「トランジスタ化した」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。

另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。

也就是说，当在步骤 S34确定，当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时，处理跳过步骤 S35，并且进行到步骤 S36。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示されたプリズム255をLED、フォトトランジスタおよびライトガイドよりも遥かに大きな大型プリズムとして組み立てるために、多くの異なる技術を利用することができるが、実際には、一方の端面によく知られた偏光コーティングのある小さなプラスチック成形構造を使用することができおよびそのようなコーティングされたプラスチック構造化プリズムが、本発明の好ましい実施形態で使用される。

许多不同技术可以应用于把在图 3中示为大棱镜的棱镜 255构成远大于 LED、光电晶体管和光导，但实际上可以使用在一端具有众所周知的极化涂层的小塑料模制结构，并且这种涂覆的塑料结构棱镜被用在本发明的优选实施例中。 - 中国語 特許翻訳例文集

装置100に関して説明される、該機能ブロックの内の1又は複数及び／又は該機能ブロックの内の1又は複数の組合せは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（field programmable gate array）（FPGA）若しくは他のプログラム可能な論理デバイス、ディスクリート・ゲート若しくはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウェア・コンポーネント、又は本明細書記載の諸機能を実行するために設計されたそれ等の任意の適切な組合せ、として具現化されることが出来る。

结合设备 100描述的一个或多个功能块和 /或功能块的一种或多种组合可实现为通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程的逻辑设备、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或设计为执行本文所述功能的任何适当的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集