| 意味 | 例文 |
「光电二极管」を含む例文一覧
該当件数 : 102件
例如，光电转换器件 PD-1到 PD-4是光电二极管。
光電変換素子PD−1〜PD−4は、例えばフォトダイオードから構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 14表示在从光电二极管 21的复位到完全转移的曝光时间为大致 16ms的情形中，在通过第一电压 Vtrg1的中间转移比光电二极管 21的复位迟 2ms执行时，在通过第二电压 Vtrg2的中间转移比光电二极管 21的复位迟 4ms执行时，在第三次中间转移比光电二极管 21的复位迟 12ms执行时，分别在光电二极管 21中保留的电子的数量。
図14では、フォトダイオード21のリセットから完全転送までの露光時間を約16msとして、最初の電圧Vtrg1による中間転送をフォトダイオード21のリセットから2ms後、2回目の電圧Vtrg2による中間転送を4ms後、3回目の中間転送を12ms後に実行した場合の、フォトダイオード21に残っている電子数を表している。 - 中国語 特許翻訳例文集
然而，照相机 210继续曝光光电二极管列，如图 2C所示。
しかし、図2Cに示される通り、カメラ210は、フォトダイオード縦列を露光することを継続する。 - 中国語 特許翻訳例文集
用于每一光电二极管的 0.5μm开口小于红色光的波长(650nm)。
フォトダイオード毎に0．5μmの開口は、赤色光の波長（650nm）よりも小さい。 - 中国語 特許翻訳例文集
ROSA 40R的光电二极管 46光耦合于终接在光学端口 24R的接收光纤 60R。
ROSA40Rのフォトダイオード46は、光ポート24Rで終端する受信光ファイバ60Rに光結合される。 - 中国語 特許翻訳例文集
此处，将代表性地说明将通过合成来自包括光电二极管 101-1的像素和包括光电二极管 101-3的像素的信号而获得的信号输出到第一列读出线 c1的操作。
ここでは、代表的に、フォトダイオード101−1を含む画素およびフォトダイオード101−3を含む画素から合成された信号を第1列読出線c1に出力する動作を説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
当照相机 202从后向前地 (在对象空间中 )跨过视场 224扫描时，照相机 202开始从光电二极管列 206的组曝光光电二极管列。
カメラ202は、（対象空間において）後ろから前へ視野224を全体にわたってスキャンし、カメラ202は、フォトダイオード縦列206群から、フォトダイオード縦列を露光し始める。 - 中国語 特許翻訳例文集
有效地，与照相机 210曝光列 208的组中的光电二极管列同时地，照相机 202曝光列 206的组中的光电二极管列。
実質上、カメラ210が縦列208群におけるフォトダイオード縦列を露光するのと同時に、カメラ202は、縦列206群におけるフォトダイオード縦列を露光する。 - 中国語 特許翻訳例文集
当在光电二极管 21中与入射光强度成比例地产生的光电电流为 Ipd，到第一次转移的曝光时间为ΔT，光电二极管 21的电容为 Cpd时，QHAD1和 QFD1由下式表示：
入射光強度に比例してフォトダイオード21で発生する光電流をIpdとし、1回目の転送までの露光時間をΔT、フォトダイオード21の容量をCpdとすると、QHAD1 およびQFD1は以下の式で表される。 - 中国語 特許翻訳例文集
此处，将代表性地说明从包括光电二极管 101-1的像素向第一列读出线 c1输出信号的操作。
ここで、代表的に、フォトダイオード101−1を含む画素から信号を第1列読出線c1に出力する動作を説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
照相机 210从后向前地 (在对象空间中 )曝光列 208的组中的光电二极管列以捕捉视场 226。
カメラ210は、視野226をキャプチャーするように、（対象空間において）後ろから前へ、縦列208群におけるフォトダイオード縦列を露光する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在波长跟踪器中，通常使用光电二极管将光 WDM信号转换成电信号。
波長トラッカ中で、光WDM信号は通常、フォトダイオードを使用して電気信号に変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集
光抽头的信号由光检测器102(诸如，光电二极管、PIN检测器等 )转换成电信号。
タップされた光信号は、フォトダイオードやPIN検出器などの光検出器102によって電気信号に変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在示例性实施方式中，可以针对这一目的使用相对低速 (～ 1MHz)的光电二极管。
例示的な一実施形態では、比較的低速の（1MHzまでの）フォトダイオードをこの目的に使用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2为表示第 1实施方式的传感器的低灵敏度光电二极管的色别特性的一个例子的图；
【図2】第1の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4为表示第 2实施方式的传感器的低灵敏度光电二极管的色别特性的一个例子的图；
【図4】第2の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 9所示，当入射光的量固定时，在光电二极管 21中存储的电子的数量与曝光时间成比例地增加。
図9に示すように、フォトダイオード21の蓄積電子数は入射光量が一定の場合、露光時間に比例して増加する。 - 中国語 特許翻訳例文集
当入射光的量较小时，光电二极管 21的电压高至虚线所示，并且没有发生到 FD区26的转移。
入射光量が少ないとき、破線で示したようにフォトダイオード21の電圧は高くなっており、FD部26への転送は発生しない。 - 中国語 特許翻訳例文集
光电二极管 20将入射光光电变换为与该光量对应的信号电荷量并蓄电。
フォトダイオード20は、入射光をその光量に応じた信号電荷量に光電変換して蓄電する。 - 中国語 特許翻訳例文集
O/E转换器 24包括光电二极管，并且将从光纤线缆 4输入的光信号转换成电信号。
O／E変換部24は、フォトダイオードを有し、光ファイバケーブル4から入力される光信号を電気信号へ変換する。 - 中国語 特許翻訳例文集
O/E转换器 24包括光电二极管并且将从光纤线缆 4输入的光信号转换成电信号。
O／E変換部24は、フォトダイオードを有し、光ファイバケーブル4から入力される光信号を電気信号へ変換する。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体地，如图 4B所示，在时段“t10”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t11”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。
具体的には、図4（B）に示すように、期間t10で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t11で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在单位像素 100中，光电二极管 101通常是通过在形成在半导体基板 111上的 P型阱层 112的表面上形成 P型层 113并在 P型层 113下面嵌入 N型嵌入层 114而形成的嵌入光电二极管。
単位画素100において、フォトダイオード101は、例えば半導体基板111上に形成されたP型ウェル層112に対して、P型層113を表面に形成してN型埋め込み層114を埋め込むことによって形成される、埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集
光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。
フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集
PPS方式的固体摄像装置具备 PPS型的像素部呈 2维排列为M行 N列的受光部，在各像素部中，将对应于光入射而在光电二极管所产生的电荷在积分电路中储存于电容器，并输出对应于该储存电荷量的电压值，所述 PPS型的像素部系包含产生对应于入射光强度的量的电荷的光电二极管。
PPS方式の固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードを含むPPS型の画素部がM行N列に2次元配列された受光部を備え、各画素部において光入射に応じてフォトダイオードで発生した電荷を積分回路において容量素子に蓄積し、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力するものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
在 CMOS图像传感器 10(其中，包括图 1所示的像素电路配置的单元像素 20以矩阵形式排列 )中，一般如图 4A所示，在时段“t1”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t2”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。
図1に示す画素回路構成の単位画素20が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサ10では、一般的に、図4（A）に示すように、期間t1で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t2で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集
参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。
図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。 - 中国語 特許翻訳例文集
控制部40A在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10A中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。
制御部40Aは、第1撮像モードのときに、受光部10AにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。 - 中国語 特許翻訳例文集
被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示第 1行的 N个像素部P1，1～ P1，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。
この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行のN個の画素部P1,1〜P1,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表すものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素CN 10201760291 AA 说 明 书 9/16页部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。
以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
控制部 40B在第 1摄像模式时，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。
制御部40Bは、第1撮像モードのときに、受光部10BにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させる。 - 中国語 特許翻訳例文集
被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示将第 1行及第 2行的2N个像素部 P1，1～ P1，N、P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度往列方向进行合计的值。
この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行および第2行の2N個の画素部P1,1〜P1,N，P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を列方向に加算した値を表すものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
采取以上方式，而将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，所述电压值 Vout表示第 2行的 N个像素部 P2，1～ P2，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。
以上のようにして、第2行のN個の画素部P2,1〜P2,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
这些光电子转换器可以是光电检测器，例如 p-n结或者 p-i-n结光电二极管，或者任何其他适当的光学信号 -电信号转换器。
光電子変換器を、p-n接合またはp-i-n接合フォトダイオードなどの光検出器、または、他の任意の適切な光信号−電気信号変換器とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
这些光电子转换器可以是光电检测器，例如 p-n结或者 p-i-n结光电二极管，或者任何其他适当的光学信号 -电信号转换器。
光電子変換器を、p-n接合フォトダイオードまたはp-i-n接合フォトダイオードなどの光検出器、または、他の任意の適切な光信号−電気信号変換器とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1B包括示意根据本发明的一个实施例的、具有滚动快门 CMOS传感器的照相机的图表，该滚动快门 CMOS传感器带有成组的、基本垂直于地面而成列布置的光电二极管。
【図1B】図1Bは、本発明の実施形態に従って、地面に対して実質的に垂直な縦列に配列されるフォトダイオード群を有するローリングシャッターCMOSセンサーを含むカメラを示す概略図を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集
滚动快门 CMOS传感器可以包括在曝光期间捕捉光并且将光转换成电信号的、成组的光电二极管。
ローリングシャッターCMOSセンサーは、フォトダイオード群を含み得、フォトダイオード群は、露光の間、光をキャプチャーし、その光を電気信号に変換する。 - 中国語 特許翻訳例文集
照相机 305和 304这两者通过曝光最后的光电二极管列 (在对象空间中 )而开始并且向前扫描，如关于图 1B描述的。
カメラ305および304の両方は、図1Bについて述べられる通り、（対象空間における）最後部のフォトダイオードを露光することによって開始し、前方へスキャンする。 - 中国語 特許翻訳例文集
此像素204布局在水平及垂直方向上提供规则间隔的光电二极管，其中其光学中心由 X标记。
この画素204の配置は、Xの印が付けられた光学中心を有し、水平方向及び垂直方向に規則的間隔で並べられたフォトダイオードを与える。 - 中国語 特許翻訳例文集
所述规则间隔的光电二极管对于维持以一角度入射的光的光学对称性来说是重要的。
この規則的間隔で並べられたフォトダイオードは、斜めに入射する光に対して、光学的な対称性を維持するために重要である。 - 中国語 特許翻訳例文集
此像素 304布局在水平及垂直方向上提供规则间隔的光电二极管，其中其光学中心由X标记。
この画素304の配置は、Xの印が付けられた光学中心を有し、水平方向及び垂直方向に規則的間隔で並べられたフォトダイオードを与える。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1是示例性波长跟踪器系统的框图，其中抽头的光 WDM信号的所有通道使用单个光电二极管进行电转换。
【図1】タップされた光WDM信号の全てのチャネルが、単一のフォトダイオードを使用して電気的に変換される、例示的な波長トラッカシステムのブロック図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 3中，在列方向上相互邻接的两个像素 PX中，通过在半导体基板 SB1上形成扩散层 DF1而构成光电二极管 PD1、PD1′。
図3において、カラム方向に互いに隣接する2個の画素PXでは、半導体基板SB1に拡散層DF1が形成されることでフォトダイオードPD1、PD1´が構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 4中，在沿列方向相互邻接的 3个像素 PX中，通过在半导体基板 SB2上形成扩散层 DF2而构成光电二极管 PD2、PD2′、PD2″。
図4において、カラム方向に互いに隣接する3個の画素PXでは、半導体基板SB2に拡散層DF2が形成されることでフォトダイオードPD2、PD2´、PD2´´が構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号；
画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。 - 中国語 特許翻訳例文集
这出现在当短时间中缺陷增长在光电二极管 51-1中出现、并且超过正常传送到 FD 53的电荷量的电荷量传送到 FD 53时。
これは、フォトダイオード51−1において短時間で成長する欠陥が生じて、本来FD53に転送される電荷量を超えた電荷量がFD53に転送されることで発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集
该摄像元件102通过构成像素的光电二极管来接收通过镜头 1010而会聚的光并进行光电转换，从而将光量作为电荷量输出给模拟处理部 103。
この撮像素子102は、レンズ1010により集光された光を、画素を構成するフォトダイオードで受光して光電変換することで、光の量を電荷量としてアナログ処理部103へ出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。
次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 18中，示出了在完全转移时段 T4和电子快门时段 T1中，光电二极管 (PD)21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。
図18に、完全転送期間T4および電子シャッタ期間T1におけるフォトダイオード（PD）21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 19，示出了在中间转移时段 T2、T3中，光电二极管 (PD)21和 FD区 26的电势关系，以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。
図19に、中間転送期間T2，T3におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
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