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該当件数 : 82件
メモリカード制御部106からメモリ制御部206に対する論理制御データは、ミリ波信号に変換され、ミリ波信号は伝送路結合部108,208間を誘電体伝送路9Aを介して伝送する。
将从存储卡控制部分 106到存储控制部分 206的逻辑控制数据转换为毫米波信号,并且经由介质传输线 9A在传输线耦合部分 108和 208之间传输毫米波信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
一例として、及び限定することなしに、非揮発性メモリは、読み取り専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能プログラマブルPROM(EEPROM)、又はフラッシュメモリを含むことができる。
举例而言,而不用于限制,非易失性存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集
限定ではなく一例として、不揮発性メモリは、リードオンリーメモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能なPRROM(EEPROM)、またはフラッシュメモリを含むことができる。
作为举例说明而非限制,非易失性存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集
一例として、及び限定することなしに、非揮発性メモリは、読み取り専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、又はフラッシュメモリを含むことができる。
作为解说而不构成限定,非易失性存储器可包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集
限定ではなく例として、不揮発性メモリは、読取り専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、またはフラッシュメモリを含むことができる。
以说明而非限制的方式,非易失性存储器可包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或快闪存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集
例示としてであり、制限するものではないが、不揮発性メモリは、リード・オンリー・メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、電気的にプログラム可能なROM(EPROM)、電気的消去可能ROM(EEPROM)またはフラッシュメモリを含むことができる。
(ROM)、 可 编 程 ROM(PROM)、 电 可 编 程 ROM(EPROM)、 电 可 擦 除PROM(EEPROM)或者闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、撮像装置300は、フレームメモリ304、表示部305、記録部306、操作部307、電源部308、およびCPU309も備える。
另外,所述成像装置 300还设置有帧存储器 304、显示部 305、记录部306、操作部 307、电源部 308以及 CPU 309。 - 中国語 特許翻訳例文集
つまり、電子機器101Aにおいては、凸形状構成198Aの部分に伝送路結合部108(特にアンテナ結合部)が配置され、メモリカード201Aにおいては、凹形状構成298Aの部分に伝送路結合部208(特にアンテナ結合部)が配置されるようにしている。
即,在电子装置 101A中的凸出形状配置 198A的部分中放置传输线耦合部分108(特别地,天线耦合部分 ),并且在存储卡 201A的凹陷形状配置 298A的部分中放置传输线耦合部分 208(特别地,天线耦合部分 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、メモリCCD30は各画素毎に設けられおり、メモリCCD30に蓄積された信号電荷は、同一の光電変換部20から異なる撮像タイミングで得られたものとなる。
另外,各个像素均设置有 CCD存储器 30,在 CCD存储器 30中积蓄了的信号电荷,即为用同一的光电转换部 20在不同的摄像定时得到的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集
代替として、メモリユニット301は、EEPROM(電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ)、EPROM(電気プログラマブル読取り専用メモリ)、ROM(読取り専用メモリ)、ASIC(特定用途向け集積回路)、磁気ディスク(たとえば、フロッピーディスク)、光ディスク(たとえば、CD−ROMまたはDVD−ROM)、メモリカード、フラッシュメモリおよび当技術分野でよく知られている他のものなど、他の回路タイプを備えることができ得る。
作为一种替代方式,存储器单元 301可以包括其他电路类型,诸如EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘 (例如软盘 )、光盘 (例如 CD-ROM或者 DVD-ROM)、存储卡、快闪存储器和本领域中公知的其他类型。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、合成画像メモリ32をフレームメモリ31や参照画像メモリ33と共有化して記憶部3をDRAM等の1つの大容量メモリで構成するような場合は、画像合成や符号化の処理において発生するメモリアクセスが1つのメモリに集中することになり、高速な大容量のDRAMを備える必要があり、小型化と省電力化の実現が困難であった。
另外,在帧存储器 31和参考图像存储器 33共用合成图像存储器 32,使用 DRAM等一个大容量存储器构成存储部 3的情况下,图像合成和编码的处理中产生的存储器访问集中到一个存储器,因此需要具备高速的大容量DRAM,小型化和省电化的实现较为困难。 - 中国語 特許翻訳例文集
用語メモリは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み出し専用メモリ(ROM)、不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、プログラマブル読取専用メモリ(PROM)、消去可能プログラマブル読取専用メモリ(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。
术语存储器可以指代各种处理器可读介质,例如,随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集
限定ではなく例によって、非揮発性メモリは読み取り専用メモリ(ROM)、プログラマブルROM(PROM)、EPROM(EPROM)、電気的に消去可能なPRROM(EEPROM)あるいはフラッシュメモリを含むことができる。
通过举例说明而非限制性地,非易失存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程 ROM(EEPROM)或闪速存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集
用語メモリは、様々なタイプのプロセッサによって読み取り可能な媒体、例えば、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み取り専用メモリ(ROM)、非揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、プログラマブル読み取り専用メモリ(PROM)、消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ(EPROM)、電気的消去可能PROM(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気記憶装置、光学記憶装置、レジスタ、等、を意味することができる。
术语存储器可指代各种类型的处理器可读媒体,例如随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储装置、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1実施形態のスロット構造4Aは、図1に示すように、電子機器101A側の信号生成部107および伝送路結合部108とメモリカード201A側の信号生成部207および伝送路結合部208と、ミリ波信号伝送路9(誘電体伝送路9A)に寄与する。
如图 1所示,根据第一实施例的槽结构 4A有助于 (contribute to)电子装置 101A侧的信号产生部分 107和传输线耦合部分 108、存储卡 201A侧的信号产生部分 207和传输线耦合部分 208,以及毫米波信号传输线 9(介质传输线 9A)。 - 中国語 特許翻訳例文集
図1において、電子カメラ1は、撮影光学系11と、撮像素子12と、画像処理部13と、バッファメモリ14と、表示部材15と、CPU16と、フラッシュメモリ17と、カードインターフェース(I/F)18と、操作部材19とを備える。
在图 1中,电子相机 1具有摄影光学系统 11、摄像元件 12、图像处理部 13、缓冲存储器 14、显示部件 15、CPU16、闪存 17、卡接口 (I/F)18和操作部件19。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ170は、受信装置150の電源がダウンしている間、または、アクティブでない間、コンテンツを保持するように企図されている。
存储器 170可以在接收装置 150关机或不活动时保持其内容。 - 中国語 特許翻訳例文集
コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、シンクロナスダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)、読取り専用メモリ(ROM)、不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。
计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体,例如,随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集
分散型サブシステム10に自律的メモリ装置102を使用して直線的サーチを遂行することは、メモリ装置102のアレイのコスト、並びに熱管理及び電力制約によって限定される。
使用在分布式子系统 10中的自主存储器装置 102来执行线性搜索将受存储器装置 102阵列的成本以及热管理和功率约束的限制。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ1010の外部にあるものとして示されているが、電気コンポーネント1004、1006、および1008の1つまたは複数は、メモリ1010の内部に存在することができることを理解されたい。
虽然展示为在存储器 1010外部,但应理解,电组件 1004、1006和 1008中的一者或一者以上可存在于存储器 1010内。 - 中国語 特許翻訳例文集
代替案として、メモリ910は、EEPROM(電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory))、EPROM(電気的プログラマブルリードオンリーメモリ(Electrical Programmable Read Only Memory))、ROM(リードオンリーメモリ(Read Only Memory))、ASIC(特定用途向け集積回路)、磁気ディスク、光ディスク、それらの組合せ、当技術分野においてよく知られている他のものなど他の回路タイプから成ることができる。
作为替代,存储器 910可由其它电路类型构成,例如 EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘、光盘、其组合,以及此项技术中众所周知的其它电路类型。 - 中国語 特許翻訳例文集
この信号電荷をメモリCCD30内で1段転送した後に、次の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号電荷を、新たに入力転送段31に転送する。
在将该信号电荷在 CCD存储器 30内一段传输后,将在下一次的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷重新向输入传输段 31传输。 - 中国語 特許翻訳例文集
これらミリ波信号への変換対象としない信号(電源を含む)については、後述の比較例と同様に、LSI機能部104,204から電気配線で端子まで引き延ばし、電子機器101Aとメモリカード201Aの双方の端子を介した機械的な接触で電気的な接続をとるようにする。
对于未设置为用于转换到毫米波信号的对象的信号 (包括电源 ),布线从 LSI功能部分 104和 204引到各端子,并且经由电子装置101A和存储卡 201A二者的端子通过机械接触建立电连接,如后面描述的比较示例中那样。 - 中国語 特許翻訳例文集
ミリ波信号への変換対象としない電源については、前述の比較例と同様に、LSI機能部104,204から電気配線で端子まで引き延ばし、電子機器101Aとメモリカード201Aの双方の端子を介した機械的な接触で電気的な接続をとるようにする。
对于未设置为用于转换到毫米波信号的对象的功率,从 LSI功能部分 104和 204到各端子引出布线,并且经由电子装置 101A和存储卡 201A二者的各端子通过机械接触建立电连接,如上述比较示例中那样。 - 中国語 特許翻訳例文集
その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。
结果,通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174,可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集
その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。
因此,通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中,可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集
前記電力会社サーバ200は、ハードディスクドライブなどの前記記憶部201に格納されたプログラム202を、RAM203などの揮発性メモリに読み出すなどして制御部204により実行することになる。
所述电力公司服务器200,把硬盘驱动器等所述存储部201中存储的程序202读出到 RAM203等易失性存储器中,通过控制部 204来执行。 - 中国語 特許翻訳例文集
コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、同期ダイナミックランダムアクセスメモリ(SDRAM)、読取り専用メモリ(ROM)、不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ(EEPROM)、フラッシュメモリ、磁気または光学データ記憶媒体などのコンピュータデータ記憶媒体を備えることができる。
计算机可读媒体可包含计算机数据存储媒体,例如随机存取存储器 (RAM)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、快闪存储器、磁性或光学数据存储媒体等。 - 中国語 特許翻訳例文集
次に、2サイクル目の撮像動作を行い、ここで得られた各信号電荷を、CCDメモリ30の各転送段に注入し、蓄積されていた電荷(信号電荷)に加算された積分信号電荷を改めてCCDメモリ30の各転送段で新たに蓄積する(蓄積ステップ)。
接着,实行第二个循环的摄像动作,将由此得到的各个信号电荷向 CCD存储器 30的各个传输段注入,将增加有积蓄了的电荷 (信号电荷 )的积分信号电荷再在 CCD存储器 30的各个传输段重新积蓄 (积蓄步骤 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
記憶部34は、たとえば半導体メモリ素子で構成され、受信電力差検出部30で検出された受信電力差、強入力信号特性検出部32で検出された周期、図3に示す変調方式別の所要SINR(所要SINRテーブル)などを記憶する。
存储部 34例如由半导体存储器元件构成,存储由接收功率差检测部 30检测的接收功率差、由强输入信号特性检测部 32检测的周期、图 3所示的各调制方式的所需SINR(所需 SINR表 )等。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図12】図12は携帯電話通信システムの基地局コントローラ(BSC)に属し得るメモリサブシステム内のデータ記憶の配置例を示す。
图 12示出可以驻留在蜂窝通信系统的基站控制器 (BSC)内的存储器子系统内的数据存储的示例布局。 - 中国語 特許翻訳例文集
上書きモードにおいては、前記の通りに、CCDメモリ30内の38個の転送段が38回分の撮像タイミングの信号電荷を記憶する。
就覆盖模式而言,如上所述,CCD存储器 30内的 38个的传输段存储 38次份的摄像定时的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集
ROM105は、電源を切っても内部データを保持することができる不揮発性の半導体メモリ(記憶装置)である。
ROM105是即使关闭电源也能够保留内部数据的非易失性半导体存储器 (存储装置 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
携帯端末装置2は、携帯電話機,携帯ゲーム機などであり、操作表示部20,記憶部21,無線通信部22,メモリ23,CPU24を備えている。
这里,手持设备 2可以是蜂窝电话或手持游戏装置,其包括操作显示单元 20,存储器单元 21,无线通信单元 22,存储器 23和 CPU24。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ1420の外部に存在するものとして示されるが、電気コンポーネント1404〜1416の1つまたは複数がメモリ1420内に存在し得ることが理解される。
虽然被展示为在存储器 1420外部,但应理解,电组件 1404到 1416中的一者或一者以上可存在于存储器 1420内。 - 中国語 特許翻訳例文集
電気コンポーネント604−612のうちの1つまたは複数がメモリ614の外部にあるように示されているが、メモリ614内に存在できることは理解されるべきである。
虽然图中将电组件 604-612示为位于存储器 614之外,但应当理解的是,电组件 604-612中的一个或多个可以位于存储器 614之内。 - 中国語 特許翻訳例文集
電気コンポーネント704−708の1つまたは複数は、メモリ714の外部にあるように示されているが、メモリ714内に存在することができることは理解されるべきである。
虽然图中将电组件704-708示为位于存储器 714之外,但应当理解的是,电组件 704-708中的一个或多个可以位于存储器 714之内。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ(ROM)、電気的プログラマブルROM(EPROM)、電気的消去可能なプログラマブルROM(EEPROM)、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在してもよい。
软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施形態に係るコンテンツ送信装置10は、データ処理部104、伝送処理部108、無線インターフェース部112、通信制御部116、メモリ120、アンテナ124、予約制御部160、記憶部162、表示部164、および入力部166を主に有する。
根据本实施例的内容发送设备 10主要包括数据处理单元 104、发送处理单元 108、无线接口单元 112、通信控制单元116、内存 120、天线 124、预订控制单元 160、存储单元 162、显示单元 164和输入单元 166。 - 中国語 特許翻訳例文集
本実施形態に係るコンテンツ出力装置20は、データ処理部204、伝送処理部208、無線インターフェース部212、通信制御部216、メモリ220、アンテナ224、スピーカ232、アンプ244、再生処理部248、再生制御部252、および記憶部256を主に有する。
根据本实施例的内容输出设备 20主要包括数据处理单元 204、发送处理单元 208、无线接口单元 212、通信控制单元 216、存储器 220、天线 224、扬声器 232、放大器 244、回放处理单元 248、回放控制单元 252和存储单元 256。 - 中国語 特許翻訳例文集
図9を参照すると、表示装置(display device)50は、表示パネル(display panel)100と、バックライトユニット200と、データ駆動部400と、ゲート駆動部500と、イメージ信号処理部(image signal processor)610と、ステレオ制御部(stereo controller)620と、フレーム変換制御部(frame conversion controller)630と、フレームメモリ(frame memory)640と、輝度制御部(luminance controller)210と、階調電圧生成部800などを備える。
参照图 9,显示装置 50包括显示面板 100、背光单元 200、数据驱动器 400、栅极驱动器500、图像信号处理器610、立体控制器620、帧转换控制器630、帧存储器640、亮度控制器 210和灰度电压产生器 800。 - 中国語 特許翻訳例文集
機械によって読み取り可能な媒体は、例として、RAM(ランダムアクセスメモリ)、フラッシュメモリ、ROM(読み取り専用メモリ)、PROM(プログラマブル読み取り専用メモリ)、EPROM(消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ)、EEPROM(電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ)、レジスタ、磁気ディスク、光学ディスク、ハードドライブ、又はあらゆるその他の適切な記憶媒体、又はそれらの組み合わせを含むことができる。
作为示例,机器可读介质可以包括 RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦式可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦式可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器、或者其他任何合适的存储介质、或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
機械可読媒体は、例として、RAM(ランダムアクセスメモリ)、フラッシュメモリ、ROM(読み出し専用メモリ)、PROM(プログラマブルな読み出し専用メモリ)、EPROM(消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ)、EEPROM(電気的に消去可能なPROM)、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、又はその他任意の適切な記憶媒体、或いはそれらの何れの組み合わせを含む様々なメモリ構成要素を含むことができる。
机器可读介质可以包括各种存储器组件,作为示例,包括: RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘、或任何其他适当的存储介质、或其任意组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
コンピュータ読取可能媒体は、例によれば、RAM(ランダム・アクセス・メモリ)、フラッシュ・メモリ、ROM(リード・オンリー・メモリ)、PROM(プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)、EPROM(消去可能プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)、EEPROM(電気的消去可能プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハード・ドライブ、またはその他任意の適切な記憶媒体、あるいはこれら任意の組み合わせを含みうる。
作为实例,计算机可读媒体可包括 RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它适合的存储媒体,或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、読み取り専用メモリ(ROM)、電気的にプログラム可能なROM(EPROM)、電気的に消去可能でプログラム可能なROM(EEPROM)、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当該技術で周知の任意の他の形態の記憶媒体の中に存在することもできる。
软件模块可驻存在随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ38a内のソフトウェアは1228.8Mbpsの伝送速度に対応したソフトウェアであることから、フォーマット変換部33に入力された信号の信号処理が実行され、ベースバンド処理部34に出力されることになる。
存储器 38a内的软件是对应于 1228.8Mbps的发送速度的软件。 因此,被输入到格式转换部件 33的信号的信号处理被执行,并且其被输出到基带处理部件 34。 - 中国語 特許翻訳例文集
上述されたシステムおよび方法は、業務用の、世界的な電子ファイル転送サービスを構築する手段を提供し、そのサービスは、現在に至るまでの物理的宅配サービスと同様の方法で、見積もりが可能である。
该系统和方法提供了一种用于建立商业级的全球电子文件传输服务的手段,所述传输服务能实现与迄今为止的实体递送服务相同的规模。 - 中国語 特許翻訳例文集
タイミング制御回路140は、画素部110、垂直走査回路120、水平転送走査回路130、列並列処理部160、DAC170、内部電圧生成回路180、信号処理回路220、ラインメモリ230の信号処理に必要なタイミング信号を生成する。
定时控制电路 140生成在像素部分 110、垂直扫描电路 120、水平传输扫描电路130、列并行处理部分 160、DAC 170、内部电压生成电路 180、信号处理电路 220、和线存储器230的信号处理所要求的定时信号。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体的には、図1に示すように、撮像装置100は、レンズ部1と、電子撮像部2と、撮像制御部3と、画像データ生成部4と、画像メモリ5と、特徴量演算部6と、ブロックマッチング部7と、画像処理部8と、記録媒体9と、表示制御部10と、表示部11と、操作入力部12と、中央制御部13とを備えている。
具体地,如图 1所示,摄像装置 100具备: 镜头部 1、电子摄像部 2、摄像控制部 3、图像数据生成部 4、图像存储器 5、特征量运算部 6、块匹配部 7、图像处理部 8、记录介质 9、显示控制部 10、显示部 11、操作输入部 12以及中央控制部 13。 - 中国語 特許翻訳例文集
機械可読媒体は、例として、RAM(ランダムアクセスメモリ)、フラッシュメモリ、ROM(読み取り専用メモリ)、PROM(プログラム可能な読み取り専用メモリ)、EPROM(消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ)、EEPROM(電気的に消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ)、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、または任意の他の適切な記憶媒体、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。
机器可读媒体可包括 (例如 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它合适存储媒体,或其任一组合。 - 中国語 特許翻訳例文集
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