「ディフュージョン」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

203 フローティング・ディフュージョン

203 浮动扩散部 - 中国語 特許翻訳例文集

303 フローティング・ディフュージョン

303 浮动扩散部 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフュージョン（以下FDと呼ぶ）304a〜304cは、光信号電荷をFD電位に転換する。

FD304a至 FD 304c将光信号转换为 FD电位。 - 中国語 特許翻訳例文集

1．第1の実施の形態（フローティングディフュージョンに欠陥がある場合の欠陥検出）

1.第一实施例 (当浮置扩散具有缺陷时的缺陷检测 ) - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】フローティングディフュージョンの共有について説明する図である。

图 5是解释共享的浮置扩散节点的示图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図6は、フローティングディフュージョンの降圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 6是说明浮动扩散层的降压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、フローティングディフュージョンの昇圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 4是说明浮动扩散层的升压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6は、フローティングディフュージョンの降圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 6是说明浮动扩散层的降压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

4つの転送ゲート207乃至210は、フローティング・ディフュージョン203に関して対称的に配置されている。

四个传送栅极 207到 210对称地布置在浮动扩散部 203周围。 - 中国語 特許翻訳例文集

4つの転送ゲート307乃至310は、フローティング・ディフュージョン303に関して対称的に配置されている。

四个传送栅极 307到 310对称地布置在浮动扩散部 303周围。 - 中国語 特許翻訳例文集

これは、光学的な左右非対称を取り込んでしまうが、フローティング・ディフュージョン線315の幅を広くすることによって軽減されうる。

此确实引入可通过使得浮动扩散部导线 315较宽而减轻的光学左右不对称性。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3の上から1乃至4番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から5，6番目には、フローティングディフュージョン（FD）53および垂直信号線（VSL）57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。

驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST从图 3的顶部起以第一到第四的顺序示出。 在浮置扩散 (FD)53和垂直信号线 (VSL)57的电压的电压电平从图 3的顶部起分别在第五和第六示出。 - 中国語 特許翻訳例文集

上書きモード（図7（a））においては、CCDメモリ80内を1周した信号電荷は、最終転送段82から読み出しゲート91をオンすることによって、フローティングディフュージョンアンプ92で電気信号として検知、増幅され、読み出し回路93を用いて読み出される。

在覆盖模式 (图 7A)中，通过接通读出门 91，将在 CCD存储器 80中被传输了一圈的信号电荷作为电信号用浮动扩散放大器 92检测并放大，并用读出电路 93从最终传输段82读出。 - 中国語 特許翻訳例文集