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「偏置电压」を含む例文一覧
該当件数 : 31件
当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1时，反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2。 当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2。
なお、第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加される時には、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加され、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加される時には、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集
为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。
実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
当模拟信号 VSL被读出并 A/D转换时，由采样 /保持电路 190供给偏置电压VBIAS11。
バイアス電圧VBIAS11は、アナログ信号VSLの読み出し中およびアナログデジタル（AD）変換中にサンプルホールド回路190により供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如这样描述的，在模拟信号 VSL被读出及 A-D转换的时间段期间，由采样 /保持电路 190供给偏置电压 VBIAS12。
このように、バイアス電圧VBIAS12は、アナログ信号VSLの読み出しおよびAD変換期間中にサンプルホールド回路190により供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-1的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-2的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-3的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-n的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压 VDC11的线。
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在半导体层 21中，当未照射光时，在施加偏置电压的状态下，仅几 pA/mm2或更小的电流流动。
半導体層21には、バイアス電圧が印加された状態で光が未照射の場合、数pA／mm2以下の電流しか流れない。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC11的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C191的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS11的线。
サンプリングスイッチSW191は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC11の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC191の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW192的端子 a连接至用于从内部电压生成电路 180供给 DC偏置电压VDC12的线。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C192的一端，并且连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS12的线。
サンプリングスイッチSW192は、端子aが内部電圧生成回路180のDCバイアス電圧VDC12の供給ラインに接続され、端子bがキャパシタC192の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS12の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。
従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1时，关断第一 PIN二极管28a，并且当正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2时，接通第二 PIN二极管 28b，第一天线开关 10A由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。
上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28bがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。
上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在本实施例中，负载电路 150、列并行处理部分 160、和 DAC 170包括功能部分，内部或外部生成的偏置电压被供给至该功能部分。
また、本実施形態においては、負荷回路150、列並列処理部160、DAC170が、内部または外部で生成されたバイアス電圧が供給される機能部を含んで構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW201的端子 a连接至输入端子 T100。 该开关的另一端子 b连接至电容器 C201的一端，并连接点连接至用于供给偏置电压 VBIAS13的线。
サンプリングスイッチSW201は、端子aが入力端子T100に接続され、端子bがキャパシタC201の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS13の供給ラインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 190的内部电容的电容器 C191和 C192中的电压作为偏置电压 VBIAS11和 VBIAS12供给至负载电路 150和 DAC 170。
負荷回路150およびDAC170には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路190の内部容量であるキャパシタC191，C192にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS11，VBIAS12として供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在模拟信号被读出及 A/D转换的时间段期间，将保持在作为采样 /保持电路 200的内部电容的电容器 C201中的电压作为偏置电压 VBIAS13供给至列并行处理部分 160的比较器 162。
列並列処理部160の比較器162には、アナログ読み出しおよびAD変換期間中、サンプルホールド回路200の内部容量であるキャパシタC201にホールドされた電圧がバイアス電圧VBIAS13として供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过采样 /保持电路 190的采样开关 SW191和 SW192以及采样 /保持电路 200的采样开关 SW201，偏置电压 VBIAS11、VBIAS12、和 VBIAS13与能够是噪声源的电压生成电路和外部偏置输入端子电隔离。
これらのバイアス電圧VBIAS11，12，13は、サンプルホールド回路190，200内のサンプリングスイッチSW191，SW192，SW201によりノイズ源となる電圧生成回路および外部バイアス入力端子から電気的に切り離されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
如此，将电压供给至负载电路 150、DAC 170、和包括 ADC的列并行处理部分 160，作为根本不具有时间噪声的 DC偏置电压。 因而可以抑制在 A/D转换时间段期间由于噪声传播而造成的图像质量的劣化。
このため、時間的なノイズを全く含まないDCバイアス電圧として負荷回路150、DAC170、ADCを含む列並列処理部160に供給され、AD変換期間中のノイズの伝播による画質の劣化が抑制される。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。
サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。
サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。
サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。
サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。
従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时，第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。
上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。
従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样 /保持部分 191将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC 11采样并保持其中在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。
サンプルホールド部191は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC11を、制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样 /保持部分 192将由内部电压生成电路 180生成的 DC偏置电压 VDC12采样并保持一在有效状态下 (例如，处于高电平 )向其供给作为控制信号的采样脉冲 SMP11的时间段。
サンプルホールド部192は、内部電圧生成回路180で生成されるDCバイアス電圧VDC12を制御信号としてのサンプリングパルスSMP11がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。 - 中国語 特許翻訳例文集
在有效状态下 (即处于高电平 )供给作为控制信号的采样脉冲 SMP12的时间段期间，采样 /保持部分 201对经由外部偏置输入端子 T100输入的 DC偏置电压 VDC13进行采样并保持。
サンプルホールド部201は、外部バイアス入力端子T100を介して入力されたDCバイアス電圧VDC13を制御信号としてのサンプリングパルスSMP12がアクティブ（たとえばハイレベル）で供給される期間サンプリングし、ホールドする。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样脉冲 SMP11A被供给，使得采样开关 SW191A-1至 SW191A-n维持接通，以在除了模拟信号被读出及 A/D转换的时间段之外的每个水平时间段期间对偏置电压采样并保持。
サンプリングパルスSMP11Aは、1H期間中のアナログ読み出しおよびAD変換を行う期間以外の期間にサンプリングスイッチSW191A−1〜nがオンしてバイアス電圧のサンプリングおよびホールドを行うように供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集
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