「例に漏れず」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

過去に解消済みと思われていた事案に対処漏れがございました。

过去认为已经解决了的案例存在处理上的遗漏。 - 中国語会話例文集

図8に、本発明に係る固体撮像装置、特に漏れ込み光補正用画素の第2実施の形態を示す。

图 8示出了本发明实施例的固体摄像装置，特别是第二实施例的漏光修正用像素。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9に、本発明に係る固体撮像装置、特に漏れ込み光補正用画素の第3実施の形態を示す。

图 9示出了本发明实施例的固体摄像装置，特别是第三实施例的漏光修正用像素。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力信号220aはことによると例えばTX漏れ信号、他のジャマーおよびノイズから生じた干渉を含むかもしれない。

输入信号 220a可能含有由(例如 )TX泄漏信号、其它干扰和噪声引起的干扰。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本発明に係る固体撮像装置の第1実施の形態を示す、画素部における漏れ込み光用補正画素の要部の構成図である。

图 5是示出了本发明第一实施例固体摄像装置的像素部中漏光修正用像素的主要部分的结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明に係る固体撮像装置の第2実施の形態を示す、画素部における漏れ込み光用補正画素の要部の構成図である。

图 8是示出了本发明第二实施例固体摄像装置的像素部中漏光修正用像素的主要部分的结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本発明に係る固体撮像装置の第3実施の形態を示す、画素部における漏れ込み光用補正画素の要部の構成図である。

图 9是示出了本发明第三实施例固体摄像装置的像素部中漏光修正用像素的主要部分的结构图。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

因此，通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中，可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

干渉の例は、他のソース（sources）から由来したジャマー（jammers）のみならず、受信機と同一場所に配置された（co-located）送信（TX）信号経路からの漏れで生じるTXジャマー（jammers）を含む可能性がある。

干扰的实例可包括由来自与接收器处于同一地点的发射(TX)信号路径的信号泄漏而引起的 TX干扰，以及从其它信号源得到的干扰。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。

结果，通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174，可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8は、パルスのターゲット数Npの計算からTX漏れ信号を省略または“フィルタアウト（filter out）”するために設計されたステップ610の例示的な実施形態を描く。

图 8描绘经设计以根据目标脉冲数目 Np的计算而忽略或“滤去”TX泄漏信号的步骤 610的一示范性实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】第1実施の形態の固体撮像装置の駆動方法の説明に供する漏れ込み光用補正画素のポテンシャル状態図である。

图 7A～图 7C是在对用于第一实施例固体摄像装置的驱动方法的说明中所涉及的漏光修正用像素的电位状态图。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、例示的な実施形態においては、信号処理ブロック210および／またはTX漏れ信号フィルタ140によって導入された望ましくない不要周波数変動を補償するために、ハイパスフィルタ（不図示）を追加的に設けても構わない。

举例来说，在一示范性实施例中，可额外地提供高通滤波器 (未图示 )以补偿由信号调节块 210和 /或 TX泄漏信号滤波器 140引入的非所要的频率变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集