「レイン」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に電気的に接続されている。

蓄积电容 70的一方电极与像素电极 9a并列地电气连接到 TFT30的漏极，另一方电极为了成为恒定电位，与电位固定的电容线 300电气连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の実装において、スリープモードアプリケーションは、携帯電話（100）に含まれ得るプレインストールされたデバイスアプリケーションである。

在另一实现中，休眠模式应用程序是可包括在蜂窝电话 100中的预先安装的设备应用程序。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。

在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

下部電極11は、画素20AではTFTスイッチ4のドレイン電極13と接続されており、TFTスイッチ4のソース電極9は、信号配線3に接続されている。

在各像素 20A中，下部电极11连接到 TFT开关 4的漏极 13。 TFT开关 4的源极 9连接到信号线 3。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この構成により、最終転送段32まで転送された信号電荷は、その後に、ドレイン41、入力転送段31のいずれかに選択されて転送される。

另外，根据该结构，然后，将已传输至最终传输段 32的信号电荷向漏极 41、输入传输段 31中的任一方传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、行選択を行うアドレス線ADDRESSの電圧によりオン・オフ制御され、行選択されてオンしている期間において増幅トランジスタ23のドレイン端子を電源26に接続する。

地址晶体管 24通过进行行选择的地址线 ADDRESS的电压来进行导通 /截止控制，在被行选择后导通的期间，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23はオンしているが、アドレストランジスタ24が選択解除によりオフしたので、ドレイン端子が電源から切り離された状態となる。

在单位像素 2a中，虽然放大晶体管 23导通，但由于地址晶体管 24基于选择解除而被截止，因此漏极端子成为从电源被切断的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、放射線検出素子10は、図16に示すように、第2信号配線層において放射線検出用配線120を列方向（縦方向）に配設して、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させた画素20を放射線検出用用の画素20Bとし、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させない画素20を放射線画像取得用の画素20Aとして構成するようにしてもよい。

如图 16中所示，还可以做出这样的配置： 沿列方向 (垂直方向 )在第二信号布线层中设置放射线检测线 120，并且第二信号布线层的漏极 13连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线检测像素 20B，并且第二信号布线层的漏极 13未连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线图像成像像素 20A。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2信号配線層とは異なる層において放射線検出用配線120を列方向（縦方向）に配設して、第2信号配線層のドレイン極13をコンタクトホールを介して放射線検出用配線120に接続させた画素20を放射線検出用の画素20Bとし、第2信号配線層のドレイン極13を放射線検出用配線120に接続させない画素20を放射線画像取得用の画素20Aとして構成するようにしてもよい。

还可以做出这样的配置： 使得第二信号布线层中的漏极 13通过接触孔连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线检测像素 20B，而第二信号布线层中的漏极 13未连接到放射线检测线 120的像素 20用作放射线图像成像像素 20A。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、ゲートウェイアプリケーションは静止画像データまたは動画像データに地理的座標を付すこと、および／または、地理的座標を関連ある場所のプレインテキスト名に位置づける（map）追加のサービス（不図示）を使用することができる。

例如，网关应用可以利用地理坐标来标记静止或视频图像数据和 /或使用将地理坐标映射为相关位置的纯文本名称的一些附加服务 (未单独地示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。

像素电极 9a与 TFT30的漏极电气连接，使开关元件即 TFT30在一定期间闭合其开关，从而将从数据线 6a供给的图像信号 S1、S2、...、Sn在规定的定时写入。 - 中国語 特許翻訳例文集

列回路としての負荷回路150は、画素の列配列に対応して各垂直信号線116−1〜116−nにドレインが接続され、ソースが基準電位VSSに接続された機能部としての負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nを有する。

用作列电路的负载电路 150包括与像素列相关联的负载 MOS晶体管 151-1至151-n，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n在其漏极分别连接至垂直信号线 116-1至 116-n，并且在其源极连接至基准电势 VSS。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

4. 分岐させるステップが、少なくとも1つの既存の接続を前記第1のクラスタ内の前記選択した第1のメンバから少なくとも1つの他のメンバへドレインするステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。

4.根据权利要求 1所述的方法，其中叉分还包括： 将至少一个现有连接从所选的第一成员排除到所述第一集群中的至少一个其它成员。 - 中国語 特許翻訳例文集

これに加えて、或いはこれの代わりに、少なくとも1つの既存の接続をドレインするステップが、新しい接続の要求を、第2のクラスタに加わる予定の個々のメンバから第1のクラスタの別のメンバへリダイレクトするステップをさらに含む。

另外地或者可替代地，排除至少一个现有连接还包括将来自要加入第二集群的每一成员的对新连接的请求重定向到第一集群中的另一成员。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、ドレインゲート40をオンせずかつ入力ゲート21もオンせずにメモリCCD30における1回の転送動作を行えば、最初の信号電荷は、そのまま再び入力転送段31に転送され、これを出力転送段33まで再び順次転送することができる。

在此，如果不接通漏极门 40且也不接通输入门 21而实行 CCD存储器 30的一个的传输动作，则能够再将最初的信号电荷保持原样地向输入传输段 31传输，并能够再将其依次传输至输出传输段 33。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、ブルーミング防止ゲート94を入力ゲート72に接続し、信号電荷量がある所定の値を超えた場合に、この越えた分の信号電荷だけがブルーミング防止ゲート94を介してドレイン95に転送させることができる。

另外，将模糊抑制门 94与输入门 72连接，在信号电荷量超过某一预定的值的情况下，通过模糊抑制门 94，能够仅使该超量信号电荷向漏极 95传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

5. 分岐させるステップが、前記第1のクラスタ内の所定数のメンバの各々に対して、接続を前記第1のクラスタの別のメンバへドレインするステップと、前記所定のメンバの構成をアップグレードするステップと、前記所定のメンバを前記第2のクラスタのメンバとして加えるステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。

5.根据权利要求 1所述的方法，其中叉分还包括： 对于所述第一集群中的预定义数目个成员中的每一个： - 中国語 特許翻訳例文集

18. 接続をドレインするステップが、前記アクティブな第1のクラスタ内の少なくとも1つの他のメンバとのクラスタ内状態ミラーリングを可能にするステップ、又は新しい接続の要求を受け付けないようにするステップの少なくとも一方をさらに含む、ことを特徴とする請求項15に記載の機械可読記憶媒体。

18.根据权利要求 15所述的机器可读存储介质，其中排除连接还包括如下的至少一者： - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

6. 分岐させるステップが、要求又は応答内のHTTP接続ヘッダ値を、関連する接続を閉じることを示すように、或いは関連する接続のキープアライブ時間を低減又は別様に修正することを示すように変更すること、又は、他のいずれかのプロトコル固有の動作を実行して少なくとも1つの既存のネットワーク接続をシャットダウンすること、の少なくとも一方により、接続を前記第1のクラスタの別のメンバへドレインするステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。

6.根据权利要求 1所述的方法，其中叉分还包括： 通过如下动作中的至少一个来将连接排除到所述第一集群中的别的成员： - 中国語 特許翻訳例文集