「ホトトランジスター」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、データ通信回路321，322，…，32nも、図6に示した補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

而且，数据通信电路 321、322、…、32n也可以还具备图 6所示的辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本発明のここに例示する実施形態により、ユーザ装置に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 9是根据本发明的示例性实施例对于用户设备说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2のように、データ通信回路11は、補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

如图 2所示，数据通信电路 11可以还具备辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6のように、データ通信回路21は、補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

如图 6所示，数据通信电路 21可以还具备辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、データ通信回路22も、補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

同样，数据通信电路 22也可以还具备辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のこの態様は、UEまたはMSCサーバがDevIDを保護するときに採用されるのと同じ技法を使用するが、レジストラ（S−CSCF）により実施される。

本发明的此方面使用在 UE或 MSC服务器保护 DevID时采用的，但由注册器 (S-CSCF)执行的相同技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、ストライプの第1シーケンス中のデータ要素番号Nが、ストライプの第2シーケンス中のデータ要素番号Nと同じ水平位置を持つように、シーケンスが水平方向に位置合わせされることができる。

在这种情况下，这些序列可以水平对准，使得第一条纹序列中的数据元素号 N与第二条纹序列中的数据元素号 N具有相同的水平位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本発明の1実施形態による、レジストラアプリケーションと関連した例示的な状態遷移表である。

图 5是根据本发明一个实施例、与登记者应用程序相关联的示例性状态转移表； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本発明の1実施形態による、レジストラアプリケーションと関連した例示的な状態遷移表500である。

图 5是根据本发明的一个实施例、与登记者应用程序相关联的示例性状态转移表500。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】本発明のここに例示する実施形態により、図2Aに示すネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 6是根据本发明的示例性实施例对于图 2A中所示的网络接入节点 (eNB)说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明のここに例示する実施形態により、ネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 8是根据本发明的示例性实施例对于网络接入节点 (eNB)说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。

由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】本発明のここに例示する実施形態により、図2A及び2Bに示すユーザ装置に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 7是根据本发明的示例性实施例对于图 2A和图 2B中所示的用户设备说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、画像モニタリング装置20側では、リモート操作によりトラブルシミュレーションの実行を指示したと判別すると（図14BのステップP42でYes）、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、ディスプレイ28に、図16に示すようなトラブルメッセージとシミュレーション情報を同一画面（トラブルメッセージ付きシミュレーション情報画面120）上に表示する（図14BのステップP43）。

然后，在图像监控装置 20侧，当判别为通过遥控操作指示了故障模拟的执行时(在图 14B的步骤 S42为“是”)，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在显示器 28中，在同一画面 (带有故障消息的模拟信息画面 120)上显示图 16所示那样的故障消息和模拟信息(图 14B的步骤 P43)。 - 中国語 特許翻訳例文集

遮断の指示を有するRDI、例えば、RDI＝1を受信するとすぐ、ルート1は、選択装置ブリッジが保護トランスポートエンティティに接続して、リーフの保護経路上でトラフィックを転送するための指示をルート2に提供し、一方、選択装置ブリッジは、作動トランスポートエンティティに対する接続を維持することになる。

在接收到具有断开指示的 RDI时，例如， RDI＝ 1，则根 1向根 2提供关于在叶的保护路径上转发业务的指示，并且选择器桥接器连接到保护传输实体，同时选择器桥接器将保留针对工作传输实体的连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

演算器6は、ラッチ5にて保持した後のデジタルデータと、ラッチ5にて保持する前のデジタルデータとの差分を演算し、外部の後段回路に出力する。

运算器 6运算通过锁存器 5保持之后的数字数据与通过锁存器 5保持之前的数字数据之差，并输出给外部的后级电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

キューイング機能76（又は個別のキューイング機能76A、76B、76C）は、トラフィックが適切なリンクに配置されることを可能にするため、転送機能からのトラフィックを保持する。

排队功能 76（或单独排队功能 76A、76B、76C）保持来自转送功能的业务以使得业务能够被置于适当的链路上。 - 中国語 特許翻訳例文集

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を拡大して示す図である。

图 4放大地描述了根据实施例的具有 4个晶体管的 CMOS图像传感器中的像素的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照第一实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本実施形態に係る4つのトランジスタで構成されるCMOSイメージセンサの画素の一例を示す図である。

图 5是示出按照本实施例的 CMOS图像传感器的像素的例子的图，该像素由四个晶体管形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メッセージ認証器314は、メッセージの再読み取りの試みがオリジナルのスクランブリング情報（例えば、最初の読み取り試みに利用されたのと同じスクランブリング情報）によってうまくいけば、署名情報の変化以外の理由でメッセージがうまく読み取られなかったと確認することができる。

此外，消息检验器 314能够确认： - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集

特定利用者に対しては、バナーページに表示する内容を変更して出力することができるので、バナーページから重要な情報が他の利用者に読取られてしまうことを防ぐことができる。

对于特定的利用者，可以变更在标题页中显示的内容并输出，因此可以防止其他利用者从标题页读取重要的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像モニタリング装置20のディスプレイ28上にトラブルメッセージ（操作パネルアイコン50付きのトラブル画面70）を表示した状態で、トラブル画面70上に表示された操作パネルアイコン50を使用したリモート操作により、トラブルシミュレーションが実行されると、画像形成装置10のディスプレイ15において、トラブルメッセージの表示を継続する一方、画像モニタリング装置20のディスプレイ28に、画像形成装置10のトラブルに関するシミュレーション情報（操作パネルアイコン50付きのシミュレーション情報画面80）を表示する。

在图像监控装置 20的显示器 28上显示了故障消息 (带有操作面板图标 50的故障画面 70)的状态下，当通过使用了在故障画面 70上显示的操作面板图标 50的遥控操作，执行故障模拟时，在图像形成装置 10的显示器 15中，继续故障消息的显示，另一方面，在图像监控装置 20的显示器 28中，显示与图像形成装置10的故障相关的模拟信息 (带有操作面板图标 50的模拟信息画面 80)。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10は、レジスタから送信される制御信号を使用して補正回路、補正シフタ、および補正乗算器を制御することとして記述される。

收发器 10被描述为使用从寄存器发送的控制信号来控制校正电路、校正移位器及校正乘法器。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、本発明の実施形態では、ユーザ端末装置102は、トランザクションに含まれることになるIPアドレスおよびパスワードを暗号化するための線形帰還シフト・レジスタ（LFSR）を具備して作られている。

然而，在本发明的实施例的情况下，用户终端 102由线性反馈移位寄存器 (LFSR)配置以加密 IP地址和密码，并且 IP地址和密码包括在交易中。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】本発明の1実施形態による、エンローリーおよび／またはレジストラとして構成することのできるデバイスの様々なハードウェアブロックを示す。

图 11示出根据本发明实施例、适于被配置为加入者和 /或登记者的装置的各种硬件块。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11は、本発明の1実施形態による、エンローリーおよび／またはレジストラとして構成されることのできるデバイス1100のハードウェアブロック図を示す。

图11示出根据本发明一个实施例、适于被配置为加入者和/或登记者的装置1100的硬件框图。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

シグナリングまたは制御情報は、プロセッサ870によって一般的に生成されているが、トラフィックは、コール（例えば、音声セッション）を保持するまたはアプリケーション（例えば、電子メール、ウェブ・ブラウザ…）を利用するエンドユーザによって一般的に生成される。

虽然通常经由处理器 870产生信令或控制信息，但业务通常通过维持呼叫 (例如，语音会话 )或利用应用程序 (例如，电子邮件、网络浏览器……)的终端用户产生。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集