「リコン」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

半導体基板10は、例えばシリコン基板からなる。

例如，半导体基底 10是硅基底。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリコントローラ39は、メモリ38を制御する。

存储器控制器 39控制存储器 38。 - 中国語 特許翻訳例文集

7日発売されたCDがオリコン１位になりました。

7号发行的CD成为了音乐榜的首位。 - 中国語会話例文集

多くの技術者が仕事を探しにシリコンバレーに集まった。

很多技师聚集在硅谷来找工作。 - 中国語会話例文集

「シリコンドリフト検出器（SDD）」と呼ばれる市販のシリコンセンサの最新世代は、適切な動作に液体窒素温度への冷却を必要とするような従来の所謂リチウムドリフトシリコン（Si（Li））と比較して、非常に高い温度で動作する。

称为“硅漂移检测器”(SDD)的最新一代的商业硅传感器在比必须被冷却至液氮温度以进行正确操作的传统的所谓锂漂移硅 (Si(Li))高得多的温度下工作。 - 中国語 特許翻訳例文集

印刷アセンブリコンポーネントの種類は、MFD100が用いる印刷技術に応じて決めることができる。

打印配件组件的类型可以取决于 MFD 100使用的打印技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すように、記憶部14は、メモリ38と、メモリコントローラ39と、に対応している。

如图 3所示，存储部 14与存储器 38及存储器控制器 39相对应。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5に示すように、記憶部24は、メモリ48と、メモリコントローラ49と、に対応している。

如图 5所示，存储部 24与存储器 48和存储器控制器 49相对应。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリコントローラ49は、メモリ48に対するデータの記憶・読み出し制御を行う。

存储器控制器 49对存储器 48进行数据的存储、读出控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

シリコン製のデバイスでは、温度が摂氏7度上昇する毎に漏れはおよそ倍になる。

在硅器件中，对于每 7摄氏度的温度增加，泄漏大约加倍。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリP115およびメモリP120へのアクセスは、メモリコントローラ（図示せず）により制御され得る。

可以由存储器控制器 (未示出 )控制对存储器 P115和存储器 P120的访问。 - 中国語 特許翻訳例文集

このＣＤには、オリコンランキング入りした数少ない曲のうちの一つが入っています。

这张CD里有一首在公信榜上榜的为数不多的曲子。 - 中国語会話例文集

今回のペン字グランプリコンクールは市第一印刷工場とテレビ局が共催する．

这次硬笔书法大奖赛由市第一印刷厂和电视台协办。 - 白水社 中国語辞典

なお、図7は機能ブロックの説明図であるため、図7に示した配置とシリコン・チップ上の実際の配置とは異なる。

注意，由于图 7是图示出功能块的说明性示图，因此图 7所示的布置与硅芯片上的实际布置不同。 - 中国語 特許翻訳例文集

ファクシミリコントロールユニット（FCU）20は、画像形成装置1におけるファクシミリの送信処理及び受信処理を制御する。

传真控制单元 (FCU)20用于控制图像形成装置 1中的传真的发送处理和接收处理。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶部14は、例えば、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ、シリコンディスクドライブ等の記憶装置である。

存储单元 14是诸如硬盘驱动器、闪速存储器或硅磁盘驱动器的存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

センサ31は、電荷結合素子（CCD）、相補型メタルオンシリコン（CMOS）素子または他の同様なタイプの光センサとすることができる。

传感器 31可以是电荷耦合器件 (CCD)、互补硅上金属 (CMOS)器件或其他类似的光传感器。 - 中国語 特許翻訳例文集

システム400は、処理装置404、メモリ406、メモリコントローラ408、ホストインターフェース410、および／または画像プロセッサ450を含んでいる。

系统 400包括处理单元 404、存储器 406、存储器控制器 408、主接口 410和 /或图像处理器 450。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、システム400は、画像プロセッサ450および／またはメモリコントローラ408に接続されたメモリ406を含んでいる。

在一个实施例中，系统 400包括耦合到图像处理器 450和 /或存储器控制器 408的存储器 406。 - 中国語 特許翻訳例文集

システム400の一実施形態は、メモリ406およびホストインターフェース410に接続されたメモリコントローラ408を含んでいる。

系统 400的一个实施例包括耦合到存储器 406和主接口 410的存储器控制器 408。 - 中国語 特許翻訳例文集

共通メモリコントローラ108はメインバス103から共通メモリ109にアクセスするための制御を行う。

公用存储器控制器 108对经由主总线 103对公用存储器 109的访问进行控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

RFIDタグは、一般には、「シリコンチップアンテナ」ユニットが組み込まれた粘着性ラベルの形をとる。

RFID标签通常采用集成有“硅芯片 -天线”单元的不干胶标签形式。 - 中国語 特許翻訳例文集

NB13は、CPU11とMEM−P12、SB14、AGPバス15とを接続するためのブリッジであり、MEM−P12に対する読み書きなどを制御するメモリコントローラと、PCIマスタおよびAGPターゲットとを有する。

NB 13是用于将 CPU 11连接到MEM-P 12、SB 14及AGP总线 15的桥。 NB 13包括主 PCI(PCI master)、目标AGP(AGP target)及控制从MEM-P 12等读取和对MEM-P 12等写入的存储器控制器。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、システムおよび／または方法の示されたメモリコンポーネントは、限定されずに、これらおよび他の適切なタイプのメモリを含むようにここに意図される。

另外，本文中的系统和 /或方法的所揭示的存储器组件希望包含 (但不限于 )这些和任何其它合适类型的存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリコンテンツを操作する特定の目的で設計された分散型サブシステム10では、有用なハードウェアプリミティブの限定セットを実施することができる。

使用为处理存储器内容的特定目的而设计的分布式子系统 10，可以实施有限集的有用硬件基元。 - 中国語 特許翻訳例文集

NB13は、CPU11とMEM−P12、SB14、AGPバス15とを接続するためのブリッジであり、MEM−P12に対する読み書きなどを制御するメモリコントローラと、PCIマスタおよびAGPターゲットとを有する。

NB 13是用于将 CPU 11连接到MEM-P 12、SB 14及 AGP总线 15的桥，NB 13包括用于控制从MEM-P 12进行读取和对MEM-P 12进行写入的存储器控制器、主 PCI及 AGP目标。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、受信装置は、デュアルインラインメモリモジュール（「DIMM」）を表すことができ、ソースは、DIMMへと送信されたデータ及びDIMMから送信されたデータの流れを管理するメモリコントローラを表すことができる。

例如，接收设备可以代表双列直插存储器模块 ( “DIMM” )，并且源可以代表管理向DIMM和从DIMM传输的数据流的存储器控制器。 - 中国語 特許翻訳例文集

受信ハンドセット42が指示を含んだコールを受信すると、CID情報がコール発信者のディレクトリ（コンタクトリスト）から回収され、ユーザに表示/出力される。

当接收手持机 42接收到具有指示符的呼叫时，从本地呼叫方目录 (联系人列表 )中检索 CID信息，并且将其显示 /输出给用户。 - 中国語 特許翻訳例文集

システム制御部339は、上述のようなメモリコントローラ338の動作やファイル生成部333およびファイル復号部334の動作を制御する。

系统控制单元 339控制上述的存储器控制器 338的操作或者文件产生单元 333和文件解码单元 334的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

LSI製造後に、プログラムすることが可能なFPGA（Field Programmable Gate Array）や、LSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサーを利用してもよい。

也可以使用在 LSI制造后可编程的 FPGA(Field ProgrammableGate Array)，或者可重构 LSI内部的电路单元的连接和设定的可重构处理器。 - 中国語 特許翻訳例文集

NB313は、CPU311とMEM−P312、SB314、AGP315とを接続するためのブリッジであり、MEM−P312に対する読み書きなどを制御するメモリコントローラと、PCIマスタおよびAGPターゲットとを有する。

NB 313是用于将 CPU 311连接到 MEM-P 312、SB 314和 AGP 315的桥，并且包括控制在 MEM-P 312、PCI主机和 AGP目标中的写入的存储器控制器。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

照明モジュール32はレーザダイオードのような1行の端部放出型光電子要素70を有し、それはシリコンウェハのような基板72上に形成される。

模块 32包括一行边缘发射光电元件 70，诸如激光二极管，它们形成在衬底 72诸如硅晶片上。 - 中国語 特許翻訳例文集

電子カメラは、電荷結合素子（CCD）、相補型メタルオンシリコン（CMOS）素子または他のタイプの光センサのような2次元センサ上に場面を結像する。

电子照相机将景物成像到二维传感器上，诸如电荷耦合器件 (CCD)、互补硅上金属器件 (CMOS)(complementary metal on silicon device)或其他类型的光传感器。 - 中国語 特許翻訳例文集

LSI製造後に、プログラムすることが可能なFPGA（Field Programmable Gate Array）や、LSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用してもよい。

也可以利用在制造 LSI后能够编程的 FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列 )、或可重构 LSI内部的电路单元的连接或设定的可重构处理器。 - 中国語 特許翻訳例文集

システム400の一実施形態は、メモリコントローラ408および／またはホストインターフェース410を介してメモリ406に接続された処理装置404を含んでいる。

系统 400的一个实施例包括通过存储器控制器 408和 /或主接口 410耦合到存储器 406的处理单元 404。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリコントローラ408は、メモリ406との間でデータの読み出しおよび／またはデータの書き込みが可能なソフトウェアエージェントおよび／またはハードウェア要素の任意の組合せであってよい。

存储器控制器 408可以是能够从存储器 406读取数据和 /或向存储器 406写入数据的软件代理和 /或硬件组件的任意组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

特に、メモリコントローラ408は、外部ビデオ、音声、および／または画像ソース等、各種の内部および／または外部クライアントによるメモリ406へのアクセスを調整する。

具体地，存储器控制器 408协调诸如外部视频、音频和 /或图像源等各种内部和 /或外部客户对存储器 406的访问。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、システム400は任意選択的に、メモリコントローラ408および／または処理装置404に接続されたホストインターフェース410を含んでいる。

在一个实施例中，系统 400任选地包括耦合到存储器控制器 408和 /或处理单元404的主接口 410。 - 中国語 特許翻訳例文集

通信装置は、メインバス103にメインシステム101とサブシステム102と共通メモリコントローラ108を介して共通メモリ109が接続されている。

在通信装置中，主系统 101和副系统 102连接至主总线 103，公用存储器 109经由公用存储器控制器 108连接至主总线 103。 - 中国語 特許翻訳例文集

メインプロセッサ104は、ローカルバス107、バスブリッジ106を介してメインバス103、共通メモリコントローラ108、共通メモリ109、タイマー118とアクセス可能である。

主处理器 104能够经由本地总线 107和总线桥 106访问主总线 103、公用存储器控制器 108、公用存储器 109和计时器 118。 - 中国語 特許翻訳例文集

メインシステム状態検出部105によって検出された情報はバスブリッジ106、メインバス103、共通メモリコントローラ108を介して共通メモリ109内の所定の記憶領域に書込まれる。

将由主系统状态检测单元 105检测到的信息经由总线桥 106、主总线 103和公用存储器控制器 108写入公用存储器 109的预定存储区域中。 - 中国語 特許翻訳例文集

サブプロセッサ110は、ローカルバス116、バスブリッジ112を介してメインバス103、共通メモリコントローラ108、共通メモリ109、タイマー118とアクセス可能である。

副处理器 110能够经由本地总线 116和总线桥 112访问主总线 103、公用存储器控制器 108、公用存储器 109以及计时器 118。 - 中国語 特許翻訳例文集

サブシステム状態検出部111によって検出された情報はバスブリッジ112、メインバス103、共通メモリコントローラ108を介して共通メモリ109内の所定の記憶領域に書込まれる。

将由副系统状态检测单元111检测到的信息经由总线桥112、主总线103和公用存储器控制器 108写入公用存储器 109中的预定存储区域中。 - 中国語 特許翻訳例文集

RAWデータ記録制御部333は、操作判定部331からの情報に応じて、メモリコントローラ58を制御し、撮像画像に対応するフレームについてのRAWデータをDRAM40に記録させる。

原始数据记录控制单元 333基于来自操作确定单元 331的信息，控制存储控制器58并且将关于与拍摄图像对应的帧的原始数据记录在 DRAM 40中。 - 中国語 特許翻訳例文集

RAWデータ記録制御部533は、位置検出部532からの情報に応じて、メモリコントローラ58を制御し、撮像画像に対応するフレームについてのRAWデータをDRAM40に記録させる。

原始数据记录控制单元 533根据来自位置检测单元 532的信息控制存储控制器58，并且将关于与拍摄图像对应的帧的原始数据记录在 DRAM 40中。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する（図7（a））。

首先，离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后，从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。 - 中国語 特許翻訳例文集

プログラマブルロジックは、リードオンリメモリ、コンピュータメモリ、ディスク、又は他の記憶媒体のような媒体で一時的又は永続的に保持することができる。 全ての係る実施の形態は、本発明の範囲に含まれることが意図される。

所有这样的实施例都意图落入本发明的范围内。 - 中国語 特許翻訳例文集

LSI製造後にプログラムすることが可能なFPGA（Field Programmable Gate Array）や、LSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用してもよい。

也可以使用在 LSI制造后能够编程的 FPGA(Field Programmable GateArray)、或能够再构成 LSI内部的电路单元的连接及设定的可重构处理器。 - 中国語 特許翻訳例文集