイオード電圧」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

入射光量が少ないとき、破線で示したようにフォトダイオード21の電圧は高くなっており、FD部26への転送は発生しない。

当入射光的量较小时，光电二极管 21的电压高至虚线所示，并且没有发生到 FD区26的转移。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14では、フォトダイオード21のリセットから完全転送までの露光時間を約16msとして、最初の電圧Vtrg1による中間転送をフォトダイオード21のリセットから2ms後、2回目の電圧Vtrg2による中間転送を4ms後、3回目の中間転送を12ms後に実行した場合の、フォトダイオード21に残っている電子数を表している。

图 14表示在从光电二极管 21的复位到完全转移的曝光时间为大致 16ms的情形中，在通过第一电压 Vtrg1的中间转移比光电二极管 21的复位迟 2ms执行时，在通过第二电压 Vtrg2的中间转移比光电二极管 21的复位迟 4ms执行时，在第三次中间转移比光电二极管 21的复位迟 12ms执行时，分别在光电二极管 21中保留的电子的数量。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时，第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行のN個の画素部P1,1〜P1,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表すものである。

被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示第 1行的 N个像素部P1，1～ P1，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。

采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素CN 10201760291 AA 说 明 书 9/16页部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行および第2行の2N個の画素部P1,1〜P1,N，P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を列方向に加算した値を表すものである。

被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示将第 1行及第 2行的2N个像素部 P1，1～ P1，N、P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度往列方向进行合计的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。

采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部40Aは、第1撮像モードのときに、受光部10AにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

控制部40A在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10A中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部40Bは、第1撮像モードのときに、受光部10BにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

控制部 40B在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。

接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。 - 中国語 特許翻訳例文集

PPS方式の固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードを含むPPS型の画素部がM行N列に2次元配列された受光部を備え、各画素部において光入射に応じてフォトダイオードで発生した電荷を積分回路において容量素子に蓄積し、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力するものである。

PPS方式的固体摄像装置具备 PPS型的像素部呈 2维排列为M行 N列的受光部，在各像素部中，将对应于光入射而在光电二极管所产生的电荷在积分电路中储存于电容器，并输出对应于该储存电荷量的电压值，所述 PPS型的像素部系包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のようにして、第3行および第4行の2N個の画素部P3,1〜P3,N，P4,1〜P4,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を列方向に加算した値を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。

采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，而该电压值 Vout表示将第 3行及第 4行的 2N个像素部 P3，1～ P3， N、 P4，1～ P4， N的各个的光电二极管 PD中的受光强度往列方向进行合计后的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、制御部は、(a) 第1撮像モードのときに、受光部におけるM×N個の画素部P1,1〜PM,Nそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させ、(b) 第2撮像モードのときに、受光部における連続するM1行の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させる、ことを特徴とする。

进而，控制部的特征为 (a)在第 1摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，该电荷的量为在受光部中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管中所产生的电荷的量； 及 (b)在第 2摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，该电荷的量为在包含于受光部中呈连续的M1行的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部による制御の下、第1撮像モードのときには、受光部におけるM×N個の画素部P1,1〜PM,Nそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。

在由控制部的控制下，在第 1摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、第2撮像モードのときには、受光部における連続するM1行の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。

另一方面，在第 2摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，该电荷的量为在包含于受光部中呈连续的M1行的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、制御部40Aは、受光部10AにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,Nそれぞれのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値をフレームデータとして信号読出部20から繰り返し出力させる。

由此，控制部 40A将对应于电荷的量的电压值作为帧数据，而使信号读出部 20反复输出，所述电荷的量为在受光部 10A中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける連続するM1行の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

另外，控制部 40A在第 2摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部 10A中的呈连续的M1行的特定范围的各像素部Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、制御部40Bは、第2撮像モードのときに、受光部10Bにおける第1行から第M1行までの範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

另外，控制部 40B在第 2摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的从第 1行至第M1行为止的范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、第1実施形態の場合と同様の動作が行われて、受光部10BにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部20から出力される。

然后，进行与第 1实施方式的情况同样的动作，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、第2撮像モードのときに、第1行から第M1行までの範囲については、第1実施形態の場合と同様の動作が行われて、各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部20から出力される。

然后，在第 2摄像模式时，关于从第 1行至第M1行为止的范围，进行与第 1实施方式的情况相同的动作，使信号读出部 20输出对应于各像素部 Pm， n的光电二极管 PD所产生的电荷的量的电压值。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、第2撮像モードのときには、受光部における連続するM1行またはN1列の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部から出力される。

另一方面，在第 2摄像模式时，从信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部中呈连续的M1行或 N1列的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける連続するM1行またはN1列の特定範囲に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。

另外，控制部 40A在第 2摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部 10A中的呈连续的M1行或 N1列的特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、入射光が強いとき（B）は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。

而当入射光强时 (图 34B)，因为已经被光电转换的电子的量大，所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg，光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势，并且被部分转移到垂直 CCD 33。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、同じ様に画素（PD）信号もコンパレータで参照信号と比較し、コンパレータが反転した時間に入力されたクロック数を上記で述べたカウント初期値からカウントし、その画素カウント値(フォトダイオード電圧)を画素信号として取得する。

之后，同样地，像素 (PD)也在比较器与参照信号进行比较，从上述的计数初始值开始对比较器反转了的时间输入的时钟数进行计数，取得该像素计数值 (光电二极管电压 )，作为像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に係る固体撮像装置では、制御部は、第2撮像モードのときに、受光部におけるM行のうち信号読出部に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させるのが好適である。

本发明所涉及的固体摄像装置中，优选为控制部在第 2摄像模式时，从受光部中的M行内最接近信号读出部的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在此特定范围的各像素部Pm，n的光电二极管在所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10AにおけるM行のうち信号読出部20に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

控制部 40A在第 2摄像模式时，优选为从受光部 10A中的M行内最接近信号读出部 20的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようにすることにより、第n列読出用配線LO,nが断線している場合であっても、第2撮像モードのときに、上記特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から正常に出力させることができる確率が高くなる。

通过采取此方式，即使在第 n列读出用配线 LO，n断线的情况下，在第 2摄像模式时，也使信号读出部 20可正常输出对应于电荷的量的电压值的机率变高，所述电荷的量为上述特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

ところで、第1撮像モードと比べて少ない個数の画素部のデータを信号読出部20から出力させる他の撮像モードとして、受光部10Aにおける連続するN1列に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させることも考えられる。

再者，作为与第 1摄像模式相比较使信号读出部 20输出个数较少的像素部的数据的其它摄像模式，也可考虑使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部 10A中呈连续的 N1列的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に係る固体撮像装置では、制御部は、第2撮像モードのときに、受光部におけるM行のうち信号読出部に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させるのが好適である。

本发明所涉及的固体摄像装置中，优选为控制部在第 2摄像模式时，从受光部中的M行内最接近信号读出部的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在此特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管在所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このようにすることにより、第n列読出用配線LO,nが断線している場合であっても、第2撮像モードのときに、上記特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から正常に出力させることができる確率が高くなる。

通过采取此方式，即使在第 n列读出用配线 LO，n断线的情况下，在第 2摄像模式时，也使信号读出部 20可正常输出对应于电CN 10201761202 AA 说 明 书 7/17页荷的量的电压值的机率变高，所述电荷的量为上述特定范围的各像素部 Pm， n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

ところで、第1撮像モードと比べて少ない個数の画素部のデータを信号読出部20から出力させる他の撮像モードとして、受光部10Aにおける連続するN1列に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させてもよい。

再者，作为其它摄像模式，也可使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述其它摄像模式使信号读出部 20输出相比于第 1摄像模式个数较少的像素部的数据，所述电荷的量为包含于受光部 10A中呈连续的 N1列的各像素部 Pm， n的光电二极管PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、時刻T6乃至T7の期間の、VSL57における電圧レベルの変化が所定の閾値より大きい場合、ステップS15において、検出部27は、欠陥検出対象となっている画素（フォトダイオード51−1）の位置を示すアドレスを、欠陥画素のアドレスとして、アドレス記憶部28に供給し、記憶させる。

当在从时间 T6到时间 T7的时段期间 VSL 57的电压电平的改变因此大于预定阈值时，检测部分 27在步骤 S15为地址存储部分 28提供指示设为缺陷检测的目标的像素 (光电二极管 51-1)的位置的地址作为缺陷像素的地址，并且使得地址存储部分 28存储该地址。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図示するように、時刻t1の際、リセットパルスが立ち上がりフォトダイオードから画素リセット信号が垂直信号線VSLに送られた後、コンパレータ108でのリセット信号検出期間中一定の基準閾値電圧以下にならないように、クランプイネーブル信号を”H”にしておき、垂直信号線VSLの電位をクランプさせておく。

例如，如图所示，在时刻 t1时，在复位脉冲上升、并从光电二极管向垂直信号线VSL发送像素复位信号之后，将钳位启用信号设为“H”来钳住垂直信号线 VSL的电位，以便在比较器 108中的复位信号检测期间不会成为一定的基准阈值电压以下。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、図1に示されるように受光部10Aにおいて信号読出部20に最も近い行が第1行となっている場合に、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける第1行から第M1行までの範囲を上記特定範囲として、この特定範囲（第1行〜第M1行）の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

即，如图 1所示，如在受光部 10A中最接近信号读出部 20的行为第 1行的情况下，优选为控制部 40A在第 2摄像模式时，将从受光部 10A中的第 1行至第M1行为止的范围作为上述特定范围，使信号读出部20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围 (第 1行～第M1行 )的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、図1に示されるように受光部10Aにおいて信号読出部20に最も近い行が第1行となっている場合に、制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10Aにおける第1行から第M1行までの範囲を上記特定範囲として、この特定範囲（第1行〜第M1行）の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

即，如图 1所示，如在受光部 10A中最接近信号读出部 20的行为第 1行的情况下，优选为控制部 40A在第 2摄像模式时，将从受光部 10A中的第 1行至第M1行为止的范围作为上述特定范围，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围 (第 1行～第M1行 )的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集