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「与电路」を含む例文一覧
該当件数 : 41件
可以在“与”电路 133中获得两个确定输出的逻辑积。
このアンド回路133では、双方の判定出力の論理積をとられる。 - 中国語 特許翻訳例文集
“与”电路 133的输出被提供给确定稳定器 134。
このアンド回路133の出力は、判定安定化部134に供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
电路块 204和 205的配置与电路块 203的类似。
回路ブロック204、205は回路ブロック203と同様の構成である。 - 中国語 特許翻訳例文集
电路块 210和 211的配置与电路块 209的类似。
回路ブロック210、211は回路ブロック209と同様の構成である。 - 中国語 特許翻訳例文集
单位像素 101和 102的配置与单位像素 100类似，电路块 104和 105的配置与电路块 103类似，电路块 107和 108的配置与电路块 106类似，由此该图以简化的方式被示出。
単位画素101および102は単位画素100と、回路ブロック104および105は回路ブロック103と、また、回路ブロック107および108は回路ブロック106と同様の構成であるので、図を簡略化して示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
经由与电路板 59A的端部相连的柔性基板 63从控制部件 71(参见图 1)向电路板 59A供电。
回路基板59Aは、端部に接続されたフレキシブル基板63を介して制御部71（図1参照）から給電されるようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
也就是说，上转换素材确定器 131和有效性确定器 132的确定输出被输入到“与”电路 133。
すなわち、このアンド回路133には、アップコンバート素材判定部131および有効性判定部132の判定出力が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 12图示了具有与图 11的示例相同的“与”电路 133的比较示例。
なお、図12は、図11の例の場合とアンド回路133の出力が同じ場合における比較例を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
上转换素材确定器 131的确定输出和有效性确定器 132的确定输出被提供给“与”电路 133。
アップコンバート素材判定部131の判定出力および有効性判定部132の判定出力は、アンド回路133に供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
切换部分 282使用从与电路 206输出的 P1检测标志输出切换标志到相关器 261。
切替部282は、AND回路206から出力されるP1検出フラグを用いて切り替えフラグを相関器261に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
各基准电压驱动电路 19a为相同构成，如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3，则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。
各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33，34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35，36とで構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过与电路板 59A的一个纵向端部连接的柔性基板 63从控制部件 71(参见图 1)为电路板 59A供电。
回路基板59Aは、その長手方向一端部に接続されたフレキシブル基板63を介して制御部71（図1参照）から給電されるようになっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
上转换素材检测器 130包括上转换素材确定器 (上转换确定器 )131、有效性确定器 132、“与”电路 133、确定稳定器 134以及图像处理强度确定器 135。
このアップコンバート素材検出部130は、アップコンバート素材判定部（アップコン判定部）131と、有効性判定部132と、アンド回路133と、判定安定化部134と、画像処理強度決定部135を有している。 - 中国語 特許翻訳例文集
“与”电路 133取得如上所述的上转换的素材确定器 131的确定输出和如上所述的有效性确定器 132的确定输出的逻辑积。
アンド回路133は、上述のアップコンバート素材判定部131の判定出力と、上述の有効性判定部132の判定出力の、論理積をとる。 - 中国語 特許翻訳例文集
“与”电路 133在有效性确定器 132中被确定为有效的场中原样输出上转换素材确定器 131的确定输出，这是由于所述确定输出变为高电平信号“1”的事实。
このアンド回路133は、有効性判定部132で有効と判定されるフィールドでは、その判定出力が高レベルの信号「1」となることから、アップコンバート素材判定部131の判定出力をそのまま出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
确定稳定器 134对于每个场确定“与”电路 133对最近的预定数目 M个场的输出是否包括其数目等于或大于预定数目 N的高电平信号“1”。
判定安定化部134は、フィールド毎に、アンド回路133の最新の所定数Mのフィールドにおける出力に、高レベルの信号「1」が所定個数N以上含まれているか判断する。 - 中国語 特許翻訳例文集
该示例是其中当“与”电路 133的输出为高电平信号“1”时检测信号 Sdet是最大值“16”和当该输出为低电平信号“0”时，检测信号 Sdet是最小值的示例。
この例は、アンド回路133の出力が高レベルの信号「1」のとき検出信号Sdetを最大値「16」とし、その出力が低レベルの信号「0」のとき検出信号Sdetを最小値「0」とする例である。 - 中国語 特許翻訳例文集
由于在有效性确定器 132中在被确定为有效的场中确定输出变为高电平信号“1”的事实，在“与”电路 133中原样输出上转换素材确定器 131的确定输出。
このアンド回路133では、有効性判定部132で有効と判定されるフィールドでは、その判定出力が高レベルの信号「1」となることから、アップコンバート素材判定部131の判定出力がそのまま出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
对于每个场，确定稳定器 134确定“与”电路 133的预定数目 M个最近的场的输出中的高电平信号“1”的数目是否等于或大于预定数目 N。
この判定安定化部134では、フィールド毎に、アンド回路133の最新の所定数Mのフィールドにおける出力に、高レベルの信号「1」が所定個数N以上含まれているか判断される。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，在图 1图示的图像处理装置 100中，上转换素材检测器 130包括在“与”电路 133和图像处理强度确定器 135之间插入的确定稳定器 134。
また、図1に示す画像処理装置100において、アップコンバート素材検出部130では、アンド回路133と画像処理強度決定部135との間に、判定安定化部134が介在されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
比较部分 165比较来自绝对值计算部分 161的绝对值和外部输入的阈值，并且将比较结果提供给与电路 166。
比較部165は、絶対値演算部161から供給される絶対値と、外部から入力される閾値とを比較し、比較結果をAND回路166に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集
即，在发现绝对值是目前的最大绝对值并等于或大于阈值的情况下，与电路 166输出高电平信号作为 P1检测标志。
即ち、AND回路166は、絶対値が現時点での最大の絶対値となり、かつ、絶対値が閾値以上である場合、Hレベルの信号をP1検出フラグとして出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在步骤 S74，与电路 166基于来自比较部分 164和 165的比较结果，检查以确定绝对值是否等于或大于目前的最大绝对值以及绝对值是否等于或大于阈值。
ステップS74において、AND回路166は、比較部164および165からの比較結果に基づいて、絶対値が現時点での最大の絶対値以上であり、かつ、絶対値が閾値以上であるかどうかを判定する。 - 中国語 特許翻訳例文集
与来自与电路 206的 P1检测标志一致，选择部分 202选择从比较部分 201提供的绝对值或从寄存器 203输出的目前的最大绝对值。
選択部202は、AND回路206から供給されるP1検出フラグに基づいて、比較部201から供給される絶対値と、レジスタ203から出力される現時点で最大の絶対値のうちのいずれか一方を選択し、レジスタ203に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 3所示，在这个实施例中，微处理器 314也与电路 302合作并且因此从第二比较器326接收中断信号并且控制电路 302上的第二开关 (未示出 )。
図3に示すように、この実施形態では、マイクロプロセッサ314は回路302についても動作し、従って、第2の比較器326割り込み信号を受信し、回路302上の第2のスイッチ（図示せず）を制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集
各控制信号驱动电路 20为相同构成，包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。
各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40，41で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 13中，各数据传输电路 18b构成都相同，包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。
図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25，26で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。
図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
基于“与”电路 133的输出，每当“与”电路 133的输出被确定时，也就是说，在输入图像数据 Vin是电影素材时对于其中当前的 (接着的 )场构成配对的每个场，以及当输入图像数据 Vin是视频素材时对于每个场，确定稳定器 134输出控制信号 SC来控制图像处理强度确定器 135的检测信号 Sdet的值。
判定安定化部134は、アンド回路133の出力に基づいて、アンド回路133の出力が確定する毎、すなわち入力画像データVinがフィルム（Film）素材である場合は現在（Next）のフィールドがペアを構成することとなるフィールド毎、入力画像データVinがビデオ（Video）素材である場合はフィールド毎に、画像処理強度決定部135における検出信号Sdetの値を制御する制御信号SCを出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在确定稳定器 134中，在每次“与”电路 133的输出被确定时，也就是说，在输入图像数据 Vin是电影素材时对于当前的 (接着的 )场构成配对的每个场，以及在输入图像数据 Vin是视频素材时对于每个场，基于“与”电路 133的输出，来获得控制用于图像处理强度确定器 135的检测信号 Sdet的值的控制信号 SC。
判定安定化部134では、アンド回路133の出力に基づいて、アンド回路133の出力が確定する毎、すなわち入力画像データVinがフィルム（Film）素材である場合は現在（Next）のフィールドがペアを構成することとなるフィールド毎、入力画像データVinがビデオ（Video）素材である場合はフィールド毎に、画像処理強度決定部135における検出信号Sdetの値を制御する制御信号SCが得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在电场谐振系统的情况下，当使用比毫米波段更低的频率时，需要考虑与电路板侧使用的信号的干扰 (EMI)，而当使用毫米波段时，需要考虑与关于信号的毫米波信号传输的干扰。
電場の共鳴方式の場合は、ミリ波帯よりも低周波を使用する場合は回路基板側で使用している信号との干渉（EMI）を考慮する必要があるし、また、ミリ波帯を使用する場合は信号に関してのミリ波信号伝送との間での干渉を考慮する必要がある。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，在有效性确定器 132中被确定为无效的场中，“与”电路 133输出低电平信号“0”，而不依赖于上转换素材确定器 131的确定输出，这是由于所述确定输出变为低电平信号“0”的事实。
また、このアンド回路133は、有効性判定部132で無効と判定されるフィールドでは、その判定出力が低レベルの信号「0」となることから、アップコンバート素材判定部131の判定出力によらず、低レベルの信号「0」を出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，由于在有效性确定器 132中在被确定为无效的场中确定输出变为低电平信号“0”的事实，不依赖于上转换素材确定器 131的确定输出，在“与”电路 133中输出低电平信号“0”。
また、このアンド回路133では、有効性判定部132で無効と判定されるフィールドでは、その判定出力が低レベルの信号「0」となることから、アップコンバート素材判定部131の判定出力によらず、低レベルの信号「0」が出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
相应地，即使“与”电路 133的输出从“1”改变为“0”或者从“0”改变为“1”，从图像处理强度确定器 135输出的用于指示低质量上转换素材的可能性的检测信号 Sdet也不急剧地改变。
そのため、アンド回路133の出力が、「1」から「0」に、あるいは「0」から「1」に変化したとしても、画像処理強度決定部135から出力される低品質アップコンバート素材らしさを示す検出信号Sdetが急激に変化することはない。 - 中国語 特許翻訳例文集
在步骤 S74，如果发现绝对值小于目前的最大绝对值，或者如果发现绝对值小于阈值，则控制进行到步骤 S77。 在步骤 S77，与电路 166输出低电平信号作为 P1检测标志到选择部分 154。
一方、ステップS74で絶対値が現時点での最大の絶対値以上ではないか、または、絶対値が閾値以上ではないと判定された場合、ステップS77において、AND回路166は、Lレベルの信号をP1検出フラグとして選択部154に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，在该实施例中，一个或多个链路 50可以兼容例如以太网协议和 /或传输控制协议 /网际协议 (TCP/IP)协议，并且相应的操作电路 118可以根据例如以太网协议和 /或传输控制协议 /网际协议 (TCP/IP)协议与电路 118’交换数据和/或命令。
例えば本実施形態では、1以上のリンク50が準拠していてよく、各々の動作可能な回路118は、例えばイーサネット（登録商標）プロトコルおよび／またはTCP／IP（Transmission Control Protocol/Internet Protocol）プロトコルに従って、回路118'とデータおよび／またはコマンドを交換してよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 21中，基准电压驱动电路组 8d具有用于驱动基准电压线 Vref1而串联连接于与电源 77之间的 PMOS晶体管 75、76、为了驱动基准电压线 Vref3而串联连接于与电路接地端之间的 NMOS晶体管 78、79。
図21において、基準電圧駆動回路群8dは、基準電圧線Vref1を駆動するために電源77との間に直列接続されたPMOSトランジスタ75，76と、基準電圧線Vref3を駆動するためにグランドとの間に直列接続されたNMOSトランジスタ78，79とを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集
如果来自比较部分 164的比较结果指示最大值等于或大于目前有效的最大绝对值，并且如果来自比较部分 165的比较结果指示最大值等于或大于阈值，则与电路 166输出表示 P1信号的检测的高电平信号作为 P1检测标志。
AND回路166は、比較部164からの比較結果が、絶対値が現時点での最大の絶対値以上であることを表し、かつ、比較部165からの比較結果が、絶対値が閾値以上であることを表す場合、P1信号の検出の有りを表すHレベルの信号をP1検出フラグとして出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。
基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。
また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
可以使用设计用于执行本文所描述功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件元件或它们的任意组合来实现或执行与本发明相结合来描述的各种说明性的逻辑框、模块与电路。
本開示に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ信号（FPGA）または他のプログラマブル論理デバイス（PLD）、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、あるいは本明細書で説明した機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行できる。 - 中国語 特許翻訳例文集
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