「光ダイオード」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

例えば、表示画素は、発光ダイオード（LED）でよい。

例如，显示像素可以是发光二极管 (LED)。 - 中国語 特許翻訳例文集

発光ダイオードの大量生産

发光二极管的大量生产 - 中国語会話例文集

他の実施形態において、固体光源が複数個のレーザーダイオード又は有機発光ダイオード（即ち、OLED）である。

在其他实施例中，固态光源是多个激光二极管或有机发光二极管 (即，OLED)。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換素子PD−1〜PD−4は、例えばフォトダイオードから構成される。

例如，光电转换器件 PD-1到 PD-4是光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここでホームボタン27は、LED（発光ダイオード）等を内蔵してもよい。

应当注意，家庭按钮 27可包括 LED(发光二极管 )等。 - 中国語 特許翻訳例文集

E／O変換部23は、レーザダイオードを有し、P／Sコンバータ22から入力されるシリアル信号に基づいてレーザダイオードを駆動する。

E/O转换器 23包括激光二极管并且基于从 P/S转换器 22输入的串行信号来驱动激光二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

ROSA40Rのフォトダイオード46は、光ポート24Rで終端する受信光ファイバ60Rに光結合される。

ROSA 40R的光电二极管 46光耦合于终接在光学端口 24R的接收光纤 60R。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、図2Cに示される通り、カメラ210は、フォトダイオード縦列を露光することを継続する。

然而，照相机 210继续曝光光电二极管列，如图 2C所示。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオード毎に0．5μmの開口は、赤色光の波長（650nm）よりも小さい。

用于每一光电二极管的 0.5μm开口小于红色光的波长(650nm)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この実施形態では、コントローラ110は4つの発光ダイオード（LED）122、124、126、128を含む。

在这个实施例中，控制器 110包括 4个发光二极管 (LED)122，124，126，128。 - 中国語 特許翻訳例文集

或る実施例では、移動装置は、有機発光ダイオード（OLED）ディスプレイを含んでもよい。

在某些实施例中，移动设备可包括 OLED(有机发光二极管 )显示器。 - 中国語 特許翻訳例文集

表示画素は、液晶表示画素でもよく、発光ダイオード表示画素でもよい。

该显示像素可以是液晶显示像素或发光二极管显示像素。 - 中国語 特許翻訳例文集

入射光強度に比例してフォトダイオード21で発生する光電流をIpdとし、1回目の転送までの露光時間をΔT、フォトダイオード21の容量をCpdとすると、QHAD1 およびQFD1は以下の式で表される。

当在光电二极管 21中与入射光强度成比例地产生的光电电流为 Ipd，到第一次转移的曝光时间为ΔT，光电二极管 21的电容为 Cpd时，QHAD1和 QFD1由下式表示： - 中国語 特許翻訳例文集

光電子変換器を、p-n接合フォトダイオードまたはp-i-n接合フォトダイオードなどの光検出器、または、他の任意の適切な光信号−電気信号変換器とすることができる。

这些光电子转换器可以是光电检测器，例如 p-n结或者 p-i-n结光电二极管，或者任何其他适当的光学信号 -电信号转换器。 - 中国語 特許翻訳例文集

ローリングシャッターCMOSセンサーは、フォトダイオード群を含み得、フォトダイオード群は、露光の間、光をキャプチャーし、その光を電気信号に変換する。

滚动快门 CMOS传感器可以包括在曝光期间捕捉光并且将光转换成电信号的、成组的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

実質上、カメラ210が縦列208群におけるフォトダイオード縦列を露光するのと同時に、カメラ202は、縦列206群におけるフォトダイオード縦列を露光する。

有效地，与照相机 210曝光列 208的组中的光电二极管列同时地，照相机 202曝光列 206的组中的光电二极管列。 - 中国語 特許翻訳例文集

受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。

术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、送受信機10は、LED（発光ダイオードまたはレーザダイオード）およびPD（光検出器）を搭載したチップオンチップの送受信機である。

在一个实施例中，收发器 10是包括 LED(发光二极管或半导体激光器 )和 PD(光电检测器 )的片上芯片收发器。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の読み出しでは、期間S2からの露光期間中に光電変換によって発生した電荷Qi1がフォトダイオード21に加わり、当該フォトダイオード21に（Qi1＋Q0）なる電荷が保持される状態になる。

在时段 S3的读出中，在从时段 S2开始的曝光时段期间通过光电转换产生的电荷Qi1被加入，并且电荷 (Qi1+Q0)被保持在光电二极管 21中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ROSA40Rは光信号を検出するためのフォトダイオード46及び、光信号を他のネットワーク装置と適合するデジタル信号に変換するための、フォトダイオード46に接続された検知回路48を有する。

ROSA 40R包括用于检测光信号的光电二极管 46以及与之相连的用于将光信号转换成与其它网络设备兼容的数字信号的感测电路 48。 - 中国語 特許翻訳例文集

カメラ202は、（対象空間において）後ろから前へ視野224を全体にわたってスキャンし、カメラ202は、フォトダイオード縦列206群から、フォトダイオード縦列を露光し始める。

当照相机 202从后向前地 (在对象空间中 )跨过视场 224扫描时，照相机 202开始从光电二极管列 206的组曝光光电二极管列。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方で、より高速な応答性能を有するレーザーダイオード（LD；Laser Diode）やスーパールミネッセントダイオード（SLD；Super luminescent Diode）等の半導体発光素子も候補に挙げられている。

同时，还提出将具有高速响应性能的半导体发光元件，诸如激光二极管 (LD，Laser Diode)或超辐射发光二极管 (SLD，Super Luminescent Diode)，也作为候选。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここでは、代表的に、フォトダイオード101−1を含む画素およびフォトダイオード101−3を含む画素から合成された信号を第1列読出線c1に出力する動作を説明する。

此处，将代表性地说明将通过合成来自包括光电二极管 101-1的像素和包括光电二极管 101-3的像素的信号而获得的信号输出到第一列读出线 c1的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

光検出部152bは、例えば、受光ダイオード等の受光デバイスであり、受光量に応じて異なる信号を出力する。

例如，光检测单元 152b是诸如光接收二极管的光接收装置，并且根据接收的光的量输出不同的信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

光出射部152aは、例えば、発光ダイオードや半導体レーザ等の発光デバイスであればよい。

发光单元 152a可以是诸如发光二极管或半导体激光器的发光装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオード20は、入射光をその光量に応じた信号電荷量に光電変換して蓄電する。

光电二极管 20将入射光光电变换为与该光量对应的信号电荷量并蓄电。 - 中国語 特許翻訳例文集

タップされた光信号は、フォトダイオードやPIN検出器などの光検出器102によって電気信号に変換される。

光抽头的信号由光检测器102(诸如，光电二极管、PIN检测器等 )转换成电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9に示すように、フォトダイオード21の蓄積電子数は入射光量が一定の場合、露光時間に比例して増加する。

如图 9所示，当入射光的量固定时，在光电二极管 21中存储的电子的数量与曝光时间成比例地增加。 - 中国語 特許翻訳例文集

O／E変換部24は、フォトダイオードを有し、光ファイバケーブル4から入力される光信号を電気信号へ変換する。

O/E转换器 24包括光电二极管，并且将从光纤线缆 4输入的光信号转换成电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

O／E変換部24は、フォトダイオードを有し、光ファイバケーブル4から入力される光信号を電気信号へ変換する。

O/E转换器 24包括光电二极管并且将从光纤线缆 4输入的光信号转换成电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図14では、フォトダイオード21のリセットから完全転送までの露光時間を約16msとして、最初の電圧Vtrg1による中間転送をフォトダイオード21のリセットから2ms後、2回目の電圧Vtrg2による中間転送を4ms後、3回目の中間転送を12ms後に実行した場合の、フォトダイオード21に残っている電子数を表している。

图 14表示在从光电二极管 21的复位到完全转移的曝光时间为大致 16ms的情形中，在通过第一电压 Vtrg1的中间转移比光电二极管 21的复位迟 2ms执行时，在通过第二电压 Vtrg2的中间转移比光电二极管 21的复位迟 4ms执行时，在第三次中间转移比光电二极管 21的复位迟 12ms执行时，分别在光电二极管 21中保留的电子的数量。 - 中国語 特許翻訳例文集

光検出器32は、光学強度変調フィルタ31からフィルタされた信号を受信するフォトダイオードを含む。

光检测器 32包括接收来自光学强度调制滤波器 31的过滤信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

カメラ210は、視野226をキャプチャーするように、（対象空間において）後ろから前へ、縦列208群におけるフォトダイオード縦列を露光する。

照相机 210从后向前地 (在对象空间中 )曝光列 208的组中的光电二极管列以捕捉视场 226。 - 中国語 特許翻訳例文集

波長トラッカ中で、光WDM信号は通常、フォトダイオードを使用して電気信号に変換される。

在波长跟踪器中，通常使用光电二极管将光 WDM信号转换成电信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセット素子Ta0、Ta1は、共通制御ラインG＿Resetによって制御され、露光より前にフォトダイオードPD0、PD1をリセットするために配置される。

复位元件 Ta0、Ta1由公共控制线 G_Reset控制，并且被安排用于在曝光之前复位光敏二极管PD0、PD1。 - 中国語 特許翻訳例文集

入射光量が少ないとき、破線で示したようにフォトダイオード21の電圧は高くなっており、FD部26への転送は発生しない。

当入射光的量较小时，光电二极管 21的电压高至虚线所示，并且没有发生到 FD区26的转移。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、図4（B）に示すように、期間t10で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t11で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。

具体地，如图 4B所示，在时段“t10”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t11”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。 - 中国語 特許翻訳例文集

一つまたは複数の発光ダイオード（LED）が、幾何学的形状で構成された本体の上に配置されていてもよい。

可以在主体上配置以几何形状排列的一个或多个发光二极管 (LED)。 - 中国語 特許翻訳例文集

通知デバイス136は、スピーカ、ディスプレイ、発光ダイオード、バイブレータ、または、いずれかの類似のタイプのデバイスである場合がある。

通知装置 136可为扬声器、显示器、发光二极管、振动器或任何类似类型的装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、代表的に、フォトダイオード101−1を含む画素から信号を第1列読出線c1に出力する動作を説明する。

此处，将代表性地说明从包括光电二极管 101-1的像素向第一列读出线 c1输出信号的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

例示的な一実施形態では、比較的低速の（1MHzまでの）フォトダイオードをこの目的に使用することができる。

在示例性实施方式中，可以针对这一目的使用相对低速 (～ 1MHz)的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】第1の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。

图 2为表示第 1实施方式的传感器的低灵敏度光电二极管的色别特性的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】第2の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。

图 4为表示第 2实施方式的传感器的低灵敏度光电二极管的色别特性的一个例子的图； - 中国語 特許翻訳例文集

E／O変換部23は、P／Sコンバータ22から入力されるシリアル信号に基づいてレーザダイオードを駆動する。

E/O转换器 23基于从 P/S转换器 22输入的串行信号来驱动激光二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。

在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。

光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。 - 中国語 特許翻訳例文集

ディスプレイ部130は、カラー表示管（CDT）、カラー受像管（CPT）、マルチメディア表示管（MDT）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイ（PDP）、有機発光ダイオード（OLED）又は発光ダイオード（LED）などの平板ディスプレイであって、使用説明書ファイル又は放送信号の画像信号を表示する。

以平板显示器的形式 (诸如，彩色显示管 (CDT)、彩色显像管 (CPT)、多媒体显示管(MDT)、LCD、PDP、OLED或 LED)来准备显示单元 130，并且显示单元 130显示广播信号的手册文件或图像信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

PPS方式の固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードを含むPPS型の画素部がM行N列に2次元配列された受光部を備え、各画素部において光入射に応じてフォトダイオードで発生した電荷を積分回路において容量素子に蓄積し、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力するものである。

PPS方式的固体摄像装置具备 PPS型的像素部呈 2维排列为M行 N列的受光部，在各像素部中，将对应于光入射而在光电二极管所产生的电荷在积分电路中储存于电容器，并输出对应于该储存电荷量的电压值，所述 PPS型的像素部系包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管。 - 中国語 特許翻訳例文集

光通信部12Aは、発光部としてレーザダイオード（LD）等の発光素子を有し、A／D変換部11Aから出力される電気信号に基づき変調した光信号を出力する。

光通信单元 12A包括作为发光单元的发光元件(如，激光二极管 (LD))，并输出已经根据从 A/D转换器 11A输出的电信号而调制的光信号。 - 中国語 特許翻訳例文集