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「仮パラメタ部」の部分一致の例文検索結果

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相対強度が10%以上となる領域では読取原稿Gで反射された光Lの強度が高いため、仮にこの領域(相対強度が10%以上となる領域)内に上方材が設けられていると、上方材の上面で光の再反射がおこり、前述のように、光電変換素子26(図1参照)において画像の輝度差(コントラスト)の低下が生じることになる。

在相对光强变为大于等于 10%的区域,由读取原稿 G反射的光 L的光强高,因而若将上构件设置在该区域 (相对光强变为大于等于 10%的区域 )内,则会在上构件的上表面处发生光的全反射,从而如以上所述在光电转换元件 26(参见图 1)中会出现图像的亮度差 (对比度 )下降。 - 中国語 特許翻訳例文集

当該格納媒体は、これらに限定されないが、フロッピー(登録商標)ディスク、光ディスク、コンパクトディスクリードオンリーメモリ(CD−ROM)、コンパクトディスクリライタブル(CD−RW)、および、光磁気ディスク等の任意の種類のディスク、リードオンリーメモリ(ROM)等の半導体デバイス、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)等のランダムアクセスメモリ(RAM)、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ(EPROM)、フラッシュメモリ、電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ(EEPROM)、磁気カードあるいは光カード、または、電子的に命令を格納するのに適した任意のその他の種類の媒体を含むとしてよい。

该存储介质可以包括但不限于任何类型的盘 (包括软盘、光盘、压缩盘只读存储器 (CD-ROM)、压缩盘可重写 (CD-RW)、以及磁光盘 )、半导体器件 (例如,只读存储器 (ROM),诸如动态随机存取存储器 (DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM)这样的随机存取存储器 (RAM),可擦可编程只读存储器 (EPROM),闪存,电可擦可编程只读存储器 (EEPROM))、磁卡或光卡、或者适用于存储电子指令的任何其他类型的媒介。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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