「ホトトランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

我社の資産を運用するにあたり、投資方法をストラテジストに相談する。

我公司在运用资产的时候，会向战略家咨询投资方法。 - 中国語会話例文集

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4a及び図4bは、行選択トランジスタ112を加えられた本発明の代替の実施形態を示す。

图 4a及图 4b展示本发明的添加了行选择晶体管 112的替代实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、データ通信回路321，322，…，32nも、図6に示した補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

而且，数据通信电路 321、322、…、32n也可以还具备图 6所示的辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のこの態様は、UEまたはMSCサーバがDevIDを保護するときに採用されるのと同じ技法を使用するが、レジストラ（S−CSCF）により実施される。

本发明的此方面使用在 UE或 MSC服务器保护 DevID时采用的，但由注册器 (S-CSCF)执行的相同技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2のように、データ通信回路11は、補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

如图 2所示，数据通信电路 11可以还具备辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6のように、データ通信回路21は、補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

如图 6所示，数据通信电路 21可以还具备辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、データ通信回路22も、補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

同样，数据通信电路 22也可以还具备辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、駆動トランジスタN2は、飽和領域で動作する状態に制御される。

相应地，所述驱动晶体管 N2被控制为在饱和的状态中操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本発明のここに例示する実施形態により、ユーザ装置に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 9是根据本发明的示例性实施例对于用户设备说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

・1本の垂直信号線122に接続された画素20の全選択トランジスタ25をオフするときに定電流源30もオフする。

第一，当被连接到一垂直信号线 122的所有像素 20的选择晶体管 25被关断时，恒流源 30也被关断； - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本発明の1実施形態による、レジストラアプリケーションと関連した例示的な状態遷移表である。

图 5是根据本发明一个实施例、与登记者应用程序相关联的示例性状态转移表； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本発明の1実施形態による、レジストラアプリケーションと関連した例示的な状態遷移表500である。

图 5是根据本发明的一个实施例、与登记者应用程序相关联的示例性状态转移表500。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

登録中にDevIDが保護されていないときの、レジストラ（S−CSCF）によるGRUU生成のためのステップを参照のこと。

参阅当 DevID在注册期间不受保护时由注册器 (S-CSCF)进行 GRUU创建的步骤。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。

由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】本発明のここに例示する実施形態により、図2Aに示すネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 6是根据本发明的示例性实施例对于图 2A中所示的网络接入节点 (eNB)说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明のここに例示する実施形態により、ネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 8是根据本发明的示例性实施例对于网络接入节点 (eNB)说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】本発明のここに例示する実施形態により、図2A及び2Bに示すユーザ装置に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 7是根据本发明的示例性实施例对于图 2A和图 2B中所示的用户设备说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、ストライプの第1シーケンス中のデータ要素番号Nが、ストライプの第2シーケンス中のデータ要素番号Nと同じ水平位置を持つように、シーケンスが水平方向に位置合わせされることができる。

在这种情况下，这些序列可以水平对准，使得第一条纹序列中的数据元素号 N与第二条纹序列中的数据元素号 N具有相同的水平位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

演算器6は、ラッチ5にて保持した後のデジタルデータと、ラッチ5にて保持する前のデジタルデータとの差分を演算し、外部の後段回路に出力する。

运算器 6运算通过锁存器 5保持之后的数字数据与通过锁存器 5保持之前的数字数据之差，并输出给外部的后级电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

キューイング機能76（又は個別のキューイング機能76A、76B、76C）は、トラフィックが適切なリンクに配置されることを可能にするため、転送機能からのトラフィックを保持する。

排队功能 76（或单独排队功能 76A、76B、76C）保持来自转送功能的业务以使得业务能够被置于适当的链路上。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。

另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10は、レジスタから送信される制御信号を使用して補正回路、補正シフタ、および補正乗算器を制御することとして記述される。

收发器 10被描述为使用从寄存器发送的控制信号来控制校正电路、校正移位器及校正乘法器。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信アンプ15は、変調器14から無変調または変調された搬送波が送信信号として相補型の形態で入力されると、その送信信号は、トランジスタT1，T2により増幅されてアンテナ16に供給される。

在将未经调制的或调制过的载波作为互补类型的传输信号从调制器 14输入到传输放大器 15上时，用晶体管 T1和 T2放大此传输信号并提供给天线 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33，34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35，36とで構成されている。

各基准电压驱动电路 19a为相同构成，如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3，则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。 - 中国語 特許翻訳例文集

遮断の指示を有するRDI、例えば、RDI＝1を受信するとすぐ、ルート1は、選択装置ブリッジが保護トランスポートエンティティに接続して、リーフの保護経路上でトラフィックを転送するための指示をルート2に提供し、一方、選択装置ブリッジは、作動トランスポートエンティティに対する接続を維持することになる。

在接收到具有断开指示的 RDI时，例如， RDI＝ 1，则根 1向根 2提供关于在叶的保护路径上转发业务的指示，并且选择器桥接器连接到保护传输实体，同时选择器桥接器将保留针对工作传输实体的连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

これは、トラフィックが各中間ノードにより処理される必要を排除することによって、他のホップ毎のリンクをからトラフィックを維持する。

这通过消除对由每个中间节点来处理业务的需要来保持业务远离其它逐跳链路。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メッセージ認証器314は、メッセージの再読み取りの試みがオリジナルのスクランブリング情報（例えば、最初の読み取り試みに利用されたのと同じスクランブリング情報）によってうまくいけば、署名情報の変化以外の理由でメッセージがうまく読み取られなかったと確認することができる。

此外，消息检验器 314能够确认： - 中国語 特許翻訳例文集