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「ダイオード」を含む例文一覧
該当件数 : 178件
フォトダイオード20は、入射光をその光量に応じた信号電荷量に光電変換して蓄電する。
光电二极管 20将入射光光电变换为与该光量对应的信号电荷量并蓄电。
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E／O変換部23は、P／Sコンバータ22から入力されるシリアル信号に基づいてレーザダイオードを駆動する。
E/O转换器 23基于从 P/S转换器 22输入的串行信号来驱动激光二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集
O／E変換部24は、フォトダイオードを有し、光ファイバケーブル4から入力される光信号を電気信号へ変換する。
O/E转换器 24包括光电二极管，并且将从光纤线缆 4输入的光信号转换成电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
O／E変換部24は、フォトダイオードを有し、光ファイバケーブル4から入力される光信号を電気信号へ変換する。
O/E转换器 24包括光电二极管并且将从光纤线缆 4输入的光信号转换成电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図3】図3Aは第1アンテナスイッチにおいて、第1PINダイオードをオンにしたときの第1スイッチ回路の等価回路を示す図であり、図3Bは第1PINダイオードをオフにしたときの第1スイッチ回路の等価回路を示す図である。
图 3A是示出在第一 PIN二极管被接通时第一天线开关的第一开关电路的等效电路的图示，而图 3B是示出在第一 PIN二极管被关断时第一开关电路的等效电路的图示； - 中国語 特許翻訳例文集
【図4】図4Aは第1PINダイオードのオン時における中心周波数付近の第1スイッチ回路の等価回路を示す図であり、図4Bは第1PINダイオードのオフ時における中心周波数付近の第1スイッチ回路の等価回路を示す図である。
图 4A是示出在第一 PIN二极管被接通时第一开关电路在中心频率附近的等效电路的图示，而图 4B是示出在第一 PIN二极管被关断时第一开关电路在中心频率附近的等效电路的图示； - 中国語 特許翻訳例文集
【図11】図11Aは第4アンテナスイッチにおいて、第4PINダイオードをオンにしたときの第4スイッチ回路の等価回路を示す図であり、図11Bは第4PINダイオードをオフにしたときの第4スイッチ回路の等価回路を示す図である。
图 11A是示出在第四 PIN二极管被接通时第四天线开关的第四开关电路的等效电路的图示，而图 11B是示出在第四 PIN二极管被关断时第四开关电路的等效电路的图示； - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、図4（B）に示すように、期間t10で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t11で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。
具体地，如图 4B所示，在时段“t10”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t11”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。 - 中国語 特許翻訳例文集
命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。
命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集
単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。
在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集
フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。
光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。 - 中国語 特許翻訳例文集
ディスプレイ部130は、カラー表示管（CDT）、カラー受像管（CPT）、マルチメディア表示管（MDT）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイ（PDP）、有機発光ダイオード（OLED）又は発光ダイオード（LED）などの平板ディスプレイであって、使用説明書ファイル又は放送信号の画像信号を表示する。
以平板显示器的形式 (诸如，彩色显示管 (CDT)、彩色显像管 (CPT)、多媒体显示管(MDT)、LCD、PDP、OLED或 LED)来准备显示单元 130，并且显示单元 130显示广播信号的手册文件或图像信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。
因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集
従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。
因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集
PPS方式の固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードを含むPPS型の画素部がM行N列に2次元配列された受光部を備え、各画素部において光入射に応じてフォトダイオードで発生した電荷を積分回路において容量素子に蓄積し、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力するものである。
PPS方式的固体摄像装置具备 PPS型的像素部呈 2维排列为M行 N列的受光部，在各像素部中，将对应于光入射而在光电二极管所产生的电荷在积分电路中储存于电容器，并输出对应于该储存电荷量的电压值，所述 PPS型的像素部系包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集
ここで、オン抵抗Roは、一般に1オーム程度あるいはそれ以下であり、Ro＜＜2πfoLaとできるため、第1PINダイオード28aのオン時における中心周波数fo付近の等価回路は図4Aのように表すことができ、第1PINダイオード28aのオフ時における中心周波数fo付近の等価回路は図4Bのように表すことができる。
由于导通电阻 Ro可以被表达为 Ro＜＜ 2πfoLa，当第一 PIN二极管 28a被接通时，第一开关电路 22a在中心频率 fo附近可以由图 4A所示的等效电路表示； 并且当第一 PIN二极管 28a被关断时，在中心频率 fo附近可以由图 4B所示的等效电路表示。 - 中国語 特許翻訳例文集
従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。
因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集
上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。
相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集
この場合も、第1並列共振回路26aの第1インダクタ30a及び第3並列共振回路26cの第3インダクタ30cの各定数を調整して、第1PINダイオード28aのオフ時の第1並列共振回路26aの共振周波数と、第3PINダイオード28cのオフ時の第3並列共振回路26cの共振周波数と、第3アンテナスイッチ10Cの中心周波数とが同じになるようにしている。
此外在这种情况下，调节第一并联谐振电路 26a的第一电感器 30a和第三并联谐振电路 26c的第三电感器 30c的常数的每个以使在第一 PIN二极管 28a被关断时第一并联谐振电路 26a的谐振频率和在第三 PIN二极管 28c被关断时第三并联谐振电路 26c的谐振频率与第三天线开关 10C的中心频率均衡。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、第2並列共振回路26bの第2インダクタ30b及び第4並列共振回路26dの第4インダクタ30dの各定数を調整して、第2PINダイオード28bのオフ時の第1並列共振回路26aの共振周波数と、第4PINダイオード28dのオフ時の第4並列共振回路26dの共振周波数と、第3アンテナスイッチ10Cの中心周波数とが同じになるようにしている。
类似地，调节第二并联谐振电路 26b的第二电感器 30b和第四并联谐振电路 26d的第四电感器 30d的常数的每个以使在第二 PIN二极管 28b被关断时第一并联谐振电路26a的谐振频率和在第四 PIN二极管 28d被关断时第四并联谐振电路 26d的谐振频率与第三天线开关 10C的中心频率均衡。 - 中国語 特許翻訳例文集
すなわち、送信端子16とアンテナ接続端子14間に接続された第1λ／4信号伝送路18a及び第3λ／4信号伝送路18cと、第1λ／4信号伝送路18aに対して並列に接続された第1PINダイオード28aによる第1スイッチ回路22aと、第3λ／4信号伝送路18cに対して並列に接続された第3PINダイオード28cによる第3スイッチ回路22cとを有する。
第七天线开关 10G具有连接在传输端子 16和天线连接端子 14之间的第一λ/4信号传输线 18a和第三λ/4信号传输线 18c、与第一λ/4信号传输线 18a并联连接的第一 PIN二极管 28a的第一开关电路 22a、以及与第三λ/4信号传输线 18c并联连接的第三PIN二极管 28c的第三开关电路 22c。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、受信端子20とアンテナ接続端子14間に接続された第2λ／4信号伝送路18b及び第4λ／4信号伝送路18dと、第2λ／4信号伝送路18bに対して並列に接続された第2PINダイオード28bによる第2スイッチ回路22bと、第4λ／4信号伝送路18dに対して並列に接続された第4PINダイオード28dによる第4スイッチ回路22dとを有する。
类似地，第七天线开关 10G具有连接在接收端子 20和天线连接端子 14之间的第二λ/4信号传输线 18b和第四λ/4信号传输线 18d、与第二λ/4信号传输线 18b并联连接的第二 PIN二极管 28b的第二开关电路 22b、以及与第四λ/4信号传输线 18d并联连接的第四 PIN二极管 28d的第四开关电路 22d。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1に示す画素回路構成の単位画素20が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサ10では、一般的に、図4（A）に示すように、期間t1で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t2で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。
在 CMOS图像传感器 10(其中，包括图 1所示的像素电路配置的单元像素 20以矩阵形式排列 )中，一般如图 4A所示，在时段“t1”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t2”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。
参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。 - 中国語 特許翻訳例文集
転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。
传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集
書込み処理部22は、図1の感光体ドラム26に静電潜像を形成するために、伸長後の画像データD1に基づいてプリンター部24のレーザーダイオード41を駆動する。
写入处理单元 22基于解压后的图像数据 D1而驱动打印机单元 24的激光二极管 41，以便在图 1的感光鼓 26上形成静电潜像。 - 中国語 特許翻訳例文集
レーザーダイオード41は、書込み処理部22に接続され、画像データD1に基づいて所定の強度のレーザー光を感光体ドラム26に向けて出射する。
激光二极管 41连接到写入处理单元 22，基于图像数据D1，CN 10201422374 AA 说 明 书 8/17页将规定的强度的激光射向感光鼓 26。 - 中国語 特許翻訳例文集
プリンター制御部43は、画像制御CPU5に接続され、シリアル通信線を介して画像制御CPU5から転送されてくるプリント制御信号S43を入力してレーザーダイオード41及びプリンター部24を制御する。
打印机控制单元 43连接到图像控制 CPU5，通过串行通信线路输入从图像控制CPU5传送来的打印控制信号 S43，从而控制激光二极管 41及打印机单元 24。 - 中国語 特許翻訳例文集
プリンター部24では、レーザーダイオード41から出射されたレーザー光が感光体ドラム26に照射されて静電潜像を形成するようになる。
在打印机单元 24，从激光二极管 41射出的激光照射到感光鼓 26而形成静电潜像。 - 中国語 特許翻訳例文集
制御部40Aは、第1撮像モードのときに、受光部10AにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。
控制部40A在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10A中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集
この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行のN個の画素部P1,1〜P1,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表すものである。
被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示第 1行的 N个像素部P1，1～ P1，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集
以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。
采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素CN 10201760291 AA 说 明 书 9/16页部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集
制御部40Bは、第1撮像モードのときに、受光部10BにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。
控制部 40B在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集
この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行および第2行の2N個の画素部P1,1〜P1,N，P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を列方向に加算した値を表すものである。
被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示将第 1行及第 2行的2N个像素部 P1，1～ P1，N、P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度往列方向进行合计的值。 - 中国語 特許翻訳例文集
以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。
采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集
光電子変換器を、p-n接合またはp-i-n接合フォトダイオードなどの光検出器、または、他の任意の適切な光信号−電気信号変換器とすることができる。
这些光电子转换器可以是光电检测器，例如 p-n结或者 p-i-n结光电二极管，或者任何其他适当的光学信号 -电信号转换器。 - 中国語 特許翻訳例文集
表示器205は、CPU201による制御に従って種々の情報を表示する表示手段であり、例えば、液晶ディスプレイ（LCD）や発光ダイオード（LED）によって構成することができる。
所述显示装置 205是用于根据 CUP 201的控制来显示各种信息的显示装置，并且可以由例如液晶显示器 (LCD)、发光二极管 (LED)等组成。 - 中国語 特許翻訳例文集
別の実施の形態によれば、印刷エンジン140は、レーザ光の代わりに発光ダイオード（LED）により感光体ドラム上に照射するLEDプリンタ又は他のタイプのプリンタであってもよい。
根据另一示例性实施例，替代激光或其他类型的打印机，打印机引擎 140可以为通过 LED(发光二极管 )而照射到感光器鼓上的 LED打印机。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図1B】図1Bは、本発明の実施形態に従って、地面に対して実質的に垂直な縦列に配列されるフォトダイオード群を有するローリングシャッターCMOSセンサーを含むカメラを示す概略図を含む。
图 1B包括示意根据本发明的一个实施例的、具有滚动快门 CMOS传感器的照相机的图表，该滚动快门 CMOS传感器带有成组的、基本垂直于地面而成列布置的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集
カメラ305および304の両方は、図1Bについて述べられる通り、（対象空間における）最後部のフォトダイオードを露光することによって開始し、前方へスキャンする。
照相机 305和 304这两者通过曝光最后的光电二极管列 (在对象空间中 )而开始并且向前扫描，如关于图 1B描述的。 - 中国語 特許翻訳例文集
この画素204の配置は、Xの印が付けられた光学中心を有し、水平方向及び垂直方向に規則的間隔で並べられたフォトダイオードを与える。
此像素204布局在水平及垂直方向上提供规则间隔的光电二极管，其中其光学中心由 X标记。 - 中国語 特許翻訳例文集
この規則的間隔で並べられたフォトダイオードは、斜めに入射する光に対して、光学的な対称性を維持するために重要である。
所述规则间隔的光电二极管对于维持以一角度入射的光的光学对称性来说是重要的。 - 中国語 特許翻訳例文集
この画素304の配置は、Xの印が付けられた光学中心を有し、水平方向及び垂直方向に規則的間隔で並べられたフォトダイオードを与える。
此像素 304布局在水平及垂直方向上提供规则间隔的光电二极管，其中其光学中心由X标记。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図1】タップされた光WDM信号の全てのチャネルが、単一のフォトダイオードを使用して電気的に変換される、例示的な波長トラッカシステムのブロック図である。
图 1是示例性波长跟踪器系统的框图，其中抽头的光 WDM信号的所有通道使用单个光电二极管进行电转换。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3において、カラム方向に互いに隣接する2個の画素PXでは、半導体基板SB1に拡散層DF1が形成されることでフォトダイオードPD1、PD1´が構成されている。
在图 3中，在列方向上相互邻接的两个像素 PX中，通过在半导体基板 SB1上形成扩散层 DF1而构成光电二极管 PD1、PD1′。 - 中国語 特許翻訳例文集
図4において、カラム方向に互いに隣接する3個の画素PXでは、半導体基板SB2に拡散層DF2が形成されることでフォトダイオードPD2、PD2´、PD2´´が構成されている。
在图 4中，在沿列方向相互邻接的 3个像素 PX中，通过在半导体基板 SB2上形成扩散层 DF2而构成光电二极管 PD2、PD2′、PD2″。 - 中国語 特許翻訳例文集
光通信部12Aは、発光部としてレーザダイオード（LD）等の発光素子を有し、A／D変換部11Aから出力される電気信号に基づき変調した光信号を出力する。
光通信单元 12A包括作为发光单元的发光元件(如，激光二极管 (LD))，并输出已经根据从 A/D转换器 11A输出的电信号而调制的光信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。
光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集
これは、フォトダイオード51−1において短時間で成長する欠陥が生じて、本来FD53に転送される電荷量を超えた電荷量がFD53に転送されることで発生する。
这出现在当短时间中缺陷增长在光电二极管 51-1中出现、并且超过正常传送到 FD 53的电荷量的电荷量传送到 FD 53时。 - 中国語 特許翻訳例文集
この撮像素子102は、レンズ1010により集光された光を、画素を構成するフォトダイオードで受光して光電変換することで、光の量を電荷量としてアナログ処理部103へ出力する。
该摄像元件102通过构成像素的光电二极管来接收通过镜头 1010而会聚的光并进行光电转换，从而将光量作为电荷量输出给模拟处理部 103。 - 中国語 特許翻訳例文集
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