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「光电转换」を含む例文一覧
該当件数 : 219件
利用该图，说明 2×2像素的情形。 在各个像素，除了形成有光电转换部 401以外，还形成有由八个传输段构成的 CCD存储器 402。
この図では、2×2画素の場合が示されており、各画素には、光電変換部401の他に、8つの転送段からなるCCDメモリ402が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
就 CCD存储器402而言，只要采用将在光电转换部 401发生的信号电荷、向图中所示的箭头的方向依次传输的结构，该 CCD存储器 402就能够暂时存储 8个信号电荷。
CCDメモリ402において、光電変換部401で発生した信号電荷を、図中に示された矢印の方向に順次転送する構成とすれば、このCCDメモリ402は、8つの信号電荷を一時的に記憶することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
将在光电转换部 601得到的信号电荷，在 CCD存储器中向下侧传输，通过垂直 CCD603和水平 CCD604，用输出部 605转换为电信号后读出。
光電変換部601で得られた信号電荷は、CCDメモリ602中を下側に転送され、垂直CCD603、水平CCD604を介し、出力部605で電気信号に変換されて読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集
各个光电转换部得到的图像信号将在图像信号记录元件暂时存储后，由垂直 CCD读出，再传输至水平 CCD并输出。
各光電変換部が得た画像信号は、画像信号記録要素に一旦記憶された後に、垂直CCDで読み出され、更に水平CCDまで転送されて出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
首先，将在规定的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷，通过输入门 21向 CCD存储器 30中的输入传输段 31传输。
まず、所定の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号電荷を、入力ゲート21を介してメモリCCD30中の入力転送段31に転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在将该信号电荷在 CCD存储器 30内一段传输后，将在下一次的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷重新向输入传输段 31传输。
この信号電荷をメモリCCD30内で1段転送した後に、次の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号電荷を、新たに入力転送段31に転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 1的例子中，CCD存储器 30中的元件的个数为 38个，所以在 CCD存储器 30中能够积蓄通过 38次份的摄像动作能够将用光电转换部 20得到的信号电荷。
図1の例では、メモリCCD30における素子の数は38個であるため、38回分の撮像動作により光電変換部20で得られた信号電荷をメモリCCD30中に蓄積することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，各个像素均设置有 CCD存储器 30，在 CCD存储器 30中积蓄了的信号电荷，即为用同一的光电转换部 20在不同的摄像定时得到的信号电荷。
なお、メモリCCD30は各画素毎に設けられおり、メモリCCD30に蓄積された信号電荷は、同一の光電変換部20から異なる撮像タイミングで得られたものとなる。 - 中国語 特許翻訳例文集
实行该覆盖模式的动作的情况下，在将来自光电转换部 20的信号电荷向 CCD存储器 30中的输入传输段 31注入时，输入传输段 31处于复位的状态。
この上書きモードの動作を行う場合、光電変換部20からの信号電荷がCCDメモリ30中の入力転送段31に注入される際には、入力転送段31はリセットされている状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在该状态下，将在下一次的摄像定时用光电转换部 20重新得到的信号，通过输入门 21向输入传输段 31注入。
この状態で、次の撮像タイミングで光電変換部20で新たに得られた信号電荷を、入力ゲート21を介して入力転送段31に注入する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在时段 S3的读出中，在从时段 S2开始的曝光时段期间通过光电转换产生的电荷Qi1被加入，并且电荷 (Qi1+Q0)被保持在光电二极管 21中。
期間S3の読み出しでは、期間S2からの露光期間中に光電変換によって発生した電荷Qi1がフォトダイオード21に加わり、当該フォトダイオード21に（Qi1＋Q0）なる電荷が保持される状態になる。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，行扫描部分 12对于预定时段激活与包括要读出行的像素组 21相关联的行传送信号 以读出通过光电转换器件 PD获得的信号电荷到浮置扩散 22中。
次に、行走査部12は、光電変換素子PDの信号電荷をFD22に読み出すために、読み出し行を含む画素群21に対応する行転送信号φTGを所定期間アクティブにする。 - 中国語 特許翻訳例文集
在执行实时 AGC的时段(10)的前半段中，在 PK比较器的输出被反转时即在 PEAK输出 318达到截止电压 VBB时的时段 (10)期间，光电转换器件转换到低灵敏度模式。
期間（10）の途中から低感度モードに移行するのは、リアルタイムAGCを行っている期間（10）の前半で、PK比較器の出力が反転した場合、すなわち、PEAK出力318が飽和打ち切り電圧VBBに達した場合である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 15示出配备有包含根据本发明的实施例的光电转换器件的通过镜头二次图像对准(through the lens-secondary image registration，TTL-SIR)型自动聚焦系统的图像拾取系统的光学系统的示意图。
図15は本発明に係る光電変換装置を用いたTTL−SIR（Through The Lens−Secondary Image Registration）型オートフォーカスシステムを搭載した撮像システムの光学系概略図を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
传感器基板 10包括多个在介质基板表面形成为直线形的受光部 (光电转换部 )，由驱动受光部的移位寄存器、锁存电路及开关等驱动电路部构成。
センサ基板10は誘電体基板の表面に直線的に形成された多数の受光部（光電変換部）を含み受光部を駆動するシフトレジスタ、ラッチ回路及びスイッチなどの駆動回路部からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集
11是对传感器基板 10的受光部接受的光电转换输出进行信号处理的信号处理基板，安装有外部连接器、电子元器件、以及信号处理电路等。
11はセンサ基板10の受光部で受光した光電変換出力を信号処理する信号処理基板であり、外部コネクタや電子部品、信号処理回路などを搭載している。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过透镜体 9被聚焦的反射光被多个受光部 10r、10g、10b接受，被接受后的光被光电转换，以三个系统的模拟信号 (RGB的 Sout输出信号 )的状态依次通过 A/D转换部 13被数字转换。
レンズ体9で収束された反射光は多数の受光部10r、10g、10bで受光され、受光された光は光電変換され、3系統のアナログ信号（RGBのSout出力信号）で順次A／D変換部13でデジタル変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集
然后，将包含不满足期望的阈值范围的光电转换输出值所对应的像素位置 (地址 )的数据保存到缺陷像素再修正电路部17的再修正 ROM17a中。
そして、所望の閾値範囲に満たない光電変換出力値に対応する画素位置（アドレス）を含むデータを欠陥画素再補正回路部17の再補正ROM17aに保存する。 - 中国語 特許翻訳例文集
本发明提供一种可实现小型化以及良好电气特性的光电转换元件单元和摄像设备。
本発明は、良好な電気的特性と小型化を実現することが可能な光電変換素子ユニットおよび撮像装置を提供することを例示的な目的とする。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 3中，附图标记 104表示光电转换元件单元在数字式照相机 1中的摄像单元2的 (摄像器件保持件单元的 )背面的安装部。
なお、図3において、104は撮像ユニット2の（撮像素子保持ユニットの）背面であり、デジタルカメラ1内での光電変換素子ユニットの取り付け部である。 - 中国語 特許翻訳例文集
在该单元中，安装有光电转换元件封装 (下文中简称为“封装”)的固定板 103被安装到柔性基板 102。
光電変換素子ユニットは、光電変換素子パッケージ（以下、単に「パッケージ」と称する）を搭載した固定板103がフレキシブル基板102に実装されたユニットである。 - 中国語 特許翻訳例文集
通过将定位突起 104a和 104b插入到定位孔 103b和 103c中而使光电转换元件单元相对于摄像单元 2的背面 104在与光轴方向正交的方向上定位。
位置決め穴部103b、103cに位置決め突起部104a、104bを挿入することによって、撮像ユニット2の背面104に対する光電変換素子ユニットの光軸方向と直交する方向の位置決めがなされる。 - 中国語 特許翻訳例文集
根据该摄像元件，在形成图像时，可通过对来自构成于 1个测距用像素内的多个光电转换部的输出进行相加，来实质性地减小与图像形成用像素间的开口效率差。
この撮像素子によれば、画像形成時は1つの測距用画素内に構成された複数の光電変換部からの出力を加算することで、実質的に画像形成用画素との開口効率の差を小さくできる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3中，图像拾取装置 101是用于对光学图像进行光电转换的固态图像拾取装置，由例如 CCD(电荷耦合器件 )构成。
図3において、撮像素子101は、光学画像を光電変換するための例えばCCD（電荷結合素子）を用いて構成される固体撮像素子である。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，本实施例使用了输入 /输出连接器、光 /电转换模块、串 /并转换器等等，他们与旧 HD-SDI×1ch传输方案是公共的。
しかも、本実施形態では、従来のHD−SDIx1chの伝送方式のものと共通する入出力コネクタ、光／電気変換モジュール、シリアル／パラレル変換器などを使用している。 - 中国語 特許翻訳例文集
基板 105由吸收成像中的波长带中的光的材料例如 Si形成，并且包括通过离子注入等形成在其中的光电转换单元 104。
基板105は、撮像する波長帯域で吸収を有する材料、例えばSiであり、イオン打ち込みなどで光電変換部104を内部に形成する。 - 中国語 特許翻訳例文集
已经从外部进入像素 100的光束 108经由光入射部件 101进入光学波导，被转换为波导模式，通过光学波导传播，并且被引到光电转换单元 104。
画素100に外部から入射した光束108は、光入射部101を介して光導波路に入射し、導波モードに変換されて光導波路中を伝播して光電変換部104に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
进入光电转换单元 104的光束被转换为电子，并且，根据入射光强度的电信号被输出到信号处理电路 (未示出 )。
光電変換部104に入射した光束は、電子に変換され、入射光量に応じた電気信号を、図示しない信号処理回路に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图3A所示，从第一方向进入的光束110被转换为第一波导模式112，通过光学波导被引导，并且被引到光电转换单元 104而未受光阻挡部件 106影响。
図3（a）に示すように、第1の方向から入射した光束110は第1の導波モード112に変換され光導波路中を導波し、遮光部材106の影響を受けることなく、光電変換部104に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，如图 3B中所示，从第二方向进入的光束 120被转换为第二波导模式122，通过光学波导被引导，被光阻挡部件 106阻挡，并且未到达光电转换单元 104。
一方、図3（b）に示すように、第2の方向から入射した光束120は第2の導波モード122に変換され光導波路中を導波し、遮光部材106により遮光され、光電変換部104には達しない。 - 中国語 特許翻訳例文集
首先，离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后，从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。
まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する（図7（a））。 - 中国語 特許翻訳例文集
已经从外部进入像素 130的光束 139经由光入射部件 131进入光学波导，被转换为波导模式，通过光学波导传播，并且被引导到光电转换单元 134。
画素130に外部から入射した光束139は、光入射部131を介して光導波路に入射し、導波モードに変換されて光導波路中を伝播して光電変換部134に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
进入光电转换单元 134的光束被转换为电子，并且，根据入射光强度的电信号被输出到信号处理电路 (未示出 )。
光電変換部134に入射した光束は、電子に変換され、入射光量に応じた電気信号を、図示しない信号処理回路に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 10A所示，从第一方向进入的光束 110被转换为第一波导模式 114，通过光学波导被引导，并且被引到光电转换单元 134而未受光阻挡部件 136影响。
図10（a）に示すように、第1の方向から入射した光束110は第1の導波モード114に変換され光導波路中を導波し、遮光部材136の影響を受けることなく、光電変換部134に導かれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，如图10B所示，从第二方向进入的光束120被转换为第二波导模式124，通过光学波导被引导，被光阻挡部件 136阻挡，并且未到达光电转换单元 134。
一方、図10（b）に示すように、第2の方向から入射した光束120は第2の導波モード124に変換され光導波路中を導波し、遮光部材136により遮光され、光電変換部134には達しない。 - 中国語 特許翻訳例文集
然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。
しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
A/D转换部 13，该 A/D转换部将被输入的从受光部 10r、10g、10b输出的光电转换信号 (光电转换输出值 )的模拟信号通过 A/D转换 (模拟数字转换 )转换成数字信号； 黑修正部 14，该黑修正部对每个像素 (受光部 )的黑电平的偏差进行降低；
信号処理IC12には、受光部10r、10g、10bから出力された光電変換信号（光電変換出力値）が入力されるアナログ信号をA／D変換（アナログ・デジタル変換）してデジタル信号に変換するA／D変換部13、画素（受光部）毎の黒レベルのばらつきを低減する黒補正部14、黒レベル補正に使用する補正値があらかじめ格納された黒補正用記憶素子（黒補正ROM）14a、画素（受光部）毎の白レベルのばらつきを低減する白補正部15、白レベル補正に使用する補正値があらかじめ格納された白補正用記憶素子（白補正ROM）15aが設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集
接着，照射读取原稿G所用的光 L被读取原稿 G的待读取表面 GA反射，之后被第一镜 75反射，并且如图 3中所示从第二托架 22穿过成像透镜 24传播，并由光电转换 26成像，借此执行图像信息的读取。
そして、読取原稿Gに照射された光Lは、読取原稿Gの被読取面GAで反射された後に第1ミラー75で反射されて、図3に示すように、第2キャリッジ22から結像用レンズ24を経て光電変換素子26で結像され、画像情報の読み取りが行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外，可以仅将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等，从而不缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 即使在该配置中，也可以获得一些噪声降低效果。
また、ゲート長（チャネル長）L3だけ長くして、ゲート幅（チャネル幅）W3を感光画素110のW1と同じにし、光電変換素子D1の垂直方向の面積の削減は行わないことにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。 - 中国語 特許翻訳例文集
第四遮光像素 940的布局被设计成，通过与图 10中缩减光电转换元件 D1的面积的方法相同的方法，来增大栅极宽度 (沟道宽度 )W5和栅极长度 (沟道长度 )L5。
第4の遮光画素940においては、図10において光電変換素子D1の面積を削減したのと同様の方法で、ゲート幅（チャネル幅）W5が広くなるとともに、ゲート長（チャネル長）L5が長くなるようなレイアウトとなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 1所示，本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部，上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2，每个像素 2都包括光电转换部。
本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部（いわゆる撮像領域）3と、周辺回路部とを有して構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在预览模式中，作为通过图像传感器 1的光电转换动作得到的模拟信号的图像信号在 AFE5中转换为数字信号，由图像处理部 9进行图像处理，在显示部 23上显示。
プレビューモードでは、イメージセンサ1の光電変換動作によって得られたアナログ信号である画像信号がAFE5においてデジタル信号に変換されて、画像処理部9で画像処理が施され、表示部23に表示される。 - 中国語 特許翻訳例文集
摄像元件 31储蓄与成像在该摄像面上的被拍摄体像对应的信号电荷，将该储蓄的信号电荷进行光电转换而生成模拟信号，并将生成的模拟信号作为像素信号输出。
撮像素子31は、その撮像面に結像した被写体像に対応した信号電荷を蓄積し、その蓄積した信号電荷を光電変換してアナログ信号を生成し、生成したアナログ信号を画素信号として出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
光电转换装置100还包含控制单元(未示出 )，所述控制单元控制像素信号输出单元 110、用作第一开关的最大值检测开关 117、用作第二开关的最小值检测开关 120、以及负载单元 102。
光電変換装置100は、画素信号出力部110、第1スイッチである最大値検出用スイッチ117、第2スイッチである最小値検出用スイッチ120、および負荷部102の動作を制御する不図示の制御部をさらに備える。 - 中国語 特許翻訳例文集
优选移动机构包含初始设定机构，该初始设定机构根据由相对位置检测机构检出的相对位置，将光电转换机构移动到基准位置，所述基准位置是相对于基台预先确定的相对位置。
好ましくは、移動手段は、相対位置検出手段により検出される相対位置に基づいて、基台に対して予め定められた相対位置である基準位置に光電変換手段を移動させる初期設定手段を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集
同样地，将摄像元件 103的光电转换面上的中心位置设为失真中心 (0，0)(与中心 (0，0)一致 )，利用由以失真中心 (0，0)为基准的距离 r’和偏角θ构成的极坐标形式来表现显示部 111的画面上的任意坐标。
同様に、撮像素子103の光電変換面上の中心位置を歪中心（0,0）（中心（0，0）と一致）とし、表示部115の画面上の任意の座標を、歪中心（0,0）を基準とした距離r'と偏角θとからなる極座標形式で表せるとする。 - 中国語 特許翻訳例文集
行选择电路 130输出根据来自地址解码器 120的地址信号 ADDR从其中读取信号的读取行以及从其中清除并重置累积在光电转换元件 PD中的电荷的快门行的行地址的行选择信号 RLSEL、SLSEL。
行選択回路130は、アドレスデコーダ120からのアドレス信号ADDRに従い、信号の読み出しを行うリード行と、光電変換素子PDに蓄積された電荷をはき捨ててリセットするシャッター行の行アドレスの行選択信号RLSEL，SLSELを出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
光学系统包括用于收集对象的光学图像的透镜 21、用于调节来自透镜 21的光学图像的光量的光圈 22以及用于执行将所收集的光图像光电转换成电信号的图像摄取元件23。
光学系は、被写体の光画像を集光するレンズ21、レンズ21からの光画像の光量を調整する絞り22、および集光された光画像を光電変換して電気信号に変換する撮像素子23から構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
具体地，如图 4B所示，在时段“t10”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t11”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。
具体的には、図4（B）に示すように、期間t10で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t11で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集
而当入射光强时 (图 34B)，因为已经被光电转换的电子的量大，所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg，光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势，并且被部分转移到垂直 CCD 33。
一方、入射光が強いとき（B）は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集
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