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「トラン」を含む例文一覧
該当件数 : 1755件
また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”,“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。
而且,由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”,所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”,“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。
同样,由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”,所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、電圧緩和トランジスタ202p,202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p,202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。
而且,由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”,所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、選択トランジスタTr4のソースを列信号線VSLと接続しないことで、増幅トランジスタTr3から列信号線VSLへ誤って信号が出力されないようにしている。
选择晶体管Tr4的源极不连接到列信号线VSL,以防止来自放大晶体管Tr3的信号错误地输出到列信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集
システムは、情報を格納し、トランシーバに電気的に接続されたときにトランシーバ回路と通信するように構成された、コネクタRFIDタグを有する光ファイバコネクタも備える。
该系统还包括具有连接器 RFID标签的光纤连接器,该连接器 RFID标签被配置成存储信息并在与收发机电气连接时与收发机电路通信。 - 中国語 特許翻訳例文集
システムは、トランシーバRFIDタグ信号を引きだし、トランシーバRFIDタグ信号に収められた情報を格納するように構成された、リーダー信号をつくるように適合されたRFリーダーも備える。
该系统还包括 RF读取器,该 RF读取器被适配成生成读取器信号,该读取器信号引出收发机 RFID标签信号并配置成存储包含在收发机 RFID标签信号中的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図3】図3は、トランシーバ回路がトランシーバ光エレクトロニクスに接続されたメモリユニットを有する一実施形態例を示す、図2と同様の略図である。
图 3是与图 2类似的示意图,其示出收发机电路包括连接到收发机光电器件的存储器单元的示例性实施例; - 中国語 特許翻訳例文集
【図6B】図6Bは、トランシーバRFIDタグがトランシーバ回路を個別のICチップではなく、一集積回路(IC)チップとして有することを除き、図6Aと同様である。
图 6B与图 6A相似,除了收发机 RFID标签包括作为集成电路 (IC)芯片而非分立IC芯片的收发机电路。 - 中国語 特許翻訳例文集
以下でさらに詳細に論じられるように、SFPトランシーバ10に接続されている(またはSFPトランシーバ10のホストになっている)として、エレクトロニクス装置400も示される。
电子设备 400也被图示为连接到 SFP收发机 10(或作为其主机 ),如下文中更详细说明的那样。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態例において、トランシーバ回路90は既存のICチップ(例えば受信器光エレクトロニクス38の一部)をトランシーバ10内に有する。
在一示例性实施例中,收发机电路 90包括收发机 10中已有的 IC芯片 (例如收发机光电器件 38的一部分 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
別の実施形態例において、トランシーバ回路90は、以下で説明される、情報収集及びチップ間通信の能力をさらに与えるためにトランシーバ10に加えられる。
在另一示例性实施例中,收发机电路 90被追加至收发机 10以提供下述的额外信息采集和芯片间通信能力。 - 中国語 特許翻訳例文集
これにより、コネクタ200の受信光ファイバ210R及び送信光ファイバ210Tがそれぞれのトランシーバ10側の相手60R及び60Tに光結合され、よってコネクタとトランシーバの間の光接続が確立される。
这使连接器 200中的接收和发送光纤 210R和 210T光学连接到其收发机 10的对应方 60R、60T,由此建立连接器和收发机之间的光学连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、RFIDタグの電気コネクタ254A及び254Bはそれぞれのトランシーバ側の相手30A及び30Bと電気的に接続し、よってRICチップ280とトランシーバ回路90の間の電気的接続が確立される。
同样,RFID标签电触点 254A、254B电连接到其收发机对应方 30A、30B,由此建立 RIC芯片 280和收发机电路 90之间的电连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
特に、EICメモリチップ426は格納されたエレクトロニクス装置情報をトランシーバ回路90に通信するように構成され、トランシーバ回路90もチップ-チップ間通信に対して構成される。
具体地说,EIC存储器芯片 426被配置成向收发机电路 90传送所存储的电子设备信息,收发机电路 90也被配置成用于芯片至芯片通信。 - 中国語 特許翻訳例文集
以下でさらに詳細に論じられる実施形態例において、トランシーバ回路10内のトランシーバ格納情報はEICメモリチップ426に通信される。
在下文中更详细讨论的示例性实施例中,将收发机电路 90中的收发机存储的信息传送给 EIC存储器芯片 426。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態例において、トランシーバ10へのエレクトロニクス装置情報の通信は、トランシーバ10がエレクトロニクス装置400に電気的に接続されたときに、自動的に行われる。
在一示例性实施例中,当收发机电连接到电子设备 400时,电子设备信息向收发机 10的传送自动发生。 - 中国語 特許翻訳例文集
別の実施形態例において、トランシーバ回路90は、トランシーバがエレクトロニクス装置400に初めて接続されたときに行われる初期情報転送の後、周期的に情報の通信を開始するように構成される。
在另一示例性实施例中,收发机电路 90被配置成在收发机第一次连接到电子设备 400时发生的最初信息传输之后定期地发起信息通信。 - 中国語 特許翻訳例文集
さらに、コネクタ200がトランシーバ10に接続されると、RICチップ280からのコネクタ情報をトランシーバ回路90に通信することができ、次いでタグ信号ST2によってRFリーダー300に通信することができる。
此外,一旦连接器 200连接到收发机 10,来自 RIC芯片 280的连接器信息就可被传送至收发机电路 90并随后藉由标签信号 ST2被传送至 RF读取器 300。 - 中国語 特許翻訳例文集
ハウジング620は、試験装置600とトランシーバ10の間の接続を容易にするために、トランシーバの受信光ポート24R及び送信光ポート24Tにそれぞれが嵌合する、「ダミー」プラグ端212R及び212Tを有することができる。
外壳 620可包括“假 (dummy)”插头端 212R、212T,它们配合于各个收发机接收和发送光学端口 24R、24T以利于在便携式测试设备 600和收发机 10之间形成连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
上述した近くのコネクタ200は次いで、携帯型試験装置600がトランシーバ10から切り離されると、そのトランシーバ10に接続させることができる。
一旦便携式测试设备 600从收发机断开,前述的附近的连接器 200则可被连接到收发机 10。 - 中国語 特許翻訳例文集
著作権がこのようなトランスコーディングを許可すると仮定すると、セッションマネージャ74は、トランスコードセッション開始要求を、メディアアダプタ84に対して開始する(ステップ418)。
假设许可权利允许此类转码,则会话管理器 74启动到媒体适配器 84的转码会话设立请求 (步骤 418)。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。
更具体地说,在图 4中,图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极,这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集
アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源(電圧VDD)26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。
地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接,源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接,栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。
地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制,在被行选择后导通的期间,放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。 - 中国語 特許翻訳例文集
但し、このときのFD25の電圧は増幅トランジスタ23の閾値以下であるから、増幅トランジスタ23はソースフォロワ回路動作の開始をスタンバイしている状態になる。
但是,由于此时的 FD25的电压为放大晶体管 23的阈值以下,放大晶体管 23成为准备开始源极跟踪器电路动作的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集
単位画素2aでは、増幅トランジスタ23はオンしているが、アドレストランジスタ24が選択解除によりオフしたので、ドレイン端子が電源から切り離された状態となる。
在单位像素 2a中,虽然放大晶体管 23导通,但由于地址晶体管 24基于选择解除而被截止,因此漏极端子成为从电源被切断的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、PMOSトランジスタ60,66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61,67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号(/列選択信号)が入力される。
另外,源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
図3に示したように、ゼロ挿入力(ZIF)トランシーバ320またはこれに類するもののような一体型トランシーバの形態で、LNA306、復調器310、変調器312は備えられていてもよい。
如图 3中所示的,LNA 306、解调器 310和调制器 312可以诸如零插入力 (ZIF)收发机 320等集成收发机的形式被包括。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、900MHz送信信号を、トランシーバ502によってPA518の入力端子に提供してもよく、および/または、1800MHz送信信号を、トランシーバ502によってPA520の入力端子に提供してもよい。
例如,900MHz发射信号可由收发机 502提供给 PA 518的输入端,和 /或 1800MHz发射信号可由收发机 502提供给 PA520的输入端。 - 中国語 特許翻訳例文集
RFフロントエンド600は、トランシーバ602(例えば、RFIC、または、これに類するもの)を備えていてもよく、トランシーバ602(例えば、RFIC、または、これに類するもの)は、送信信号を生成させ、受信信号を処理するように適合されていてもよい。
RF前端 600可包括收发机 602(例如,RFIC等 ),该收发机可适于产生发射信号以及处理收到信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
実施形態に従って、無線ネットワークトランシーバ104は、ブルートゥーストランシーバ106が送信中である場合には、無線ネットワークトランシーバ104によって受信される信号に送信アクティブ時ノイズ相殺行列を適用し、ブルートゥーストランシーバ106が送信中でない場合には、無線ネットワークトランシーバ104によって受信される信号に送信非アクティブ時ノイズ相殺行列を適用する。
按照实施例,无线网络收发器 104将发送有效噪声消除矩阵应用于当蓝牙收发器106正在发送时无线网络收发器 104所接收的信号,将发送无效噪声消除矩阵应用于当蓝牙收发器 106未发送时无线网络收发器 104所接收的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
実施形態で、ブルートゥーストランシーバ106が送信中であり且つ無線ネットワークトランシーバ104が受信中であるときにブルートゥーストランシーバ106と無線ネットワークトランシーバ104との間により大きな分離がある場合、又はブルートゥーストランシーバ106の送信電力レベルが低い(例えば、0dBm)場合、フロントエンドの飽和又は圧縮はあまり問題とならず、OOB干渉が優勢となりうる。
在实施例中,当蓝牙收发器 106正在发送并且无线网络收发器 104正在接收时蓝牙收发器 106与无线网络收发器 104之间存在较大隔离时,或者当蓝牙收发器 106的发射功率电平低 (例如,0dBm)时,前端的饱和或压缩可能不太成问题,并且 OOB干扰可能占主导。 - 中国語 特許翻訳例文集
かかる実施形態で、無線ネットワークトランシーバ104は、ブルートゥーストランシーバ106が送信中である場合には、無線ネットワークトランシーバ104によって受信される信号に送信アクティブ時ノイズ相殺行列を適用し、ブルートゥーストランシーバ106が送信中でない場合には、無線ネットワークトランシーバ104によって受信される信号に送信非アクティブ時ノイズ相殺行列を適用する。
在这些实施例中,无线网络收发器 104将发送有效噪声消除矩阵应用于当蓝牙收发器 106正在发送时无线网络收发器 104所接收的信号,并且将发送无效噪声消除矩阵应用于当蓝牙收发器 106未发送时无线网络收发器104所接收的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態例において、トランシーバ回路90は、例えば識別番号(例えば32ビットの一意的識別子)の形態の識別情報のようなトランシーバ情報を有し、トランシーバ情報には、続いて、トランシーバシリアル番号、コンポーネントタイプ、コンポーネント製造業者、製造日、装着日、場所、ロット番号、(装着中に測定された減衰のような)性能パラメータ、どのコンポーネントがトランシーバの他端にあるかの識別及びそのコンポーネントのステータス、等のような、1つないしさらに多くのデータを含めることができる。
在一示例性实施例中,收发机电路 90包括收发机信息,诸如,形式为例如标识号(例如32位唯一标识号)的身份信息,该身份信息则可包括一段或多段数据,例如收发机序列号、组件类型、组件制造商、生产日期、安装日期、地点、批号、性能参数 (例如安装中测得的衰减 )、什么组件在收发机的另一端的标识以及组件状态等。 - 中国語 特許翻訳例文集
電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60,61およびPMOSトランジスタ66,67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60,66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n+1列目のレジスタデータDn+1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n+1列目のレジスタデータDn+1を論理反転したデータ(/Dn+1)とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ(/Dn)とがNAND回路70を介して入力される。
在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中,在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1,PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集
6. 前記リーダは、前記時間間隔が所定の時間窓内にあるとともに前記一致が存在すること及び前記トランスポンダの動作速度がリーダが前提とする前記トランスポンダの動作速度と同じであることを決定するときにのみ前記トランスポンダへの接続を正当とみなすように設計されている、請求項3又は5記載のリーダ。
6.根据权利要求 3或 5所述的读取器 (420),其中所述读取器 (420)被设计为只有当确定时间间隔在预定的时间窗内且存在一致性、并且应答器 (440)操作的通信速度与读取器 (420)所认为的应答器 (440)操作的通信速度相同时,才认为到应答器 (440)的连接有效。 - 中国語 特許翻訳例文集
24. 前記第1のコマンドに応答して前記トランスポンダから第1の乱数を受信するステップ、前記第1のコマンドの送信後に前記トランスポンダに第2の乱数を送信するステップ、前記第2のコマンドに応答して前記トランスポンダから前記第1の乱数の暗号を受信するステップ、を更に備える請求項23記載の方法。
接收响应于第一命令 (RAC1)来自所述应答器 (440)的第一随机数 (RANDOM #1),在发送第一命令 (RAC1)之后向所述应答器 (440)发送第二命令 (RAC2),接收响应于第二命令 (RAC2)来自应答器 (440)的第一随机数 (RANDOM #1)的加密。 - 中国語 特許翻訳例文集
リーダ420とトランスポンダ440との間の接続の正当性を決定する(即ち、リーダ420とトランスポンダ440との間の接続が正当であるか否かを決定する)ために、リーダ420は最初に第1のコマンド(図2にRAC1として示されている)を第2の乱数(図2にRANDOM#2として示されている)と一緒にトランスポンダ440に送信する。
为了确定读取器 420和应答器 440之间连接的有效性 (即,用于确定读取器 420和应答器 440之间的连接是否有效 ),首先读取器 420可以向应答器 440发送第一命令 (图 2中指示为 RAC1)连同第二随机数 (在图 2中指示为 RANDOM #2)。 - 中国語 特許翻訳例文集
基地局305のレシーバ315が、NACKタイプ2を受信した後に、それは、パケットを再送信するように基地局305のトランスミッタに通知することになり、そしてそれを行う際に、トランスミッタ310のターボエンコーダによって再符号化されることになる(すなわち、NACKタイプ2に応じて、パケットは、トランスミッタ310のバックエンドから再送信されることになる)。
在基站 305的接收器 315接收到 NACK类型 2之后,所述接收器将通知基站 305的发射器重发所述包,且如此操作将由发射器 310的涡轮编码器重新编码 (即,响应于 NACK类型 2,包将从发射器 310的后端重发 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。
并且,用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上,用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上,用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。 - 中国語 特許翻訳例文集
ある実施形態で、物理層回路110は、ブルートゥーストランシーバ106が送信中である場合にのみ、無線ネットワークトランシーバ104によって受信される信号に送信アクティブ時ノイズ相殺行列を適用し、ブルートゥーストランシーバ106が送信中でない場合には送信アクティブ時ノイズ相殺行列を適用しない。
在一些实施例中,只有当蓝牙收发器正在发送时,物理层电路 110将发送有效噪声消除矩阵应用于无线网络收发器 104接收的信号,而当蓝牙收发器 106未发送时不应用发送有效噪声消除矩阵。 - 中国語 特許翻訳例文集
期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルとなり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26のみをリセットし、期間t5で選択電源電位SELVDDが“L”レベルになり、FD部26の電位を増幅トランジスタ24の閾値よりも低い電位とすることで、当該増幅トランジスタ24がオフして画素を非選択状態とする。
在时段 t4,通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态,仅仅复位 FD区 26,并且在时段 t5,通过使得选择电源电势 SELVDD为“L”电平并且使得FD区 26的电势低于放大晶体管 24的阈值,放大晶体管 24被关断,以使得像素处于未选定状态。 - 中国語 特許翻訳例文集
トランシーバ診断情報がトランシーバ回路90からRICチップ280に通信される一実施形態例において、診断情報は、既知のデジタル信号プロトコルの1つを用いて、トランシーバ回路内のデジタル診断ユニット93からRICチップに一度に一診断ワードで通信され、RICチップに(例えばメモリユニット286に)格納される。
在从收发机电路 90向 RIC芯片 280传送收发机诊断信息的示例性实施例中,从收发机电路中的数字诊断单元 93向 RIC芯片以一时间一个诊断字来传送诊断信息并使用已知的数字信号协议将该诊断字存储在 RIC芯片中 (例如,在存储器单元 286中 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
携帯型試験装置600がトランシーバ10とインターフェースされると、(上述したようにトランシーバ回路90,メモリユニット92及び/またはデジタル診断ユニット93に格納することができる)トランシーバ情報及び/または、メモリユニット426に格納されているような、エレクトロニクス装置情報(例えばポート識別子情報)がメモリユニット610に通信される。
当便携式测试设备 600与收发机 10接口时,收发机信息 (如前所述可存储在收发机电路 90、存储器单元 92和 /或数字诊断单元 93的信息 )和 /或 (例如存储在存储器单元 426中的 )电子设备信息 (例如端口标识信息 )被传送至存储器单元 610。 - 中国語 特許翻訳例文集
プレイリスト情報は、プレイアイテム情報−クリップ情報−トランスポートストリームという階層構造を有しており、トランスポートストリーム及びクリップ情報の組みと、プレイアイテム情報との比率については、1対多の関係にして、1つのトランスポートストリームを複数のプレイアイテム情報から多重参照することができる。
播放列表信息具有播放项目信息 -片断信息 -传输流的层级构造,关于传输流及片断信息的组与播放项目信息的比率,设为 1对多的关系,能够将一个传输流从多个播放项目信息多重参照。 - 中国語 特許翻訳例文集
この状態の画素(1,1)においては、リセットトランジスタT1がオフの状態なので、続けて、画素信号読みを行う。
在该状态下,由于在像素 (1,1)处复位晶体管 T1保持断开,因此像素信号读取操作继续。 - 中国語 特許翻訳例文集
図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。
参考图 6,没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。
图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子; - 中国語 特許翻訳例文集
図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。
图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集
画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。
像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。 - 中国語 特許翻訳例文集
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