「ドレイン線」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。

形成有源极 9和漏极 13的布线层还具有形成在其中的信号线 3。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。

形成源极 9和漏极 13的布线层中还形成有信号线 3。 - 中国語 特許翻訳例文集

絶縁膜15上には、コンタクトホール18を埋めるようにドレイン電極13が形成されており、放射線検出用配線120は、TFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されている。

在绝缘膜 15上形成各漏极 13以填充接触孔 18。 放射线检测线 120连接到 TFT开关 4的漏极 13。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2負荷トランジスタ624は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が負荷トランジスタ614のドレイン端子に接続される。

另一方面，第二负载晶体管 624使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子连接到负载晶体管 614的漏极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、下部電極11は、画素20Bでは、TFTスイッチ4のドレイン電極13及び放射線検出用配線120と接続されている。

在各像素 20B中，下部电极 11连接到 TFT开关 4的漏极 13和放射线检测线 120。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ25は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ24のソースに、ソースが垂直信号線122にそれぞれ接続されている。

例如，选择晶体管 25的漏极连接到放大晶体管 24的源极，并且其源极连接到垂直信号线 122。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、放射線検出素子10は、図16に示すように、第2信号配線層において放射線検出用配線120を列方向（縦方向）に配設して、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させた画素20を放射線検出用用の画素20Bとし、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させない画素20を放射線画像取得用の画素20Aとして構成するようにしてもよい。

如图 16中所示，还可以做出这样的配置： 沿列方向 (垂直方向 )在第二信号布线层中设置放射线检测线 120，并且第二信号布线层的漏极 13连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线检测像素 20B，并且第二信号布线层的漏极 13未连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线图像成像像素 20A。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2信号配線層とは異なる層において放射線検出用配線120を列方向（縦方向）に配設して、第2信号配線層のドレイン極13をコンタクトホールを介して放射線検出用配線120に接続させた画素20を放射線検出用の画素20Bとし、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させない画素20を放射線画像取得用の画素20Aとして構成するようにしてもよい。

还可以做出这样的配置： 使得第二信号布线层中的漏极 13通过接触孔连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线检测像素 20B，而第二信号布线层中的漏极 13未连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线图像成像像素 20A。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に電気的に接続されている。

蓄积电容 70的一方电极与像素电极 9a并列地电气连接到 TFT30的漏极，另一方电极为了成为恒定电位，与电位固定的电容线 300电气连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

下部電極11は、画素20AではTFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されており、TFTスイッチ4のソース電極9は、信号配線3に接続されている。

在各像素 20A中，下部电极11连接到 TFT开关 4的漏极 13。 TFT开关 4的源极 9连接到信号线 3。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。

地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制，在被行选择后导通的期间，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。

像素电极 9a与 TFT30的漏极电气连接，使开关元件即 TFT30在一定期间闭合其开关，从而将从数据线 6a供给的图像信号 S1、S2、...、Sn在规定的定时写入。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集