「バイアス電池」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

一実施形態において、バイアス電圧Vb417の値は、105mVである。

在一个实施例中，Vb 417的值是 105mV。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、バイアス電圧Vb417は、バンドギャップ回路（図示せず）によって生成される。

在一个实施例中，由带隙电路(未示出 )产生偏压 Vb 417。 - 中国語 特許翻訳例文集

一態様では、VCO1740は、プログラム可能なバイアス電流を有することができる。

在一个方面，VCO1740可以具有可编程的偏流。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上のように、実施の形態1によれば、DCバイアス制御手段は、2電極MZ変調器から出力された光多値信号の平均パワーが最大となるように、2電極MZ変調器に対するDCバイアスを制御する。

如上所述，根据实施方式 1，DC偏置控制单元控制针对双电极 MZ调制器的 DC偏置，以使从双电极 MZ调制器输出的光多值信号的平均功率成为最大。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス電圧生成回路5は、アナログゲイン情報18に従って、アナログゲインが基準値よりも大きい場合、つまり被写体の明るさが基準よりも暗い場合は所定値よりも低いバイアス電圧を生成する。

偏压生成电路 5按照模拟增益信息 18，在模拟增益比基准值大的情况下，即被摄体的亮度比基准暗的情况下生成比规定值低的偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、バイアス電圧生成回路5は、バイアス電圧を、図8に示すように、明るさが基準値よりも、明るい場合は大きくし、暗い場合は小さくする関係で、明るさに応じて変更している。

因此，如图 8所示，偏压生成电路 5以在亮度比基准值亮的情况下使偏压变大、在比基准值暗的情况使偏压变小的关系，根据亮度变更偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

スイッチSW0〜SWNは、補正用バイアス選択部170による黒化現象検出用クランプ電圧設定値SCVLに応じてオン、オフ制御される。

根据校正偏置选择部件 170所设置的黑化检测钳制电压设置值 SCVL控制开关SW0～ SWN的接通 /切断。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス電圧VBIAS11は、アナログ信号VSLの読み出し中およびアナログデジタル（AD）変換中にサンプルホールド回路190により供給される。

当模拟信号 VSL被读出并 A/D转换时，由采样 /保持电路 190供给偏置电压VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、バイアス電圧Vb（図4Bに記載されている）は、三角形の写像信号の中間点に設定される。

在一个实施例中，将偏压 Vb(在图 4B中讨论 )设置为三角映射信号的中间点。 - 中国語 特許翻訳例文集

一態様では、モードセレクタ1780は、周波数合成器1710の動作モードに基づいて、電流バイアス1790をVCO1740に調節することができる。

在一个方面，模式选择器 1780可以基于频率合成器 1710的运行模式，来调整VCO1740的偏流 1790。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、通信媒体30が通信装置10に近づくに従って送信電力が低下していく途中で、ローパスフィルタ52の出力である監視電圧が最低電力保証回路54の出力電圧よりも低くなると、ベースバイアス電圧は、最低電力保証回路54の固定の電圧に切り換わり、それ以上低下しなくなる。

这就是说，在传输功率随着通信介质 30接近通信设备 10而降低的时候，如果作为低通滤波器 52的输出的监控电压降到低于最小功率保护电路 54的输出电压，就将基极偏压切换到最小功率保护电路 54的固定电压，并且该电压不再下降。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、バイアス電圧VBIAS12は、アナログ信号VSLの読み出しおよびAD変換期間中にサンプルホールド回路190により供給される。

如这样描述的，在模拟信号 VSL被读出及 A-D转换的时间段期间，由采样 /保持电路 190供给偏置电压 VBIAS12。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、一実施形態において、図4Bのバイアス電圧Vbはコンピュータ実行可能な命令によってプログラム可能であり、それにより変調出力信号の周波数分散を調整してもよい。

例如，在一个实施例中，图 4B的偏压 Vb是经由计算机可执行指令可编程的，以调整调制输出信号的频率扩展。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、DCバイアス制御部18によるフィードバック制御において、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分が最小値となるようにDCバイアスを制御することにより、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動の（4値の多値信号による）QPSKを実行する場合のDCバイアスを安定化させることができる。

此处，在通过 DC偏置控制部 18进行的反馈控制中，对 DC偏置进行控制，以使包含在监视信号中的抖动频率分量成为最小值，从而可以使使用双电极 MZ调制器 14来执行 4值驱动的 (利用 4值的多值信号的 )QPSK的情况下的 DC偏置稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、2電極MZ変調器14には、第1信号入力端子、第2信号入力端子およびDCバイアス印加端子が設けられており、それぞれ位相変調器14a、位相変調器14bおよび電極14cと接続されている。

另外，在双电极 MZ调制器 14中，设置了第一信号输入端子、第二信号输入端子以及 DC偏置施加端子，分别与相位调制器 14a、相位调制器 14b以及电极 14c连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2は、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動のQPSKを実行した場合において、DCバイアスが最適値からずれた際に生じる信号点の変化を示す説明図である。

图 2是示出在使用双电极 MZ调制器 14来执行了 4值驱动的 QPSK的情况下，DC偏置偏离最佳值时产生的信号点的变化的说明图。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。 - 中国語 特許翻訳例文集

列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、時間的なノイズを全く含まないDCバイアス電圧として負荷回路150、DAC170、ADCを含む列並列処理部160に供給され、AD変換期間中のノイズの伝播による画質の劣化が抑制される。

如此，将电压供给至负载电路 150、DAC 170、和包括 ADC的列并行处理部分 160，作为根本不具有时间噪声的 DC偏置电压。 因而可以抑制在 A/D转换时间段期间由于噪声传播而造成的图像质量的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、2電極MZ変調器を光変調器として用いる場合、通常のOOK（On−Off Keying）伝送を実行するときと同様に、多値変調を実行するときにおいても、光伝送信号品質を安定化させるためには、2電極MZ変調器の動作点を決定するDC（Direct Current）バイアスの安定化が不可欠となる。

此处，在将双电极 MZ调制器用作光调制器的情况下，与执行通常的 OOK(On-Off Keying，开关键控 )传送时同样地，即使在执行多值调制时，为了使光传送信号质量稳定化，决定双电极MZ调制器的工作点的DC(Direct Current，直流)偏置的稳定化变得不可欠缺。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス回路180は、セレクタ181、およびノードND0〜NDNの設定電圧値SVL0〜SLVNを選択的にセレクタ181の第1入力に供給するスイッチSW0〜SWNを有する。

校正偏置电路180具有选择器181、以及把节点ND0～NDN处的设置电压值SVL0～SVLN选择地供给至选择器 181的第一输入的开关 SW0～ SWN。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1において、この多値光送信器は、2つのD／Aコンバータ11a、11b（第1、第2D／Aコンバータ）、2つの電気増幅器12a、12b、光源13、2電極MZ変調器14（DDMZM）、光タップカプラ15、光出力パワーモニタ16（パワーモニタ手段）、発振器17、DCバイアス制御部18および加算器19を備えている。

在图 1中，该多值光发送器具备 2个 D/A转换器 11a、11b(第一、第二 D/A转换器 )、2个电气放大器12a、12b、光源13、双电极MZ调制器14(DDMZM)、光抽头耦合器(optical tap coupler)15、光输出功率监视器 16(功率监视单元 )、振荡器 17、DC偏置控制部 18以及加法器 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

このように、画素ダミー部110Bは、垂直走査部120からの選択パルスDSEL、補正用バイアス回路180からのクランプ電圧SLP＿SUNにより制御されている。

从以上的描述可以明显看出，来自垂直扫描部件 120的选择脉冲 DSEL和来自校正偏置电路 180的钳制电压 SLP_SUN控制像素哑部件 110B。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9は、本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

無線ターミナル110の具現化可能であるユーザ機器210は、入力電圧VINを提供する直流（DC）バッテリ225によってバイアスがかけられる周波数計測可能なSMPSプラットフォーム215を含んでいる。

用户设备 210(其可为无线终端 110的实现形式 )包括通过提供输入电压VIN的直流 (DC)电池 225偏置的频率可缩放的SMPS平台 215。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、固体撮像素子100は、列回路としての負荷回路150、ADC群である列並列処理部160、並びにDAC（デジタル−アナログ変換装置）170、および内部電圧生成回路（バイアス回路）180を有する。

作为一组 ADC的列并行处理部分 160； DAC(数字 -模拟转换器 )170； - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。

为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

原点から信号点までの距離が短くなることは、光多値信号の平均パワーが小さくなることと等価なので、2電極MZ変調器14からの光多値信号の平均パワーを検出することにより、DCバイアスの最適値からのずれを検出することができる。

从原点到信号点的距离变短等价于使光多值信号的平均功率变小，所以通过对来自双电极 MZ调制器 14的光多值信号的平均功率进行检测，可以检测从 DC偏置的最佳值的偏离。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、2電極MZ変調器を用いた多値変調（特に、4値以上）を実行する場合に、DCバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得ることを目的とする。

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的，其目的在于得到一种多值光发送器，在执行使用了双电极 MZ调制器的多值调制 (特别是 4值以上 )的情况下，通过对 DC偏置进行稳定化控制，可以使光传送信号质量稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングパルスSMP11Aは、1H期間中のアナログ読み出しおよびAD変換を行う期間以外の期間にサンプリングスイッチSW191A−1〜nがオンしてバイアス電圧のサンプリングおよびホールドを行うように供給される。

采样脉冲 SMP11A被供给，使得采样开关 SW191A-1至 SW191A-n维持接通，以在除了模拟信号被读出及 A/D转换的时间段之外的每个水平时间段期间对偏置电压采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、乗算器411は、一つ前のランダムノイズ信号Xnに2を乗じて2Xnの信号を生成し、乗算器412は、一つ前のランダムノイズ信号Xnに−2を乗じて−2Xnの信号を生成し、乗算器413は、バイアス電圧Vb417に4を乗じて4Vbの信号を生成する。

在一个实施例中，乘法器411将先前随机噪声信号Xn乘以2以产生2Xn，乘法器412将先前随机噪声信号 Xn乘以 -2以产生 -2Xn，并且乘法器 413将偏压 Vb 417乘以 4以产生4Vb。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補正している。

因此，在比较例 1中，配置复位信号控制电路 106，利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前，放入复位信号控制电路 106，并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给，在某个定时，对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。 - 中国語 特許翻訳例文集