「ランタン族」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ランプ線を端子ブロックに接続する。

把电灯线接到端子块上。 - 中国語会話例文集

各スイッチSW1−1〜SW1−xの端子aにそれぞれ基準電位VSS、たとえばグランドGNDに接続された電流源I1−1〜I1−xが接続されている。

连接到地 GND的基准电势 VSS，例如电流源 I1-1至 I1-x，分别连接至开关 SW1-1至 SW1-x的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集

各スイッチSW2−1〜SW2−yの端子aにそれぞれグランドGNDに接続された電流源I2−1〜I2−yが接続されている。

连接到地 GND的电流源 I2-1至 I2-y分别连接至开关 SW2-1至 SW2-y的端子 a。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

共通の制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

公共的控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，连还接到 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，还与 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。

放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、電源VDDに基準抵抗R1の一端が接続され、基準抵抗R1の他端にランプDAC171の出力およびクランプDAC172の出力が接続され、その接続点によりランプ出力ノードND171が形成されている。

具体地，基准电阻器 R1的一端连接至电源 VDD。 斜坡 DAC 171的输出和箝位 DAC 172的输出连接至基准电阻器 R1的另一端，并且连接点构成斜坡输出节点 ND171。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。

差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

接続端子25aは、電源用端子251a、グランド用端子252a、I2Cバス用の接続端子253a、254a、CVBS用端子255a、SIF信号用端子256a、IF信号用端子257a、TS信号用端子258aである。

连接端子 25a包括电源端子 251a、接地端子 252a、I2C总线连接端子 253a和 254a、CVBS端子255a、SIF信号端子 256a、IF信号端子 257a、以及 TS信号端子 258a。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、キャパシタC311の第2電極がランプ信号RAMPの入力端子TRAMPに接続されている。

电容器 C311的第二电极连接至用于斜坡信号 RAMP的输入端子 TRAMP。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することで、電源用端子孔101に電源用端子251a、グランド用端子孔102にグランド用端子252aを挿入するように、チューナユニット2AをTV基板1に装着したときのみ、他の接続端子もそれぞれ対応する端子孔に正しく挿入される。

通过该配置，只有当调谐器单元 2A安装在 TV板 1上且电源端子 251a被插入电源端子孔 101同时接地端子 252a被插入接地端子孔 102时，其余连接端子才被正确地插入相应的端子孔中。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

時刻T2に信号PTN1、PTN2、PGRがハイレベルになると、単位画素100の出力端子が差動増幅回路4の非反転入力端子と電気的に接続されるとともに、差動増幅回路4の出力端子がクランプ容量の一方の端子と接続される。

当信号 PTN1、PTN2和 PGR在时间 T2处被切换到高电平时，单位像素 100的输出端子与差分放大器电路 4的非反相输入端子电连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与箝位电容器的电极之一连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、信号PTS1がハイレベルになることで、単位画素100の出力端子とクランプ容量24の一方の端子とが電気的に接続される。

此外，信号 PTS1被切换到高电平，由此，单位像素 100的输出端子与箝位电容器 24的端子之一电连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2負荷トランジスタ624は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が負荷トランジスタ614のドレイン端子に接続される。

另一方面，第二负载晶体管 624使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子连接到负载晶体管 614的漏极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

無線通信端末（例えば、中継ノード（RN））は、コントローラに接続されたトランシーバを備える。

无线通信终端例如中继节点 (RN)包括耦合到控制器的收发信机。 - 中国語 特許翻訳例文集

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

共通出力線102は、トランスファースイッチ226の一方の端子及びフィードバックスイッチ227の一方の端子と接続される。

共用输出线 102与作为节点 N4的传送开关 226的一个端子和反馈开关 227的一个端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すように、TV基板1には8個の端子孔10（第2の接続端子）が直線状に並んで形成されている。

如图 3中所示，TV板 1中形成有 8个端子孔 10(第二连接端子 )，这些端子孔 10排列成直线。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、画面GB22においては、ボタンBT41〜BT43に代えて、上下左右のそれぞれの枠消し領域幅に関する設定欄が設けられている。

具体地说，在画面 GB22中，代替按钮 BT41～ BT43，设置了与上下左右的各自的边框消除区域宽度有关的设定栏。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力端子22からのこの外乱低減信号は、増幅器27及び28により入力端子20及び21に入力された音声信号の各々からそれぞれ減算される。

从输入 22，将该骚扰减小信号从放大器 27和 28在输入 20和 21处所输入的各个音频信号中分别减去。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような、アナログ出力用の接続端子が省略されているチューナユニットであっても、のこりの接続端子（電源、グランド、I2C、IF、TS）を端子孔と正確に対応させることで、TV基板1に取り付けることができる。

没有用于模拟输出的连接端子的调谐器单元仍可安装在 TV板1上，只要其余连接端子 (电源、接地、I2C、IF和 TS)恰当地与端子孔配合。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。

地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制，在被行选择后导通的期间，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

ハウジング620は、試験装置600とトランシーバ10の間の接続を容易にするために、トランシーバの受信光ポート24R及び送信光ポート24Tにそれぞれが嵌合する、「ダミー」プラグ端212R及び212Tを有することができる。

外壳 620可包括“假 (dummy)”插头端 212R、212T，它们配合于各个收发机接收和发送光学端口 24R、24T以利于在便携式测试设备 600和收发机 10之间形成连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

送信信号が最高電力の25dBである場合、相互トランスダクタンス増幅器の入力に転送されたIMD2は、−75dBm（図示せず）である。

当发射信号处于最大功率 25dBm时，被称为跨导放大器 (未示出 )的输入的 IMD2为 -75dBm。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、トランシーバ602は、複数の出力端子を有していてもよく、それぞれの出力端子は、特定の周波数帯域に送信信号を提供するように適合されている。

因而，收发机 602可具有多个输出终端，其中每个输出终端适于提供特定频带发射信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

但し、このときのFD25の電圧は増幅トランジスタ23の閾値以下であるから、増幅トランジスタ23はソースフォロワ回路動作の開始をスタンバイしている状態になる。

但是，由于此时的 FD25的电压为放大晶体管 23的阈值以下，放大晶体管 23成为准备开始源极跟踪器电路动作的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集