「串联连接」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，电压调整部 207由串联连接在信号节点 NP1、NN1之间的电阻 RP、RN构成。

例えば、電圧調整部207は、信号ノードNP1，NN1の間に直列に接続された抵抗RP，RNによって構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

级联的多个带阻滤波器单元意味着带阻滤波器单元串联连接。

複数の帯域阻止フィルタユニットをカスケード接続することは、帯域阻止フィルタユニットが直列に接続されることを意味する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 21中，基准电压驱动电路组 8d具有用于驱动基准电压线 Vref1而串联连接于与电源 77之间的 PMOS晶体管 75、76、为了驱动基准电压线 Vref3而串联连接于与电路接地端之间的 NMOS晶体管 78、79。

図21において、基準電圧駆動回路群8dは、基準電圧線Vref1を駆動するために電源77との間に直列接続されたPMOSトランジスタ75，76と、基準電圧線Vref3を駆動するためにグランドとの間に直列接続されたNMOSトランジスタ78，79とを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集

各基准电压驱动电路 19a为相同构成，如果将 3条基准电压线 11a称作基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3，则包括串联连接于基准电压线 Vref1与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管30、31、串联连接于基准电压线 Vref2与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 33、34、串联连接于基准电压线 Vre3与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 35、36。

各基準電圧駆動回路19aは、同じ構成であって、3本の基準電圧線11aを、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3と呼ぶことにすると、基準電圧線Vref1とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31と、基準電圧線Vref2とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ33，34と、基準電圧線Vref3とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ35，36とで構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

D触发器 (下文中简称为 DFF)501、502、503和 504的输出串联连接，以构成由像素时钟驱动的4级移位寄存器。

Dフリップフロップ（以下DFF）501，502，503，504の各出力は直列に接続されており、画素クロックで駆動される4段のシフトレジスタを構成している。 - 中国語 特許翻訳例文集

各控制信号驱动电路 20为相同构成，包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。

各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40，41で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13中，各数据传输电路 18b构成都相同，包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。

図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25，26で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，积分用电容器 C22及增益设定用开关SW22彼此串联连接，增益设定用开关 SW22以连接于放大器 A2的输入端子侧的方式，而被设定于放大器 A2的输入端子与输出端子之间。

また、積分用容量素子C22およびゲイン設定用スイッチSW22は、互いに直列的に接続されて、ゲイン設定用スイッチSW22がアンプA2の入力端子側に接続されるようにアンプA2の入力端子と出力端子との間に設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所述梯型配置包括在两个端口 PORT1和 PORT2之间串联连接的第一声型谐振器 RES1（被称为“串联谐振器”），以及在端口 2和地之间连接的第二声型谐振器 RES2（被称为“分路谐振器（shunt resonator）”）。

はしご形構成は、2つのポートPORT1及びPORT2の間に直列に接続された第1の音響形式の共振器RES1（“直列共振器”と呼ばれる）と、PORT2と接地との間に接続された第2の音響形式の共振器RES2（“シャント共振器（shunt resonator）”と呼ばれる）とを含む。 - 中国語 特許翻訳例文集