「プログラム検証技術」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

代替として、メモリユニット301は、EEPROM（電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ）、EPROM（電気プログラマブル読取り専用メモリ）、ROM（読取り専用メモリ）、ASIC（特定用途向け集積回路）、磁気ディスク（たとえば、フロッピーディスク）、光ディスク（たとえば、CD−ROMまたはDVD−ROM）、メモリカード、フラッシュメモリおよび当技術分野でよく知られている他のものなど、他の回路タイプを備えることができ得る。

作为一种替代方式，存储器单元 301可以包括其他电路类型，诸如EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘 (例如软盘 )、光盘 (例如 CD-ROM或者 DVD-ROM)、存储卡、快闪存储器和本领域中公知的其他类型。 - 中国語 特許翻訳例文集

代替案として、メモリ910は、EEPROM（電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)）、EPROM（電気的プログラマブルリードオンリーメモリ(Electrical Programmable Read Only Memory)）、ROM（リードオンリーメモリ(Read Only Memory)）、ASIC（特定用途向け集積回路）、磁気ディスク、光ディスク、それらの組合せ、当技術分野においてよく知られている他のものなど他の回路タイプから成ることができる。

作为替代，存储器 910可由其它电路类型构成，例如 EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘、光盘、其组合，以及此项技术中众所周知的其它电路类型。 - 中国語 特許翻訳例文集

Rxビーム形成プロセスの間、ビーム形成コントローラ106は、図2を参照して上述したステアリングベクトルu1、u2、・・・、unのシーケンスを繰り返し、ベクトルuの現在の値に従って、位相シフト角度θ1、θ2、・・・、θnを、デジタル的に制御可能な遅延線130、132、134に適用してもよい。

在 Rx波束成形过程期间，波束成形控制器 106可以通过以上参考图 2而讨论的导向矢量序列 u1，u2，...un来迭代地步进，并且根据矢量 u的当前值向以数字方式可控的延迟线 130、132和 134应用相移角θ1，θ2，...θn。 - 中国語 特許翻訳例文集