「フローティングディフージョン」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

フローティングディフージョン部（FD）37においても、絶縁膜との界面から電子が滲み出して暗電流が発生する。

在浮动扩散部 (FD)37中，电子从与绝缘膜的界面漏出，从而产生暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

隣接画素間では、このフローティングディフージョン部（FD）37における暗電流量が同等近くになる。

对于相邻像素来说浮动扩散部 (FD)37中的暗电流是彼此接近的。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施の形態においては、隣接画素間ではフローティングディフージョン部（FD）37に付加される暗電流も近いので、同じく信号処理によりフローティングディフージョン部（FD）37の暗電流の低減を図ることができる。

此外，由于本实施例中相邻像素的浮动扩散部 (FD)37的暗电流是彼此接近的，因而通过信号处理也能够减少浮动扩散部 (FD)37的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョン部（FD）37は、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して上層に形成された多層配線層51の所要の配線49に接続される。

浮动扩散部 (FD)37利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与形成在上层处的多层布线层 51的所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時、フローティングディフージョンFD1、FD1´のリセット電圧が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して出力され、このリセット電圧が信号処理回路12にて保持される。

此时，将浮动扩散部 FD1、FD1′的复位电压分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出，将该复位电压通过信号处理电路 12保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、フローティングディフージョンFD1、FD1´で変化した信号電圧（リセット電圧＋信号電圧）が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して信号処理回路12に出力される。

接着，将在浮动扩散部 FD1、FD1′中变化的信号电压 (复位电压+信号电压 )分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出给信号处理电路 12。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、図示するように、まず、時刻t1の際、リセットパルスが立ち上がりフローティングディフージョン部のリセット信号が垂直信号線VSLに送られる。

在该情况下，如图所示，首先，在时刻 t1时，复位脉冲升高，浮点扩散部的复位信号被发送到垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、漏れ込み光補正用画素24からの漏れ信号と、これに隣接する通常画素22からの信号を減算処理するとき、通常画素22におけるフローティングディフージョン部（FD）での暗電流を低減できる。

因此，对来自漏光修正用像素 24的漏光信号和来自与该漏光修正用像素 24相邻的普通像素 22的信号执行的减法处理能够减少普通像素 22的浮动扩散部 (FD)37中的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集

この際、通常時（a）では、フローティングディフージョン部（FD）は遮光されており電位変動はほぼ無い為、リセット信号はオートゼロ時に取得したとほぼ等しい電圧が出るのでコンパレータ8は反転し、その時間までのクロックカウント値をカウンタ11でカウント（計測）することでリセットカウントが確定する。

此时，在通常时 (a)，浮点扩散部 (FD)被遮光，电位变动几乎为零，由于复位信号出现与自动调零时所取得的电压几乎相等的电压，所以比较器 8反转，在该时间之前，通过由计数器 11对时钟计数值进行计数 (计测 )，由此来确定复位计数值。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、時刻t6の際、通常時（a）では、フローティングディフージョンFDは遮光されており電位変動はほぼ無いため、リセット信号は垂直信号線VSLにはオートゼロ期間（1）中に取得した信号とほぼ等しい電圧が読み出されるので、垂直信号線VSLと参照電圧VREFが等しくなった時にコンパレータ8は反転し、エッジ検出器10でその反転時のエッジを捉える事で、その時間までのクロックカウント（count clk）の値をカウント11でカウント（計測）することでき、リセットカウントが確定する。

接着，在时刻t6时，在通常时(a)，浮点扩散器FD被遮光，电位变动大致变无，所以复位信号向垂直信号线 VSL读取与在自动调零期间 (1)取得的信号大致相等的电压，所以在垂直信号线 VSL和参照电压 VREF变相等时比较器 8反转，通过在边缘检测器 10捕捉该反转时的边缘，能够在计数器 11对该时间为止的时钟计数 (count clk)的值进行计数 (计测 )，并确定复位计数。 - 中国語 特許翻訳例文集