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「モリブデン鋳鉄」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2件
記憶部34は、たとえば半導体メモリ素子で構成され、受信電力差検出部30で検出された受信電力差、強入力信号特性検出部32で検出された周期、図3に示す変調方式別の所要SINR（所要SINRテーブル）などを記憶する。
存储部 34例如由半导体存储器元件构成，存储由接收功率差检测部 30检测的接收功率差、由强输入信号特性检测部 32检测的周期、图 3所示的各调制方式的所需SINR(所需 SINR表 )等。
- 中国語 特許翻訳例文集
蓄積モード後の読み出し時（図7（c））における動作は、蓄積モードにおいて複数サイクルだけこのCCDメモリ80中を周回し、かつ積分されて最終転送段82に戻ってきた信号電荷を、上書きモードの場合と同様に読み出す。
积蓄步骤后的读出时 (图 7C)的动作，将以积蓄模式在 CCD存储器 80中仅复数次循环地被传输、积分而返回最终传输段 82的信号电荷，与覆盖模式的情况同样地读出。 - 中国語 特許翻訳例文集
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