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「バイアスデータ」の部分一致の例文検索結果

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加えて、本例に係る構成では、後述する比較例1、2のように、例えば、垂直信号線制御用のバイアス回路やリセット信号制御回路、信号制御用コンパレータが必要ない。

此外,在本例的结构中,如后述的比较例 1、2所示,例如不一定需要垂直信号线控制用的旁路电路或复位信号控制电路、信号控制用比较器。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端,并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极,以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、ロックイン検出によって、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出し、このディザ周波数成分の大きさおよび位相が最小値となるようにDCバイアスをフィードバック制御することにより、DCバイアスを安定化させることができる。

因此,通过锁住检测,对包含在监视信号中的抖动频率分量的大小以及相位进行检测,对 DC偏置进行反馈控制,以使该抖动频率分量的大小以及相位成为最小值,从而可以使 DC偏置稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

クライアントデバイス218からのコマンドが選択と送信を表示する場合には、マイメディアサービスタプル214は、ゲストゲートウェイ226をサポートするネットワークキャリア252に対する、通信チャネル250(例インターネット)上でホームゲートウェイ222をサポートするネットワークキャリア248からの送信について、メディアコンテンツ230を正確にフォーマット化するために、メディアストリーミングタプル246を使用することができる。

若来自客户端设备 218的命令指示选择和传输,则我的媒体服务元组 214可利用媒体流送元组 246来正确地格式化媒体内容 230以从支持归属网关 222的网络承运商 248跨通信信道 250(例如,因特网 )传输到支持访客网关 226的网络承运商 252。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス回路180は、セレクタ181、およびノードND0〜NDNの設定電圧値SVL0〜SLVNを選択的にセレクタ181の第1入力に供給するスイッチSW0〜SWNを有する。

校正偏置电路180具有选择器181、以及把节点ND0~NDN处的设置电压值SVL0~SVLN选择地供给至选择器 181的第一输入的开关 SW0~ SWN。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反,当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c,并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时,第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示,其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14,并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此,当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a,并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时,第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示,其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14,并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集


従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此,当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a,并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时,第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示,其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14,并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、画素ダミー部110Bは、垂直走査部120からの選択パルスDSEL、補正用バイアス回路180からのクランプ電圧SLP_SUNにより制御されている。

从以上的描述可以明显看出,来自垂直扫描部件 120的选择脉冲 DSEL和来自校正偏置电路 180的钳制电压 SLP_SUN控制像素哑部件 110B。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上,各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、この場合、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御する制御回路や、その制御回路へ入力される画素信号の閾値を決定するバイアス回路105、或いは信号制御用コンパレータ113等が必要となり、回路レイアウト面積が増加してしまう点で不利である。

但是,在该情况下,需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的控制电路、决定向该控制电路输入的像素信号的阈值的旁路电路 105或者信号控制用比较器 113等,在电路布局面积增加这一点上不利。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補正している。

因此,在比较例 1中,配置复位信号控制电路 106,利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前,放入复位信号控制电路 106,并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给,在某个定时,对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。 - 中国語 特許翻訳例文集

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