「メモリセル」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ここで、CPがPDと接続された低感度モードにおけるノイズは第1メモリセル部に、CPがPDから切り離された高感度モードにおけるノイズは第2メモリセル部に書き込まれる（期間（1）〜（8））。

这里，在 CP与 PD连接的低灵敏度模式中出现的噪声被写入到第一存储器单元部件，并且，在 CP与 PD断开连接的高灵敏度模式中出现的噪声被写入到第二存储器单元部件 (时段 (1)～ (8))。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、AFセンサの動作が開始されると、センサセル部101をリセットしたことによるノイズがメモリセル部に書き込まれる。

首先，当 AF传感器的操作开始时，由于传感器单元部件 101的复位而出现的噪声被写入到存储器单元部件。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積動作が終了したら、第2メモリセル部を用いてノイズ除去動作を行い（期間（11）〜（13））、その後バッファアンプ202から信号を読み出す（期間（14））。

在累积操作结束之后，通过第二存储器单元部件执行降噪操作 (时段 (11)～(13))，并且，从缓冲放大器 202读取信号 (时段 (14))。 - 中国語 特許翻訳例文集

ローカルデータベース90は1つ以上のフラッシュメモリセルから典型的に構成されるが、磁気媒体、EPROM、EEPROM、光学媒体、テープ、またはソフトディスクまたはハードディスクのような周知の任意の第2のストレージ装置または第3のストレージ装置であることができる。

本地数据库 90通常包括一个或更多个闪存单元，但也可以是如本领域中所知的任何二级或三级存储设备，诸如磁介质、EPROM、EEPROM、光学介质、带、或者软盘或硬盘。 - 中国語 特許翻訳例文集

低感度モードでのAGC動作においてPB比較器の出力が反転したら、センサセル部の蓄積動作を終了して、第1メモリセル部を用いてノイズ除去動作を行い（期間（11）〜（13））、その後バッファアンプ202から信号を読み出す（期間（14））。

当 PB比较器的输出在低灵敏度模式中执行的 AGC操作期间被反转时，传感器单元部件的累积操作结束，并且，通过第一存储器单元部件执行降噪操作 (时段 (11)～ (13))，并且，从缓冲放大器 202读取信号 (时段 (14))。 - 中国語 特許翻訳例文集