「バイアス制御」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

なお、第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加される時には、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加され、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加される時には、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加される。

当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1时，反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2。 当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2。 - 中国語 特許翻訳例文集

加算器19は、DCバイアス制御部18からのバイアス制御信号に対して、発振器17からの低速ディザ信号を重畳し、バイアス信号を生成する。

加法器 19对来自 DC偏置控制部 18的偏置控制信号重叠来自振荡器 17的低速抖动信号，生成偏置信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のように、実施の形態1によれば、DCバイアス制御手段は、2電極MZ変調器から出力された光多値信号の平均パワーが最大となるように、2電極MZ変調器に対するDCバイアスを制御する。

如上所述，根据实施方式 1，DC偏置控制单元控制针对双电极 MZ调制器的 DC偏置，以使从双电极 MZ调制器输出的光多值信号的平均功率成为最大。 - 中国語 特許翻訳例文集

特定の実施形態において、各デバイス210，220，230の動作上の状態間でのスイッチングポイントが、入力制御信号pバイアス及びnバイアスを調整することによって、それぞれのバイアス要素217−218，227−228，237−238によって調整されてもよい。

在特定实施例中，装置 210、220及 230中的每一者的操作状态之间的切换点可分别经由偏压元件 217到 218、227到 228及 237到 238通过调整输入控制信号 pbias及 nbias而调整。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、DCバイアス制御部18は、例えばロックイン検出により、モニタ信号に含まれるディザ周波数（f0）成分の大きさおよび位相（または符号）を検出してフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力する。

另外，DC偏置控制部 18例如通过锁住检测 (lock-in detection)，对包含在监视信号中的抖动频率 (f0)分量的大小以及相位 (或者符号 )进行检测来执行反馈控制，输出偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記実施の形態1では、DCバイアス制御部18が移相器21、ミキサ22、LPF23、オフセット設定手段24および加算器25を有し、アナログ処理によってフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力すると説明した。

另外，在上述实施方式 1中，说明了 DC偏置控制部 18具有移相器 21、混频器 22、LPF23、偏移设定单元 24以及加法器 25，并通过模拟处理来执行反馈控制，输出偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下、図2および図3を参照しながら、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分が最小値となるようにDCバイアスを制御することによって、DCバイアスを安定化させることができる原理について説明する。

以下，参照图2以及图3，来说明可以通过对DC偏置进行控制以使包含在监视信号中的抖动频率分量成为最小值，而使 DC偏置稳定化的原理。 - 中国語 特許翻訳例文集

通信・タイミング制御部140は、画素部110、垂直走査部120、水平走査部130、カラム処理回路群150、DAC160、補正用バイアス回路180、補正用バイアス選択部170等の信号処理に必要なタイミング信号を生成する。

通信时序控制器 140生成像素部件 110、垂直扫描部件 120、水平扫描部件 130、列处理电路组 150、DAC 160、校正偏置选择部件 170、校正偏置电路 180等的信号处理中所需的时序信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、DCバイアス制御部18によるフィードバック制御において、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分が最小値となるようにDCバイアスを制御することにより、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動の（4値の多値信号による）QPSKを実行する場合のDCバイアスを安定化させることができる。

此处，在通过 DC偏置控制部 18进行的反馈控制中，对 DC偏置进行控制，以使包含在监视信号中的抖动频率分量成为最小值，从而可以使使用双电极 MZ调制器 14来执行 4值驱动的 (利用 4值的多值信号的 )QPSK的情况下的 DC偏置稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】この発明の実施の形態1に係る多値光送信器のDCバイアス制御手段を示すブロック構成図である。

图 4是示出本发明的实施方式 1的多值光发送器的 DC偏置控制单元的框结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

DCバイアス制御部18は、光出力パワーモニタ16からのモニタ信号と、発振器17からの低速ディザ信号とを入力する。

DC偏置控制部 18输入来自光输出功率监视器 16的监视信号与来自振荡器 17的低速抖动信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、図1のDCバイアス制御部18を、光出力パワーモニタ16、発振器17および加算器19とともに示すブロック構成図である。

图 4是与光输出功率监视器 16、振荡器 17以及加法器 19一起示出图 1的 DC偏置控制部 18的框结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下、通常のロックイン検出を実行するものとして、DCバイアス制御部18の各部位の機能について説明する。

以下，作为执行通常的锁住检测的功能，对 DC偏置控制部 18的各部位的功能进行说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、LPF23通過後のDC成分を誤差信号として用いることにより、DCバイアスのフィードバック制御を実行することができる。

因此，将通过 LPF23后的 DC分量用作误差信号，从而可以执行 DC偏置的反馈控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

加算器25は、LPF23からの誤差信号に対して、オフセット設定手段24からのオフセット信号を重畳し、バイアス制御信号を生成する。

加法器 25对来自 LPF23的误差信号，重叠来自偏移设定单元 24的偏移信号，生成偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

スイッチSW0〜SWNは、補正用バイアス選択部170による黒化現象検出用クランプ電圧設定値SCVLに応じてオン、オフ制御される。

根据校正偏置选择部件 170所设置的黑化检测钳制电压设置值 SCVL控制开关SW0～ SWN的接通 /切断。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、リセット信号制御回路106やバイアス回路105は、比較的に占有面積が大きいため、微細化に対して不利である。

但是，复位信号控制电路 106或旁路电路 105的占有面积较大，所以不利于微细化。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、発振器は、DCバイアスに重畳されるディザ信号であって、第1多値信号および第2多値信号のシンボルレートに比べて十分に低い周波数のディザ信号を出力し、DCバイアス制御部は、パワーモニタ手段で検出された信号に含まれるディザ周波数成分が最小になるようにDCバイアスを制御する。

另外，振荡器输出作为重叠到 DC偏置的抖动信号的、比第一多值信号以及第二多值信号的符号率充分低的频率的抖动信号，DC偏置控制部对 DC偏置进行控制，以使由功率监视单元检测出的信号中包含的抖动频率分量成为最小。 - 中国語 特許翻訳例文集

加えて、本例に係る構成では、後述する比較例1、2のように、例えば、垂直信号線制御用のバイアス回路やリセット信号制御回路、信号制御用コンパレータが必要ない。

此外，在本例的结构中，如后述的比较例 1、2所示，例如不一定需要垂直信号线控制用的旁路电路或复位信号控制电路、信号控制用比较器。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间，采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上説明した動作例1，2を整理すると、この実施の形態では、FDのダイナミックレンジを図7に示すように制御し、バイアス電圧を図8に示すように制御している。

若整理以上说明的动作例1、2，在该实施方式中，如图7所示那样控制FD的动态范围，如图 8所示那样控制偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、図4を参照しながら、ロックイン検出によってモニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出する場合の、DCバイアス制御部18の処理について説明する。

接下来，参照图 4，说明通过锁住检测对包含在监视信号中的抖动频率分量的大小以及相位进行检测的情况下的、DC偏置控制部 18的处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、画素ダミー部110Bは、垂直走査部120からの選択パルスDSEL、補正用バイアス回路180からのクランプ電圧SLP＿SUNにより制御されている。

从以上的描述可以明显看出，来自垂直扫描部件 120的选择脉冲 DSEL和来自校正偏置电路 180的钳制电压 SLP_SUN控制像素哑部件 110B。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス制御回路4は、垂直信号線VSL−1〜VSL−Mのそれぞれにソース端子が接続されるM個のスイッチトランジスタ12で構成されている。

偏置控制电路 4由 M个开关晶体管 12构成，各开关晶体管 12的源极端子与垂直信号线 VSL-1～ VSL-M的每一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示するように、比較例1に係る固体撮像装置では、AD変換部に、比較的に占有面積が大きいバイアス回路105およびリセット信号制御回路106が配置されている点で、上記実施形態と相違する。

如图所示，在比较例 1的固体摄像装置中，在模数变换部配置了占有面积较大的旁路电路 105和复位信号控制电路 106，在这一点上不同于上述实施方式。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、ロックイン検出によって、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出し、このディザ周波数成分の大きさおよび位相が最小値となるようにDCバイアスをフィードバック制御することにより、DCバイアスを安定化させることができる。

因此，通过锁住检测，对包含在监视信号中的抖动频率分量的大小以及相位进行检测，对 DC偏置进行反馈控制，以使该抖动频率分量的大小以及相位成为最小值，从而可以使 DC偏置稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、誤差信号がゼロになる点と、DCバイアスの0Vとは通常一致しないので、オフセット設定手段24からのオフセット信号をLPF23からの誤差信号に重畳することにより、誤差信号がゼロとなる場合であっても、制御目標を維持するために必要となるDCバイアスの値を設定することができる。

此时，由于误差信号成为零的点与 DC偏置的 0V通常不一致，所以通过将来自偏移设定单元 24的偏移信号重叠到来自 LPF23的误差信号，即使在误差信号成为零的情况下，也可以设定为了维持控制目标而所需的 DC偏置的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御するリセット信号制御回路や画素信号の閾値を決定するバイアス回路等が不要となるので、回路レイアウト面積の増加をかなり抑えられる点で、微細化に対して有利である。

因此，不需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的复位信号控制电路或决定像素信号的阈值的旁路电路等，所以在相当程度上抑制电路布局面积的这一点上，对微细化有利。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、この場合、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御する制御回路や、その制御回路へ入力される画素信号の閾値を決定するバイアス回路105、或いは信号制御用コンパレータ113等が必要となり、回路レイアウト面積が増加してしまう点で不利である。

但是，在该情况下，需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的控制电路、决定向该控制电路输入的像素信号的阈值的旁路电路 105或者信号控制用比较器 113等，在电路布局面积增加这一点上不利。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时，第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1において、この多値光送信器は、2つのD／Aコンバータ11a、11b（第1、第2D／Aコンバータ）、2つの電気増幅器12a、12b、光源13、2電極MZ変調器14（DDMZM）、光タップカプラ15、光出力パワーモニタ16（パワーモニタ手段）、発振器17、DCバイアス制御部18および加算器19を備えている。

在图 1中，该多值光发送器具备 2个 D/A转换器 11a、11b(第一、第二 D/A转换器 )、2个电气放大器12a、12b、光源13、双电极MZ调制器14(DDMZM)、光抽头耦合器(optical tap coupler)15、光输出功率监视器 16(功率监视单元 )、振荡器 17、DC偏置控制部 18以及加法器 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部191は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC11を、制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 191将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC 11采样并保持其中在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部192は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC12を制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

采样 /保持部分 192将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC12采样并保持一在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。 - 中国語 特許翻訳例文集

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、2電極MZ変調器を用いた多値変調（特に、4値以上）を実行する場合に、DCバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得ることを目的とする。

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于得到一种多值光发送器，在执行使用了双电极 MZ调制器的多值调制 (特别是 4值以上 )的情况下，通过对 DC偏置进行稳定化控制，可以使光传送信号质量稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補正している。

因此，在比较例 1中，配置复位信号控制电路 106，利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前，放入复位信号控制电路 106，并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给，在某个定时，对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。 - 中国語 特許翻訳例文集