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「ラッシュ」を含む例文一覧

該当件数 : 371



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なお、これらのタスクに対応する制御プログラムは、フラッシュメモリ44に記憶される。

再有,对应这些任务的控制程序被存储在闪速存储器44中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、メモリカード20は、例えば、フラッシュメモリ等によって構成され、各種のデータを記憶する。

在此,存储卡 20例如由闪存器等构成,存储各种数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッシュROM40には、接続設定プロファイル41、保証確認済リスト42が記憶されている。

快闪 ROM 40中存储有连接设定简档 41、已确认保证列表 42。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶部120は、フラッシュメモリ等の他の記憶装置を含んで構成されてもよい。

存储部 120也可以包括闪存存储器等其他存储装置而构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード51は、フラッシュメモリ等のメモリを使用したものであり、各種のデータを記憶する。

存储卡 51使用闪存存储器等存储器,存储各种数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

必要とされるコードメモリ80のサイズは、フラッシュメモリの特性に依存する。

所需的代码存储器 80的大小取决于闪存的特性。 - 中国語 特許翻訳例文集

ADC1035a/1035bは、デルタシグマADC、フラッシュADC、または任意の他のタイプのADCを使用して実装できる。

ADC1035a/1035b可以使用 delta-sigma型 ADC、flash型 ADC或其它类型的ADC来实现。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンテンツデータは、例えばハードディスク、フラッシュメモリ、光ディスクなどに格納されている。

例如,内容数据被存储在硬盘、闪存或光盘中。 - 中国語 特許翻訳例文集

また受信モジュール12は、チューナ回路部25、信号処理IC21、DRAM22、第1のフラッシュメモリ23、第2のフラッシュメモリ24などが、メイン基板とは別の回路基板(サブ基板)の実装面に配置されて形成されている。

另外,接收模块 12由布置在与主电路板分离的另一电路板 (子电路板 )的组件侧上的调谐器电路部分 25、信号处理 IC 21、DRAM 22、第一闪存 23、第二闪存 24等等构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

また信号処理IC21には、DRAM22、第1のフラッシュメモリ23、および第2のフラッシュメモリ24の各メモリが接続されており、信号処理IC21は、これらのメモリにアクセス可能となっている。

另外,信号处理 IC 21连接到各个存储器 (诸如 DRAM 22、第一闪存 23和第二闪存 24),以使得信号处理 IC 21可以访问各存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集


不運にも、プレフラッシュはフラッシュ写真の0.2〜0.6秒前に生じ、かかる期間は、被写体である人間の反応時間内で容易に認識可能である。

遗憾的是,预闪发生在闪光拍照之前 0.2-0.6秒,这是人类对象反应时间内很容易辨别的时段。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、非常に長いデータのダウンロード中に、特定の移動局に対してプリフラッシュを発行することができ、プリフラッシュは、その特定の移動局へのデータのダウンロードと時間多重化式に行われる。

例如,预闪可在数据到特定移动站的漫长下载的中间被发出,其中以与数据到特定移动站的下载的时间复用方式完成预闪。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッシュROM232に保存したファイルを削除することで、フラッシュROM232の容量を有効に活用することができ、またアプリケーションサーバ12からは常に最新のファイルをダウンロードすることができる。

通过删除保存在闪速 ROM 232中的文件可以高效地使用闪速 ROM 232的容量,并且还可以从应用程序服务器 12下载最新的文件。 - 中国語 特許翻訳例文集

ローカルノード100はさらに、ローカルフラッシュブロック112、リモートフラッシュブロック116、ディスクストレージブロック118、および、OSメッシュエージェント114を備える。

本地节点 100另外包括本地闪存块 (flash block)112、远程闪存块 116、盘存储块118及 OS网状代理 114。 - 中国語 特許翻訳例文集

なおROM28について、例えばフラッシュメモリなどをはじめとする不揮発性メモリを採用することとした場合には、フラッシュメモリ30に代えて、このROM28における一部記憶領域を使用することとしてもよい。

当例如包括闪存的非易失存储器被用在 ROM 28中时,ROM 28的部分存储区域可以代替闪存 30使用。 - 中国語 特許翻訳例文集

なおROM28について、例えばフラッシュメモリなどをはじめとする不揮発性メモリを採用することとした場合には、フラッシュメモリ30に代えて、このROM28における一部記憶領域を使用することとしてもよい。

当在 ROM 28中使用非易失性存储器 (例如,闪存 )时,可以使用 ROM 28的局部存储区域代替闪存 30。 - 中国語 特許翻訳例文集

40は絞り機能を備えるシャッター12を制御する露光制御手段であり、フラッシュ48と連携することによりフラッシュ調光機能も有する。

曝光控制单元 40控制具有光圈功能的快门 12,并且还具有与闪光灯 48相关联的闪光灯发光调整功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、フラッシュ撮影の設定変更を行う「フラッシュモード設定」、マクロ撮影を行う「マクロ設定」、セルフタイマー撮影を行う「セルフタイマー設定」、フラッシュ発光・シャッター音鳴動を禁止する「マナーモード設定」など、これらの設定変更を行った際に、OSD情報にてガイダンスが表示される場合があるが、この場合にも本発明によるOSD表示制御を適用することが可能である。

当改变这些设置时,可以将引导显示为 OSD信息。 根据本发明的 OSD显示控制可以用于这种情况。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ機能部205は、たとえばフラッシュメモリやハードディスクにより提供される不揮発性の記憶媒体である。

例如,存储功能部分 205是由闪存或硬盘提供的非易失性存储介质。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS308では、撮影した画像に関する画像関連情報をフラッシュメモリ133とカメラ内メモリ144に記録する。

在步骤 S308中,CPU 121将与所拍摄图像有关的图像相关信息记录在闪速存储器133和照相机存储器 144上。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッシュ102は、静止画撮影モードにおいて、暗所での撮影の場合に、閃光を発して撮影光量の不足を補う。

在静止图像摄影模式下在暗处进行摄影的情况下,闪光灯 102发出闪光来补充摄影光量的不足。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶装置10は、典型的にRAMとして実装され、特別な適用のために、不揮発性記憶装置(NVRAM、フラッシュメモリ、FeRAM、MRAM、PCRAM)も可能である。

存储器 10通常被实施为 RAM,针对特定的应用,非易失性存储器 (NVRAM、快闪存储器、FeRAM、MRAM、PCRAM)也是可能的。 - 中国語 特許翻訳例文集

また第1のフラッシュメモリ23は、主に、信号処理IC21を動作させるためのプログラムを記憶させておくメモリとして用いられる。

另外,第一闪存 23主要用作存储操作信号处理 IC 21的程序的存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、信号処理IC21は、DRAM22を作業領域として用い、第1のフラッシュメモリ23に記憶されているプログラムに基づいて動作する。

换言之,信号处理 IC 21在使用DRAM 22作为工作区的同时基于在第一闪存 23中存储的程序而工作。 - 中国語 特許翻訳例文集

次いで、ステップ402dにおいて、ビデオファイル4dが添付され、この後にフラッシュファイル4eがステップ402eにおいて添付される。

然后,在步骤 402d中,视频文件 4d被附加,其后是在步骤 402e中 flash文件 4e被附加。 - 中国語 特許翻訳例文集

OFDMAシステムは、エボルブドUTRA(E−UTRA)、ウルトラ・モバイル・ブロードバンド(UMB)、IEEE802.11(Wi−Fi)、IEEE802.16(WiMAX)、IEEE802.20、フラッシュOFDMなどの無線技術を実現可能である。

OFDMA系统可实现诸如演进 UTRA(E-UTRA)、超移动宽带 (UMB)、IEEE 802.11(Wi-Fi)、 IEEE 802.16(WiMAX)、 IEEE 802.20、 Flash-OFDM等之类的无线电技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図1】a乃至dは、捕捉されたデジタル画像に生じ得る通常のフラッシュで引き起こされた目欠陥の例を示す。

图 1a-图 1d示出了可能出现在捕捉的数字图像中的常见闪光灯引起的眼睛缺陷的示例。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4(A)は、前記RAM24(又はフラッシュメモリで構成したROM23)に記憶されるウィンドウ制御テーブル24Aの一例を示す図である。

图 4是表示存储在所述 RAM24(或者由闪存构成的 ROM23)中的窗口控制表 24A的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、CPU31が実行するプログラムを記憶する記憶媒体は、ROMに限定されず、HDD(ハードディスク)やフラッシュメモリなどであってもよい。

存储由 CPU 31执行的程序的存储介质不限于 ROM,也可以是硬盘驱动器 (HDD)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

接続は、LAN(Local Area Network[構内ネットワーク])ポート69、USBハブ71およびローカルBIOS(Basic Input/Output System[基本入出力システム])フラッシュメモリ73を含みうる。

连接可以包括 LAN(局域网 )端口 69、USB集线器 (USB hub)71和本地 BIOS(基本输入 /输出系统 )闪存 73。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッシュメモリ731は、例えばCPU732の制御により、そのMPEG-TSを、内部バス729を介してMPEGデコーダ717に供給する。

例如,闪存 731在 CPU 732的控制下经内部总线 729将该 MPEG-TS提供给MPEG解码器 717。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶媒体306は、ハードドライブ、フラッシュメモリ、光学的記憶デバイスなどを含む、いかなるタイプの記憶デバイスであってもよい。

存储媒体 306可以是任何类型的存储装置,包括硬驱动器、快闪存储器、磁带、光学存储装置等。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッシュ48は、中央制御回路50の制御の下で発光することで被写体に補助光を照射する。

电子闪光灯 48在中央控制电路 50的控制下发光,以利用辅助光照射被摄体。 - 中国語 特許翻訳例文集

この実施例において、記憶モジュール120は、フラッシュメモリのような不揮発性メモリを含んでも良いが、これに限らない。

在另一个例子之中,存储模块 120可以包含诸如闪存的非易失性存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、地図サーバへの接続に必要な情報、例えば地図サーバのURLやIPアドレスは、あらかじめフラッシュメモリやHDD104に記録されている。

另外,与地图服务器的连接所需要的信息、例如地图服务器的 URL、IP地址,被预先记录在闪存、HDD104中。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、AVアンプ300は、オーディオ増幅回路318と、オーディオ出力端子319a〜319fと、内部バス320と、CPU321と、フラッシュROM322と、RAM323とを有している。

进一步,AV放大器 300包括音频放大电路 318、音频输出端子 319a到 319f、内部总线 320、CPU 321、闪速 ROM 322和 RAM 323。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップ412において、WTRUはメッセージバッファをフラッシュし、ステップ414において、プリアンブル送信カウンタをゼロに初期化する。

在步骤 412,WTRU将消息缓冲器清空,然后在步骤 414,WTRU将将前同步码传输计数器初始化为零。 - 中国語 特許翻訳例文集

ノードE 210のこのリソースリストは、ノードE 210のローカルフラッシュブロックに保持されているとしてよい。

节点 E 210的资源列表可在节点 E 210的本地闪存块中维护。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶部14は、例えば、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ、シリコンディスクドライブ等の記憶装置である。

存储单元 14是诸如硬盘驱动器、闪速存储器或硅磁盘驱动器的存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

これらのデータは、HDD2130に限らず、電源が切れても記憶保持可能な記録媒体(例えば、フラッシュメモリ)に格納してもよい。

可以替代 HDD 2130,而将这些数据存储在即使不供电也能够保持已存储的信息的记录介质 (例如,闪存 )中。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶部12は、データの書き換えが可能な不揮発性の半導体メモリ(例えばフラッシュメモリ)から構成されている。

存储部 12由可改写数据的非易失性半导体存储器 (例如闪存 )构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶部22は、データの書き換えが可能な不揮発性の半導体メモリ(例えばフラッシュメモリ)から構成されている。

存储部 22由可改写数据的非易失性半导体存储器 (例如闪存 )构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

CPU16は、フラッシュメモリ17が記憶するプログラムを実行することにより、電子カメラ1が行う動作を制御する。

CPU16通过执行由闪存 17存储的程序,控制电子相机 1进行的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

ライン22を介してプロセッサ17により制御されるオプションの光フラッシュユニット21も含まれ得る。

也可以包括通过线路 22由处理器 17控制的可选闪光灯单元 21。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、記憶装置114は、ハードディスク装置であっても、フラッシュメモリであっても、DVDなどのディスク装置であってもよい。

并且,记忆装置 114,可以是硬盘装置、闪存或 DVD等的磁盘机。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、記憶部104としては、例えば、ハードディスクなどの磁気記録媒体や、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリなどが挙げられる。

这里,存储单元 104的示例包括磁记录媒体如硬盘、非易失性存储器如闪存等。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、記憶部204としては、例えば、ハードディスクなどの磁気記録媒体や、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリなどが挙げられる。

这里,存储单元 204的示例包括磁记录媒体如硬盘和非易失性存储器如闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶部220は、例えば、NANDフラッシュメモリによって構成され、NAS20における制御などに用いられる各種情報を記憶する。

存储部 220例如由 NAND闪存 (NAND Flash Memory)构成,对在 NAS 20中的控制等中使用的各种信息进行存储。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、SSD(Solid State Drive)、フラッシュメモリ、SDカード等の記憶媒体が接続され、これらにオペレーティングシステムが記憶されていてもよい。

例如,也可以连接 SSD(Solid State Drive:固态硬盘 )、闪存、SD卡等存储介质,并将操作系统存储在这些存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、記憶部106としては、例えば、ハードディスクなどの磁気記録媒体や、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリなどが挙げられる。

这里,存储单元 106可以包括例如磁记录介质 (如硬盘 )、非易失性存储器 (如闪存 )等。 - 中国語 特許翻訳例文集

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