「バイアス」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

半導体層21には、バイアス電圧が印加された状態で光が未照射の場合、数pA／mm2以下の電流しか流れない。

在半导体层 21中，当未照射光时，在施加偏置电压的状态下，仅几 pA/mm2或更小的电流流动。 - 中国語 特許翻訳例文集

一態様では、モードセレクタ1780は、周波数合成器1710の動作モードに基づいて、電流バイアス1790をVCO1740に調節することができる。

在一个方面，模式选择器 1780可以基于频率合成器 1710的运行模式，来调整VCO1740的偏流 1790。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、リセット信号制御回路106やバイアス回路105は、比較的に占有面積が大きいため、微細化に対して不利である。

但是，复位信号控制电路 106或旁路电路 105的占有面积较大，所以不利于微细化。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、DCバイアス制御部18は、例えばロックイン検出により、モニタ信号に含まれるディザ周波数（f0）成分の大きさおよび位相（または符号）を検出してフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力する。

另外，DC偏置控制部 18例如通过锁住检测 (lock-in detection)，对包含在监视信号中的抖动频率 (f0)分量的大小以及相位 (或者符号 )进行检测来执行反馈控制，输出偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、DCバイアスに低速のディザ信号（周波数f0）を印加した場合を考えると、DCバイアスの最適状態では、ディザ周波数の2倍の周波数（2×f0）を持つ成分が最大となり、ディザ周波数（f0）成分は最小となる。

此处，如果考虑对 DC偏置施加了低速的抖动信号 (频率 f0)的情况，则在 DC偏置的最佳状态下，具有抖动频率的 2倍的频率 (2×f0)的分量变得最大，抖动频率 (f0)分量变得最小。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記実施の形態1では、DCバイアス制御部18が移相器21、ミキサ22、LPF23、オフセット設定手段24および加算器25を有し、アナログ処理によってフィードバック制御を実行し、バイアス制御信号を出力すると説明した。

另外，在上述实施方式 1中，说明了 DC偏置控制部 18具有移相器 21、混频器 22、LPF23、偏移设定单元 24以及加法器 25，并通过模拟处理来执行反馈控制，输出偏置控制信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。

在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间，采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、ロックイン検出によって、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出し、このディザ周波数成分の大きさおよび位相が最小値となるようにDCバイアスをフィードバック制御することにより、DCバイアスを安定化させることができる。

因此，通过锁住检测，对包含在监视信号中的抖动频率分量的大小以及相位进行检测，对 DC偏置进行反馈控制，以使该抖动频率分量的大小以及相位成为最小值，从而可以使 DC偏置稳定化。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、誤差信号がゼロになる点と、DCバイアスの0Vとは通常一致しないので、オフセット設定手段24からのオフセット信号をLPF23からの誤差信号に重畳することにより、誤差信号がゼロとなる場合であっても、制御目標を維持するために必要となるDCバイアスの値を設定することができる。

此时，由于误差信号成为零的点与 DC偏置的 0V通常不一致，所以通过将来自偏移设定单元 24的偏移信号重叠到来自 LPF23的误差信号，即使在误差信号成为零的情况下，也可以设定为了维持控制目标而所需的 DC偏置的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、2電極MZ変調器14には、第1信号入力端子、第2信号入力端子およびDCバイアス印加端子が設けられており、それぞれ位相変調器14a、位相変調器14bおよび電極14cと接続されている。

另外，在双电极 MZ调制器 14中，设置了第一信号输入端子、第二信号输入端子以及 DC偏置施加端子，分别与相位调制器 14a、相位调制器 14b以及电极 14c连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2は、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動のQPSKを実行した場合において、DCバイアスが最適値からずれた際に生じる信号点の変化を示す説明図である。

图 2是示出在使用双电极 MZ调制器 14来执行了 4值驱动的 QPSK的情况下，DC偏置偏离最佳值时产生的信号点的变化的说明图。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、図4を参照しながら、ロックイン検出によってモニタ信号に含まれるディザ周波数成分の大きさおよび位相を検出する場合の、DCバイアス制御部18の処理について説明する。

接下来，参照图 4，说明通过锁住检测对包含在监视信号中的抖动频率分量的大小以及相位进行检测的情况下的、DC偏置控制部 18的处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

このように、画素ダミー部110Bは、垂直走査部120からの選択パルスDSEL、補正用バイアス回路180からのクランプ電圧SLP＿SUNにより制御されている。

从以上的描述可以明显看出，来自垂直扫描部件 120的选择脉冲 DSEL和来自校正偏置电路 180的钳制电压 SLP_SUN控制像素哑部件 110B。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス回路180は、セレクタ181、およびノードND0〜NDNの設定電圧値SVL0〜SLVNを選択的にセレクタ181の第1入力に供給するスイッチSW0〜SWNを有する。

校正偏置电路180具有选择器181、以及把节点ND0～NDN处的设置电压值SVL0～SVLN选择地供给至选择器 181的第一输入的开关 SW0～ SWN。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9は、本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10に示すように、補正用バイアス選択部170の比較器171にてAD変換用参照信号SLP＿ADCと黒化現象検出期間K1クランプ電圧を比較し、その傾きを検出する。

如图 10中所示，校正偏置选择部件 170中的比较器 171把用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压加以比较，以检测用于 AD转换的参照信号 SLP_ADC的斜率。 - 中国語 特許翻訳例文集

補正用バイアス選択部170内にて、AD変換用参照信号（SLP＿ADC）を画素信号（SIG）ではなく、黒化現象検出期間K1クランプ電圧と比較する。

在校正偏置选择部件 170中，用于 AD转换的参照信号 (SLP_ADC)与针对黑化检测时间段 K1的钳制电压而不是与像素信号 (SIG)进行比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9Bに示すように、既存のDM RS信号においてSRS信号をバイアスするステップ910は、PUCCH及び持続性PUSCHに対して充分な帯域巾を予約するステップ911を含む。

如图 9B所描绘的，在步骤 910中使 SRS信号基于现有 DM RS信号的步骤可以包括为 PUCCH和持久性 PUSCH保留足够的带宽的步骤 911。 - 中国語 特許翻訳例文集

既存のDM RS信号においてSRS信号をバイアスするステップ910は、更に、希望のDFT及び繰り返しファクタ（RPF）サイズに基づいてSRS帯域巾割り当てを適応させるステップ912を含む。

在步骤 910中使 SRS信号基于现有DM RS信号的步骤还可以包括在步骤 912中根据期望的 DFT和重复因子 (RPF)大小来修改SRS带宽分配。 - 中国語 特許翻訳例文集

無線ターミナル110の具現化可能であるユーザ機器210は、入力電圧VINを提供する直流（DC）バッテリ225によってバイアスがかけられる周波数計測可能なSMPSプラットフォーム215を含んでいる。

用户设备 210(其可为无线终端 110的实现形式 )包括通过提供输入电压VIN的直流 (DC)电池 225偏置的频率可缩放的SMPS平台 215。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、固体撮像素子100は、列回路としての負荷回路150、ADC群である列並列処理部160、並びにDAC（デジタル−アナログ変換装置）170、および内部電圧生成回路（バイアス回路）180を有する。

作为一组 ADC的列并行处理部分 160； DAC(数字 -模拟转换器 )170； - 中国語 特許翻訳例文集

また、本実施形態においては、負荷回路150、列並列処理部160、DAC170が、内部または外部で生成されたバイアス電圧が供給される機能部を含んで構成される。

在本实施例中，负载电路 150、列并行处理部分 160、和 DAC 170包括功能部分，内部或外部生成的偏置电压被供给至该功能部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。 - 中国語 特許翻訳例文集

列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。

在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。 - 中国語 特許翻訳例文集

このため、時間的なノイズを全く含まないDCバイアス電圧として負荷回路150、DAC170、ADCを含む列並列処理部160に供給され、AD変換期間中のノイズの伝播による画質の劣化が抑制される。

如此，将电压供给至负载电路 150、DAC 170、和包括 ADC的列并行处理部分 160，作为根本不具有时间噪声的 DC偏置电压。 因而可以抑制在 A/D转换时间段期间由于噪声传播而造成的图像质量的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。

为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、一実施形態において、図4Bのバイアス電圧Vbはコンピュータ実行可能な命令によってプログラム可能であり、それにより変調出力信号の周波数分散を調整してもよい。

例如，在一个实施例中，图 4B的偏压 Vb是经由计算机可执行指令可编程的，以调整调制输出信号的频率扩展。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻T1から開始するオフセットキャンセル期間では、信号BP1〜BP3およびBN1がバイアスオン状態に、また信号BN＿AGCおよびBP＿AGCがカットオフ状態になる。

在时间T1处开始的偏移消除时段中，信号BP1～BP3和BN1被设为处于“BIAS ON”状态，而信号 BN_AGC和 BP_AGC被设为处于“CUT OFF”状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】2つの送信アンテナと2つの受信アンテナとをもつMIMO−OFDMシステムにおいて適用されるバイアス除去を用いたQRMMSE検出の例示的なブロック図。

图 6说明应用于具有两个发射天线和两个接收天线的 MIMO-OFDM系统中的具有偏差移除的 QRMMSE检测的实例框图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図10】2つの送信アンテナと2つの受信アンテナとをもつMIMO−OFDMシステムにおいて適用されるバイアス除去を用いたQRMMSE−VBLAST検出の例示的なブロック図。

图 10说明应用于具有两个发射天线和两个接收天线的 MIMO-OFDM系统中的具有偏差移除的 QRMMSE-VBLAST检测的实例框图。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、フィールドコンテンツについて、変換係数のスキャニング順序は、水平周波数及び垂直周波数間の所定の差異に基づき一般に垂直方向にバイアスをかける。

具体地，对于场内容，考虑水平频率与垂直频率之间的差，一般在垂直方向上变换系数的扫描顺序存在偏差。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方，補正処理では，その補正値に基づいて目標濃度が維持できるように各色のプロセス条件（例えば，露光強度，露光範囲，現像バイアス）を調整する。

而在校正处理中，根据该校正值，调整各色的处理条件 (例如曝光强度、曝光范围、显影偏压 )，以维持目标浓度。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、モードセレクタ1780は、より高いVCO雑音のトレードオフとともに電力消費量を低減するために、エネルギースキャンモードにおけるバイアス電流を低下させることができる。

例如，模式选择器 1780可以在能量扫描模式下降低偏流以缩减功耗，而带来较高的 VCO噪声。 - 中国語 特許翻訳例文集

バイアス制御回路4は、垂直信号線VSL−1〜VSL−Mのそれぞれにソース端子が接続されるM個のスイッチトランジスタ12で構成されている。

偏置控制电路 4由 M个开关晶体管 12构成，各开关晶体管 12的源极端子与垂直信号线 VSL-1～ VSL-M的每一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上説明した動作例1，2を整理すると、この実施の形態では、FDのダイナミックレンジを図7に示すように制御し、バイアス電圧を図8に示すように制御している。

若整理以上说明的动作例1、2，在该实施方式中，如图7所示那样控制FD的动态范围，如图 8所示那样控制偏压。 - 中国語 特許翻訳例文集

加えて、本例に係る構成では、後述する比較例1、2のように、例えば、垂直信号線制御用のバイアス回路やリセット信号制御回路、信号制御用コンパレータが必要ない。

此外，在本例的结构中，如后述的比较例 1、2所示，例如不一定需要垂直信号线控制用的旁路电路或复位信号控制电路、信号控制用比较器。 - 中国語 特許翻訳例文集

図示するように、比較例1に係る固体撮像装置では、AD変換部に、比較的に占有面積が大きいバイアス回路105およびリセット信号制御回路106が配置されている点で、上記実施形態と相違する。

如图所示，在比较例 1的固体摄像装置中，在模数变换部配置了占有面积较大的旁路电路 105和复位信号控制电路 106，在这一点上不同于上述实施方式。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、バイアス回路から生成したある閾値電圧を参照電圧としてリセット信号制御用コンパレータへ入れ、リセット信号との電位比較を行う。

在该情况下，将从旁路电路生成的某个阈值电压作为参照电压而输入到复位信号控制用比较器中，来与复位信号进行电位比较。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集