「プラグスイッチ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

その後、サンプリングパルスSMP12がローレベルに切り替えられて、サンプリングスイッチSW201がオフする。

此后，采样脉冲 SMP12切换至低电平，以切断采样开关 SW201。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。

通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1Bは、IサンプルおよびQサンプルを生成するために、1つのADC122だけが必要となるよう（しかしながら2倍の速度サンプリングする）、IチャネルおよびQチャネルの両方を逐次的にサンプリングするため、ADC106およびADC110をスイッチ120と置換し得る、従来の間接サンプリングアーキテクチャーの別の例を示す。

图 1B示出了常规间接取样结构的另一示例，其中可用开关 120替换 ADC 106和ADC 110以对 I和 Q通道两者进行顺序地取样，从而只需一个 ADC 122(虽然以两倍速率进行取样 )以产生 I和 Q样本。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。

采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。 - 中国語 特許翻訳例文集

PBB−TEトンネルのトラフィックは常にロサンジェルスでネットワークに入り、シアトルで出るため、中間ノードがリンク上でトラフィックを直接スイッチすることを可能にするためOBPリンクを使用することが、中間ノードに各ホップでトラフィックをチェックしてルーティングすること要求するより効率的であり、安価である。

由于 PBB-TE隧道上的业务将始终在洛杉矶处进入网络并在西雅图处离开，使用OBP链路来使得中间节点能够直接切换链路上的业务比要求中间节点以检查并在每个跳处路由业务更高效且不那么昂贵。 - 中国語 特許翻訳例文集