「ドレイン」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

そして、受光領域54のn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域40のオーバーフロードレイン領域38とが接続される。

光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出沟道机构 40的溢出漏极区域 38连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT311のドレインがNMOSトランジスタNT311のドレインに接続され、その接続点によりノードND311が形成されている。

PMOS晶体管 PT311的漏极连接至 NMOS晶体管 NT311的漏极，并且连接点构成节点ND311。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT312のドレインがNMOSトランジスタNT312のドレインに接続され、その接続点によりアンプ310の出力ノードND312が形成されている。

PMOS晶体管 PT312的漏极连接至 NMOS晶体管 NT312的漏极，并且连接点构成放大器 310的输出节点 ND312。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。

形成有源极 9和漏极 13的布线层还具有形成在其中的信号线 3。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。

形成源极 9和漏极 13的布线层中还形成有信号线 3。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

最終転送段32は、ドレインゲート40に接続され、最終転送段32まで転送された信号電荷は、ドレインゲート40に電圧が印加されるとドレイン41に転送される。

最终传输段 32，与漏极门 40连接，一旦在漏极门 40施加有电压，就将已传输至最终传输段 32的信号电荷向漏极 41传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

ドレイン41は、一定の電位が設定される拡散領域であり、ドレイン41に信号電荷が入力されると、この信号電荷は電流としてドレイン41に接続された電極を介して外部に排出される。

漏极门 40为设定有一定的电位的扩散区，一旦信号电荷向漏极 41输入，就能够将该信号电荷作为电流通过与该漏极 41连接的电极向外部排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSFETのゲート、ソースおよびドレインは、図10にそれぞれラベルG，SおよびDで示されている。

在图 10中分别以标记 G、S及 D来说明MOSFET的栅极、源极及漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらの上層には、ソース電極9、及びドレイン電極13が形成されている。

在上述层中形成源极 9和漏极 13。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、ドレインゲート40に電圧を印加した場合には、最終転送段32がリセットされる。

因此，如在漏极门 40施加有电压，则会将最终传输段 32复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素ダミーアンプトランジスタ117のドレインが電源ラインLVDDAMPに接続され、ソースが画素ダミー選択トランジスタ118のドレインに接続されている。

像素哑放大晶体管 117具有连接至电源线 LVDDAMP的漏极、以及连接至像素哑选择晶体管 118的漏极的源极。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1回路ブロック180_1のnMOS182のドレインを第2回路ブロック180_2のpMOS185のゲートへ接続し、第2回路ブロック180_2のnMOS184のドレインを第1回路ブロック180_1のpMOS183のゲートへ接続した襷掛け接続構造を採っている。

第一电路块 180_1和第二电路块 180_2交叉耦合，其中第一电路块 180_1的 nMOS182的漏极连接到第二电路块 180_2的 pMOS185的栅极，并且第二电路块 180_2的 nMOS184的漏极连接到第一电路块 180_1的 pMOS183的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2負荷トランジスタ624は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が負荷トランジスタ614のドレイン端子に接続される。

另一方面，第二负载晶体管 624使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子连接到负载晶体管 614的漏极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

任意に、接続を積極的にドレインすることにより、すなわち「ブリードオフ」することにより、古いクラスタのメンバから既存の接続をドレインし終えるのに必要な時間を削減することができる。

可选地，将现有连接从老集群的成员排除所需的时间可通过主动地排除或“放掉(bleeding off)”该连接来减少。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上には、コンタクトホール18を埋めるようにドレイン電極13が形成されており、放射線検出用配線120は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。

在绝缘膜 15上形成各漏极 13以填充接触孔 18。 放射线检测线 120连接到 TFT开关 4的漏极 13。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ドレインゲート40に印加する電圧をこれらの中間の値とし、所定の量を越えた分の信号電荷だけをドレイン40に転送することも可能である。

但是，也能够对漏极门 40施加电压这些值的一些中间值的电压，以至于仅将超过了所定的量的份的信号电荷向漏极 41转送传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの実施形態では、メンバ＃4がクラスタ＃1から削除される前に、メンバ＃4が処理する接続がドレインされる。

在一个实施例中，正由成员 #4处理的连接在成员 #4被从集群 #1去除之前被排除。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9は、クラスタのメンバから接続を削除又はドレインするプロセスの1つの実施形態を大まかに示す論理フロー図である。

图 9图示了一逻辑流程图，其一般地示出了用于从集群一成员去除或排除连接的处理的一个实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

1つの実施形態では、分岐前に存在していた接続を適切に終了できた場合、接続がドレインされる。

在一个实施例中，当允许将存在于叉分之前的连接恰当地结束时，排除连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、下部電極11は、画素20Bでは、TFTスイッチ4のドレイン電極13及び放射線検出用配線120と接続されている。

在各像素 20B中，下部电极 11连接到 TFT开关 4的漏极 13和放射线检测线 120。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、リセットゲート96をオンすることにより、この信号電荷をドレイン95に転送し、排出することにより、リセットすることも可能である。

另外，通过将复位门 96接通，将该信号电荷向漏极 95传输，通过漏极排出，也能够复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ25は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ24のソースに、ソースが垂直信号線122にそれぞれ接続されている。

例如，选择晶体管 25的漏极连接到放大晶体管 24的源极，并且其源极连接到垂直信号线 122。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、CCDメモリ30内に記録された画像信号を垂直CCD50で読み出さない場合には、CCDメモリ30において転送動作を行なう際にドレインゲート40をオンすれば、記録された画像信号（信号電荷）は、ドレイン41から排出される。

另外，在不将存储于 CCD存储器 30的图像信号用垂直 CCD50读出的情况下，如果在进行 CCD存储器 30的传输动作时将漏极门 40接通，则可将存储了的图像信号 (信号 电荷 )从漏极 41排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

オーバーフローゲート電極（OFG）43は、第2リセットゲート電極に相当し、オーバーフローどれ印領域38は、リセットドレイン領域に相当する。

溢出栅极电极 (OFG)43相当于第二复位栅极电极，而溢出漏极区域 38相当于复位漏极区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に電気的に接続されている。

蓄积电容 70的一方电极与像素电极 9a并列地电气连接到 TFT30的漏极，另一方电极为了成为恒定电位，与电位固定的电容线 300电气连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集