「トランジスタモータ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

また、データ通信回路321，322，…，32nも、図6に示した補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

而且，数据通信电路 321、322、…、32n也可以还具备图 6所示的辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、データ通信回路22も、補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

同样，数据通信电路 22也可以还具备辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

PSAVEはモード切替用のトランジスタ204に供給されるパルスである。

向模式切换晶体管 204供给脉冲“PSAVE”。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2のように、データ通信回路11は、補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

如图 2所示，数据通信电路 11可以还具备辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6のように、データ通信回路21は、補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

如图 6所示，数据通信电路 21可以还具备辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、L3およびL4ならびに対応するトランジスタは、低直線性受信モードで使用されてよい。

另外，L3及 L4以及对应晶体管可用于低线性接收模式中。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103は、上述したトランスコードの変換体系（その中に含まれる各クリップの素性）を表すファミリーツリー（FT）等をモニタに表示する等して、ユーザに提示する。

即，远程客户端 103通过将表示上述的转码的转换体系 (包含在其中的各剪辑的来历 )的家谱树 (FT)等显示在监视器上等来向用户进行提示。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作例4も、3トランジスタ構成の画素回路の単位画素を持つCMOSイメージセンサの場合の動作例である。

操作实例 4也是在 CMOS图像传感器具有包括三个晶体管的像素电路的像素的情况下的实例。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、ストライプの第1シーケンス中のデータ要素番号Nが、ストライプの第2シーケンス中のデータ要素番号Nと同じ水平位置を持つように、シーケンスが水平方向に位置合わせされることができる。

在这种情况下，这些序列可以水平对准，使得第一条纹序列中的数据元素号 N与第二条纹序列中的数据元素号 N具有相同的水平位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、読み出しトランジスタREADTrのゲートに読み出しパルス（READパルス）を与え、画素（PD）信号も同様にAD変換をする。

之后，向读取晶体管 READTr的栅极赋予读取脉冲 (READ脉冲 )，对于像素 (PD)信号也同样进行模数变换。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

分支设备、复合宿设备以及具有多传输的任何设备上都可支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

可在分支设备、复合宿设备和具有多传输的任何设备上支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示されるように、リモートクライアント103−1は、ユーザがマルチフォーマットトランスコーダ101を制御するためのGUIを表示する機能であるクライアントGUI（Client GUI）411−1と、マルチフォーマットトランスコーダ101との通信機能であるSOAPインタフェース（SOAP i/f）412−1を有している。

如图 6所示，远程客户端 103-1具有用于显示用户控制多格式转码器 101的 GUI功能的客户端 (Client GUI)411-1，以及起到与多格式转码器 101进行通信作用的 SOAP接口 (SOAP i/f)412-1。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。

并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画像モニタリング装置20側では、リモート操作によりトラブルシミュレーションの実行を指示したと判別すると（図14BのステップP42でYes）、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、ディスプレイ28に、図16に示すようなトラブルメッセージとシミュレーション情報を同一画面（トラブルメッセージ付きシミュレーション情報画面120）上に表示する（図14BのステップP43）。

然后，在图像监控装置 20侧，当判别为通过遥控操作指示了故障模拟的执行时(在图 14B的步骤 S42为“是”)，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在显示器 28中，在同一画面 (带有故障消息的模拟信息画面 120)上显示图 16所示那样的故障消息和模拟信息(图 14B的步骤 P43)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置10側では、リモート操作によりトラブルシミュレーションの実行が指示されたと判別すると（図14AのステップS43でYes）、ディスプレイコントローラ14が、CPU11の指示に基づいて、ディスプレイ15に、図15に示すようなトラブルメッセージとリモート操作メッセージと（リモート操作メッセージ付きトラブル画面110）を表示する（図14AのステップS44）。

在图像形成装置 10侧，当判别为通过遥控操作指示了故障模拟的执行时 (在图14A的步骤 S43为“是”)，显示控制器 14基于 CPU11的指示，在显示器 15中显示图 15所示那样的故障消息和遥控操作消息 (带有遥控操作消息的故障画面 110)(图 14A的步骤S44)。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像モニタリング装置20のディスプレイ28上にトラブルメッセージ（操作パネルアイコン50付きのトラブル画面70）を表示した状態で、トラブル画面70上に表示された操作パネルアイコン50を使用したリモート操作により、トラブルシミュレーションが実行されると、画像形成装置10のディスプレイ15において、トラブルメッセージの表示を継続する一方、画像モニタリング装置20のディスプレイ28に、画像形成装置10のトラブルに関するシミュレーション情報（操作パネルアイコン50付きのシミュレーション情報画面80）を表示する。

在图像监控装置 20的显示器 28上显示了故障消息 (带有操作面板图标 50的故障画面 70)的状态下，当通过使用了在故障画面 70上显示的操作面板图标 50的遥控操作，执行故障模拟时，在图像形成装置 10的显示器 15中，继续故障消息的显示，另一方面，在图像监控装置 20的显示器 28中，显示与图像形成装置10的故障相关的模拟信息 (带有操作面板图标 50的模拟信息画面 80)。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御装置はこれらLED122およびオーディオトランスデューサ124を使用して、コードエントリモジュール103の状態をユーザ101に信号で知らせると共に管理プロセスを指示する。

LED 122和音频变换器124由控制器使用来发出信号，向用户101表明代码入口模块 103的状态并指引管理过程。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、デバイスがユーザインタフェース（例えば液晶ディスプレイ（LCD）パネル）を有する場合、レジストラ構成モードおよびエンローリー構成モードの間で選択を行うオプションは、LCDパネル上のプロンプトとしてユーザに提示される。

例如，如果装置设有用户接口，例如，液晶显示器 (LCD)面板，则在 LCD面板上向用户提示用于在登记者模式的配置和加入者模式的配置之间进行选择的选项。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103が、以上のようなFT用GUI画像430を表示することにより、ユーザは、例えば、トランスコードに関してあるクリップと関連する所望のクリップを容易に検索し、選択することができる。

即，通过远程客户端 103显示如上所示的用于 FT的 GUI图像 430，用户能够容易地检索并选择例如与涉及转码的剪辑有关的希望的剪辑。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置10側では、トレイのリフトアップトラブルを検出すると、トラブル処理を開始し、CPU11が、インターフェイス12を介してトラブル発生信号を画像モニタリング装置20に対して送信し（図6AのステップS20）、ディスプレイコントローラ14が、CPU11の指示に基づいて、ディスプレイ15上に図7に示すようなトラブルメッセージ（トラブル画面60）を表示する（図6AのステップS21）。

在图像形成装置 10侧，当检测到托盘的抬升故障时，开始故障处理，CPU11经由接口 12将故障发生信号向图像监控装置 20发送 (图 6A的步骤 S20)，显示控制器 14基于CPU11的指示，在显示器 15上显示图 7所示那样的故障消息 (故障画面 60)(图 6A的步骤S21)。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

ロック指示は、このトラフィックを予期する1つまたは複数のクライアント層MEPへのデータトラフィック転送の間接的な中断をもたらすことができるサーバ層MEPの管理的ロックを指示するために使用される機能である。

锁定指示是这样一种功能，该功能用于指示出可导致向期待数据业务的一个或多个客户端层 MEP转发的数据业务发生相应中断的服务器层 MEP管理锁定。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。 - 中国語 特許翻訳例文集

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、ジャムトラブル発生時に表示するシミュレーション情報は、用紙の搬送経路に配されたセンサのオンオフ状態を示すものであってもよい。

例如，在卡纸故障发生时显示的模拟信息，也可以是表示在纸张的搬送路径配置的传感器的接通断开状态的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集