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図15Aに示すように、スラブ1504を、正にドープされた（positively doped）半導体層1512と負にドープされた半導体層1514との間に挟まれた真性層1510から構成することができる。
如图 15A中所示，板 1504可以包括夹在正掺杂的半导体层 1512与负掺杂的半导体层 1514之间的本征层 1510。
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