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次に、SiNを成膜し、フォトリソグラフィ、リフトオフなどによりコア部102を形成し、SOG成膜およびCMPやエッチバックにより平坦化し、クラッド部103を形成する（図7（b））。
然后，形成 SiN膜，通过光刻和剥离 (lift-off)等形成芯部件 102，形成 SOG膜并且通过 CMP或回蚀刻等执行平坦化，从而形成包层部件 103(图 7B)。
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