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「交叉耦合」を含む例文一覧

該当件数 : 5



图 13为类似于图 4的图示,但其示例说明在差分信号发送环境中使用电容交叉耦合电路的一个实施方式。

【図13】図4と類似の図であるが、差動シグナリング環境で容量クロスカップリング回路を使用する一実施形態を例示する。 - 中国語 特許翻訳例文集

用于使斜坡产生器 210复位并且用于触发另一个斜坡产生器 211的比较器 213的输出的类似交叉耦合被实现。

同様に、比較器213の出力が交差結合されることにより、ランプ発生器210がリセットされ、他のランプ発生器211がトリガされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一电路块 180_1和第二电路块 180_2交叉耦合,其中第一电路块 180_1的 nMOS182的漏极连接到第二电路块 180_2的 pMOS185的栅极,并且第二电路块 180_2的 nMOS184的漏极连接到第一电路块 180_1的 pMOS183的栅极。

第1回路ブロック180_1のnMOS182のドレインを第2回路ブロック180_2のpMOS185のゲートへ接続し、第2回路ブロック180_2のnMOS184のドレインを第1回路ブロック180_1のpMOS183のゲートへ接続した襷掛け接続構造を採っている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 11中的每个线型对对应于不同的交叉耦合电容,标识为零飞法 (“0fF”)、五十飞法 (“50fF”)、一百飞法 (“100fF”)、一百五十飞法 (“150fF”)、二百飞法 (“200fF”)和二百五十飞法(“250fF”)。

図11の各線パターンペアは、零フェムトファラッド(0fF)、50フェムトファラッド(50fF)、100フェムトファラッド(100fF)、150フェムトファラッド(150fF)、200フェムトファラッド(200fF)および250フェムトファラッド(250fF)と特定される異なるクロスカップリング容量に対応する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 6中所示的示范性实施例中,混频器 62a包含无源混频器,其在切换核心 610及 611之前不具有增益级,其中混频器核心 610及 611各自包含吉伯混频器,其具有两个交叉耦合的切换元件,例如结合图 3所述的切换元件。

図6に示される例示の実施形態においては、ミキサ62aは、各々が、図3と一緒に説明される要素など、2つの交差結合スイッチング要素を有するギルバートミキサを備えるミキサコア610および611を有し、スイッチングコア610および611の前に利得ステージを有さない受動ミキサを備える。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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