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「光電」を含む例文一覧

該当件数 : 303



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光電変換部が得た画像信号は、画像信号記録要素に一旦記憶された後に、垂直CCDで読み出され、更に水平CCDまで転送されて出力される。

各个光电转换部得到的图像信号将在图像信号记录元件暂时存储后,由垂直 CCD读出,再传输至水平 CCD并输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、所定の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号荷を、入力ゲート21を介してメモリCCD30中の入力転送段31に転送する。

首先,将在规定的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷,通过输入门 21向 CCD存储器 30中的输入传输段 31传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

この信号荷をメモリCCD30内で1段転送した後に、次の撮像タイミング、積分時間で光電変換部20で得られた信号荷を、新たに入力転送段31に転送する。

在将该信号电荷在 CCD存储器 30内一段传输后,将在下一次的摄像定时、积分时间用光电转换部 20得到的信号电荷重新向输入传输段 31传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1の例では、メモリCCD30における素子の数は38個であるため、38回分の撮像動作により光電変換部20で得られた信号荷をメモリCCD30中に蓄積することができる。

在图 1的例子中,CCD存储器 30中的元件的个数为 38个,所以在 CCD存储器 30中能够积蓄通过 38次份的摄像动作能够将用光电转换部 20得到的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、メモリCCD30は各画素毎に設けられおり、メモリCCD30に蓄積された信号荷は、同一の光電変換部20から異なる撮像タイミングで得られたものとなる。

另外,各个像素均设置有 CCD存储器 30,在 CCD存储器 30中积蓄了的信号电荷,即为用同一的光电转换部 20在不同的摄像定时得到的信号电荷。 - 中国語 特許翻訳例文集

この上書きモードの動作を行う場合、光電変換部20からの信号荷がCCDメモリ30中の入力転送段31に注入される際には、入力転送段31はリセットされている状態である。

实行该覆盖模式的动作的情况下,在将来自光电转换部 20的信号电荷向 CCD存储器 30中的输入传输段 31注入时,输入传输段 31处于复位的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態で、次の撮像タイミングで光電変換部20で新たに得られた信号荷を、入力ゲート21を介して入力転送段31に注入する。

在该状态下,将在下一次的摄像定时用光电转换部 20重新得到的信号,通过输入门 21向输入传输段 31注入。 - 中国語 特許翻訳例文集

入射強度に比例してフォトダイオード21で発生する光電流をIpdとし、1回目の転送までの露時間をΔT、フォトダイオード21の容量をCpdとすると、QHAD1 およびQFD1は以下の式で表される。

当在光电二极管 21中与入射光强度成比例地产生的光电电流为 Ipd,到第一次转移的曝光时间为ΔT,光电二极管 21的电容为 Cpd时,QHAD1和 QFD1由下式表示: - 中国語 特許翻訳例文集

期間S3の読み出しでは、期間S2からの露期間中に光電変換によって発生した荷Qi1がフォトダイオード21に加わり、当該フォトダイオード21に(Qi1+Q0)なる荷が保持される状態になる。

在时段 S3的读出中,在从时段 S2开始的曝光时段期间通过光电转换产生的电荷Qi1被加入,并且电荷 (Qi1+Q0)被保持在光电二极管 21中。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、行走査部12は、光電変換素子PDの信号荷をFD22に読み出すために、読み出し行を含む画素群21に対応する行転送信号φTGを所定期間アクティブにする。

接着,行扫描部分 12对于预定时段激活与包括要读出行的像素组 21相关联的行传送信号 以读出通过光电转换器件 PD获得的信号电荷到浮置扩散 22中。 - 中国語 特許翻訳例文集


図4Aは本発明の実施形態による、照明モジュール32の概略側面図であり、一方図4Bは本発明の実施形態による、照明モジュール32に使用される光電子サブ組立体の平面図である。

根据本发明的一个实施方案,图 4A是照明模块 32的示意性侧视图,而图 4B是用在照明模块 32中的光电分组件的示意性俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

照明モジュール32はレーザダイオードのような1行の端部放出型光電子要素70を有し、それはシリコンウェハのような基板72上に形成される。

模块 32包括一行边缘发射光电元件 70,诸如激光二极管,它们形成在衬底 72诸如硅晶片上。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述のように、制御装置31(図1)は、光電子要素70を活性化して、画像センサ38の回転シャッタと同期して、画像形成組立体28により獲得されるそれぞれの画像フレームの間、順次放射を放出させる。

如上所述,在成像组件 28捕获每一图像帧的期间,控制器31(图 1)激活元件 70以相续地发射射线,与图像传感器 38的卷帘同步。 - 中国語 特許翻訳例文集

照明組立体100は、光電子要素110の2次元行列の形状の放射源を有し、それは基板102の上に配置され、そして放射を基板に垂直な方向に放射する。

组件 100包括二维光电元件 110矩阵形式的辐射源,所述光电元件布置在衬底 102上并以垂直于该衬底的方向发射射线。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6は、X軸に沿って配列された光電子要素の単一の列114のみを示すが、照明組立体100は実際には、多重のこの種の平行な列を有し、X−Y面に1つの格子を形成する。

虽然图 6仅示出了沿 X轴排列的元件单行 114,但组件 100实际上包括了并列的多个该类行,从而在 X-Y平面中形成了栅格。 - 中国語 特許翻訳例文集

従前の実施形態とは対照的に、光電子要素110は、放出ダイオード(LED)又は垂直キャビティ面放出レーザ(VCSEL)のような、表面放出素子を有し、それはZ方向に直接放射を放出する。

与前述实施方案不同,元件 110包括表面发射器件,诸如发光二极管 (LED)或垂直共振腔表面放射激光 (VCSEL)二极管,它们将射线直接发射至 Z方向。 - 中国語 特許翻訳例文集

典型的な動作では、制御装置31は、画像センサ38の回転シャッタと同期して、例えば図3の構成に従って、それぞれの行の全ての光電子要素を順次活性化する。

根据例如图 3中示出的方案,在典型的操作中,控制器 31与图像传感器 38的卷帘同步地轮流开动每行中的所有光电元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

図15は本発明に係る光電変換装置を用いたTTL−SIR(Through The Lens−Secondary Image Registration)型オートフォーカスシステムを搭載した撮像システムの学系概略図を示している。

图 15示出配备有包含根据本发明的实施例的光电转换器件的通过镜头二次图像对准(through the lens-secondary image registration,TTL-SIR)型自动聚焦系统的图像拾取系统的光学系统的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換素子は、常時、の受量に応じて荷を蓄積しているため、荷のシフトレジスターへの転送タイミングが、次の発色のについての荷を蓄積する開始タイミングとなる。

通常,光电变换元件根据光的受光量来积蓄电荷,所以电荷向移位寄存器的转送定时为积蓄针对下一发光色光的电荷的开始定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、LED源が点灯されない状態で、RGB各色に対応する荷が光電変換素子に蓄積され、各シフトパルスのタイミングでシフトレジスターに転送される。

即,在 LED光源未点亮的状态下,将与 RGB各色对应的电荷积蓄到光电变换元件内,并以各移动脉冲的定时转送到移位寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施形態では、黒基準読み取りにおいて、光電変換素子に蓄積された荷をLED源210の点灯とともに取得して、黒基準データとして使用する。

在本实施方式内,在黑基准读取中,在 LED光源 210点亮的同时取得光电变换元件所积蓄的电荷,并作为黑基准数据使用。 - 中国語 特許翻訳例文集

レンズ101を通して入力された被写体の学像は、撮像素子であるCCD102で光電変換されて読み出された後、不図示のAFE(Analog Front End)によってデジタル画像データに変換されて、画像処理回路103へ入力される。

通过透镜 101输入的被拍摄体的光学像,由作为摄像元件的 CCD102光电变换并读出后,通过未图示的 AFE(Analog Front End:模拟前端 )变换为数字图像数据,输入到图像处理电路 103。 - 中国語 特許翻訳例文集

センサ基板10は誘体基板の表面に直線的に形成された多数の受部(光電変換部)を含み受部を駆動するシフトレジスタ、ラッチ回路及びスイッチなどの駆動回路部からなる。

传感器基板 10包括多个在介质基板表面形成为直线形的受光部 (光电转换部 ),由驱动受光部的移位寄存器、锁存电路及开关等驱动电路部构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

11はセンサ基板10の受部で受した光電変換出力を信号処理する信号処理基板であり、外部コネクタや子部品、信号処理回路などを搭載している。

11是对传感器基板 10的受光部接受的光电转换输出进行信号处理的信号处理基板,安装有外部连接器、电子元器件、以及信号处理电路等。 - 中国語 特許翻訳例文集

レンズ体9で収束された反射は多数の受部10r、10g、10bで受され、受された光電変換され、3系統のアナログ信号(RGBのSout出力信号)で順次A/D変換部13でデジタル変換される。

通过透镜体 9被聚焦的反射光被多个受光部 10r、10g、10b接受,被接受后的光被光电转换,以三个系统的模拟信号 (RGB的 Sout输出信号 )的状态依次通过 A/D转换部 13被数字转换。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、所望の閾値範囲に満たない光電変換出力値に対応する画素位置(アドレス)を含むデータを欠陥画素再補正回路部17の再補正ROM17aに保存する。

然后,将包含不满足期望的阈值范围的光电转换输出值所对应的像素位置 (地址 )的数据保存到缺陷像素再修正电路部17的再修正 ROM17a中。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、良好な気的特性と小型化を実現することが可能な光電変換素子ユニットおよび撮像装置を提供することを例示的な目的とする。

本发明提供一种可实现小型化以及良好电气特性的光电转换元件单元和摄像设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3において、104は撮像ユニット2の(撮像素子保持ユニットの)背面であり、デジタルカメラ1内での光電変換素子ユニットの取り付け部である。

在图 3中,附图标记 104表示光电转换元件单元在数字式照相机 1中的摄像单元2的 (摄像器件保持件单元的 )背面的安装部。 - 中国語 特許翻訳例文集

位置決め穴部103b、103cに位置決め突起部104a、104bを挿入することによって、撮像ユニット2の背面104に対する光電変換素子ユニットの軸方向と直交する方向の位置決めがなされる。

通过将定位突起 104a和 104b插入到定位孔 103b和 103c中而使光电转换元件单元相对于摄像单元 2的背面 104在与光轴方向正交的方向上定位。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、光電素子パッケージ101の四辺中央で固定板103を接着することにより、パッケージ101をバランスよく固定することができ、仮固定後の変形を抑制することができる。

当固定板 103被粘合在封装 101的四个边中央时,能够以良好平衡的方式固定封装 101并且能够抑制临时固定之后的变形。 - 中国語 特許翻訳例文集

この撮像素子によれば、画像形成時は1つの測距用画素内に構成された複数の光電変換部からの出力を加算することで、実質的に画像形成用画素との開口効率の差を小さくできる。

根据该摄像元件,在形成图像时,可通过对来自构成于 1个测距用像素内的多个光电转换部的输出进行相加,来实质性地减小与图像形成用像素间的开口效率差。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、撮像素子101は、学画像を光電変換するための例えばCCD(荷結合素子)を用いて構成される固体撮像素子である。

图 3中,图像拾取装置 101是用于对光学图像进行光电转换的固态图像拾取装置,由例如 CCD(电荷耦合器件 )构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかも、本実施形態では、従来のHD−SDIx1chの伝送方式のものと共通する入出力コネクタ、気変換モジュール、シリアル/パラレル変換器などを使用している。

另外,本实施例使用了输入 /输出连接器、光 /电转换模块、串 /并转换器等等,他们与旧 HD-SDI×1ch传输方案是公共的。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板105は、撮像する波長帯域で吸収を有する材料、例えばSiであり、イオン打ち込みなどで光電変換部104を内部に形成する。

基板 105由吸收成像中的波长带中的光的材料例如 Si形成,并且包括通过离子注入等形成在其中的光电转换单元 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100に外部から入射した束108は、入射部101を介して導波路に入射し、導波モードに変換されて導波路中を伝播して光電変換部104に導かれる。

已经从外部进入像素 100的光束 108经由光入射部件 101进入光学波导,被转换为波导模式,通过光学波导传播,并且被引到光电转换单元 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換部104に入射した束は、子に変換され、入射量に応じた気信号を、図示しない信号処理回路に出力する。

进入光电转换单元 104的光束被转换为电子,并且,根据入射光强度的电信号被输出到信号处理电路 (未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3(a)に示すように、第1の方向から入射した束110は第1の導波モード112に変換され導波路中を導波し、遮部材106の影響を受けることなく、光電変換部104に導かれる。

如图3A所示,从第一方向进入的光束110被转换为第一波导模式112,通过光学波导被引导,并且被引到光电转换单元 104而未受光阻挡部件 106影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、図3(b)に示すように、第2の方向から入射した束120は第2の導波モード122に変換され導波路中を導波し、遮部材106により遮され、光電変換部104には達しない。

另一方面,如图 3B中所示,从第二方向进入的光束 120被转换为第二波导模式122,通过光学波导被引导,被光阻挡部件 106阻挡,并且未到达光电转换单元 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する(図7(a))。

首先,离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后,从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素130に外部から入射した束139は、入射部131を介して導波路に入射し、導波モードに変換されて導波路中を伝播して光電変換部134に導かれる。

已经从外部进入像素 130的光束 139经由光入射部件 131进入光学波导,被转换为波导模式,通过光学波导传播,并且被引导到光电转换单元 134。 - 中国語 特許翻訳例文集

光電変換部134に入射した束は、子に変換され、入射量に応じた気信号を、図示しない信号処理回路に出力する。

进入光电转换单元 134的光束被转换为电子,并且,根据入射光强度的电信号被输出到信号处理电路 (未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10(a)に示すように、第1の方向から入射した束110は第1の導波モード114に変換され導波路中を導波し、遮部材136の影響を受けることなく、光電変換部134に導かれる。

如图 10A所示,从第一方向进入的光束 110被转换为第一波导模式 114,通过光学波导被引导,并且被引到光电转换单元 134而未受光阻挡部件 136影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、図10(b)に示すように、第2の方向から入射した束120は第2の導波モード124に変換され導波路中を導波し、遮部材136により遮され、光電変換部134には達しない。

另一方面,如图10B所示,从第二方向进入的光束120被转换为第二波导模式124,通过光学波导被引导,被光阻挡部件 136阻挡,并且未到达光电转换单元 134。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオードPDは信号を気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの流経路の一端に接続される。

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换,其正极连接在接地电压GND上,负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅(チャネル幅)Wおよびゲート長(チャネル長)Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅(チャネル幅)Wおよびゲート長(チャネル長)Lを大きくする方向(水平方向あるいは垂直方向)の組み合わせが逆になってもよい。

然而,只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L,就可以根据驱动晶体管 Td1的布局,颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号処理IC12には、受部10r、10g、10bから出力された光電変換信号(光電変換出力値)が入力されるアナログ信号をA/D変換(アナログ・デジタル変換)してデジタル信号に変換するA/D変換部13、画素(受部)毎の黒レベルのばらつきを低減する黒補正部14、黒レベル補正に使用する補正値があらかじめ格納された黒補正用記憶素子(黒補正ROM)14a、画素(受部)毎の白レベルのばらつきを低減する白補正部15、白レベル補正に使用する補正値があらかじめ格納された白補正用記憶素子(白補正ROM)15aが設けられている。

A/D转换部 13,该 A/D转换部将被输入的从受光部 10r、10g、10b输出的光电转换信号 (光电转换输出值 )的模拟信号通过 A/D转换 (模拟数字转换 )转换成数字信号; 黑修正部 14,该黑修正部对每个像素 (受光部 )的黑电平的偏差进行降低; - 中国語 特許翻訳例文集

そして、読取原稿Gに照射されたLは、読取原稿Gの被読取面GAで反射された後に第1ミラー75で反射されて、図3に示すように、第2キャリッジ22から結像用レンズ24を経て光電変換素子26で結像され、画像情報の読み取りが行われる。

接着,照射读取原稿G所用的光 L被读取原稿 G的待读取表面 GA反射,之后被第一镜 75反射,并且如图 3中所示从第二托架 22穿过成像透镜 24传播,并由光电转换 26成像,借此执行图像信息的读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ゲート長(チャネル長)L3だけ長くして、ゲート幅(チャネル幅)W3を感画素110のW1と同じにし、光電変換素子D1の垂直方向の面積の削減は行わないことにしてもよく、それでもノイズ低減効果はある。

另外,可以仅将栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大,而将栅极宽度 (沟道宽度 )W3设置为与感光像素 110的 W1相等,从而不缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积。 即使在该配置中,也可以获得一些噪声降低效果。 - 中国語 特許翻訳例文集

第4の遮画素940においては、図10において光電変換素子D1の面積を削減したのと同様の方法で、ゲート幅(チャネル幅)W5が広くなるとともに、ゲート長(チャネル長)L5が長くなるようなレイアウトとなっている。

第四遮光像素 940的布局被设计成,通过与图 10中缩减光电转换元件 D1的面积的方法相同的方法,来增大栅极宽度 (沟道宽度 )W5和栅极长度 (沟道长度 )L5。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部(いわゆる撮像領域)3と、周辺回路部とを有して構成される。

如图 1所示,本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部,上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2,每个像素 2都包括光电转换部。 - 中国語 特許翻訳例文集

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