「バイアスサンプル」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间，采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部191は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC11を、制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 191将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC 11采样并保持其中在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部192は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC12を制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 192将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC12采样并保持一在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス電圧VBIAS11は、アナログ信号VSLの読み出し中およびアナログデジタル（AD）変換中にサンプルホールド回路190により供給される。

当模拟信号 VSL被读出并 A/D转换时，由采样 /保持电路 190供给偏置电压VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、バイアス電圧VBIAS12は、アナログ信号VSLの読み出しおよびAD変換期間中にサンプルホールド回路190により供給される。

如这样描述的，在模拟信号 VSL被读出及 A-D转换的时间段期间，由采样 /保持电路 190供给偏置电压 VBIAS12。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングパルスSMP11Aは、1H期間中のアナログ読み出しおよびAD変換を行う期間以外の期間にサンプリングスイッチSW191A−1〜nがオンしてバイアス電圧のサンプリングおよびホールドを行うように供給される。

采样脉冲 SMP11A被供给，使得采样开关 SW191A-1至 SW191A-n维持接通，以在除了模拟信号被读出及 A/D转换的时间段之外的每个水平时间段期间对偏置电压采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。 - 中国語 特許翻訳例文集

列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集