| 意味 | 例文 |
「剖面」を含む例文一覧
該当件数 : 55件
横剖面
横断面． - 白水社 中国語辞典
纵剖面
縦断面． - 白水社 中国語辞典
图 10是图 8的 D-D剖面图。
【図10】図8のD−D線断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
剖面图
断面図，地層の垂直面の柱状図． - 白水社 中国語辞典
图 6是图 5的 A-A线剖面图。
【図6】図5のA−A線断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 7是图 5的 B-B线剖面图。
【図7】図5のB−B線断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 9是图 8的 C-C线剖面图。
【図9】図8のC−C線断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 13是图 12的 E-E线剖面图。
【図13】図12のE−E線断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 14是图 12的 F-F线剖面图。
【図14】図12のF−F線断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 12是沿图 11的箭头 A-A线的剖面图。
【図12】図11の矢印A−A線に沿った断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 13是沿图 11的箭头 B-B线的剖面图。
【図13】図11の矢印B−B線に沿った断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 15是暗部色域的剖面图。
【図15】暗部色域の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 16是暗部色域的剖面图。
【図16】暗部色域の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是打印机主体的侧剖面图。
【図3】プリンター本体の側断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 17是表示沿着图 16所示的线 A-B的结构的剖面图；
【図17】図16のA−Bに沿った断面構成図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 5是图 4的透镜单元的底面部的纵剖面图。
【図5】図4のレンズユニットの底面部の縦断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 12是第 5实施方式的照相机模块中的水平剖面图。
【図12】第5の実施形態のカメラモジュールにおける水平断面図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是简易地表示取景器盒内的剖面图。
【図3】ファインダーボックス内を簡易的に示す断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 12是表示根据第一实施例的单位像素的结构的剖面图；
【図12】第1の実施形態に関わる画素の断面構造図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2是用于说明数码复合机的内部结构的剖面图。
【図2】複合機の内部構造を説明するための断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 16表示了暗部色域 J的与 yz平面平行的剖面 (垂直于 x轴的剖面 )、即暗部色域 J在 y方向及 z方向上的长度都为最大的剖面。
図16は、暗部色域Jのyz平面と平行な断面（x軸に対して垂直な断面）であって、暗部色域Jのy方向およびz方向における長さがいずれも最大となる断面を例示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2为显示第 1实施方式所涉及的固体摄像装置 1A的剖面的图；
【図2】第1実施形態に係る固体撮像装置1Aの断面を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2为显示第 1实施方式所涉及的固体摄像装置 1A的剖面的图。
図2は、第1実施形態に係る固体撮像装置1Aの断面を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
电子装置 101E_1的结构的示例示出为图 34B中的打开的平面图和打开的剖面图。
たとえば、電子機器101E_1の構造例（平面透視および断面透視）が図19A（2）に示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
存储卡 201E_1的结构示例示出为图 34A中的打开的平面图和打开的剖面图。
メモリカード201E_1の構造例（平面透視および断面透視）が図19A（1）に示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2是本发明的一个实施方式的数码相机的剖面示意图。
【図2】本発明の実施の形態の1つにおけるデジタルスチルカメラの模式的断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2是本发明的一个实施方式的数码相机的剖面示意图。
図2は、本発明の実施の形態の1つにおけるデジタルスチルカメラの模式的断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
相同约束应用于 Y-耦合器 12，其可以具有除圆形之外的其他剖面。
同じ制約は、円形以外の断面形状を有していてもよいY結合器12に当てはまる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3通过剖面图简单地示例包含 EVF 14等的取景器框 FB内。
図3は、EVF14等を含むファインダーボックスFB内を断面図により簡易的に例示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3通过剖面图简易地例示包含 EVF 14等的取景器盒 FB内。
図3は、EVF14等を含むファインダーボックスFB内を断面図により簡易的に例示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6是安装在图像读取装置上的光学系统部分的剖面图。
【図6】画像読取装置に搭載する光学系部分の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图6是安装在图像读取装置上的光学系统部分的剖面图。
図6は画像読取装置に搭載する光学系部分の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 20是根据第二实施例的用于规定距离的方法的说明中所参照的像素结构剖面图；
【図20】第2の実施形態に関わる距離の規定法を示す画素構造断面である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 21是根据第三实施例的用于规定距离的方法的说明中所参照的像素结构剖面图；
【図21】第3の実施形態に関わる距離の規定法を示す画素構造断面である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 26是根据第四实施例的用于规定距离的方法的说明中所参照的像素结构剖面图；
【図26】第4の実施形態に関わる距離の規定法を示す画素構造断面である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 31是根据第五实施例的用于规定距离的方法的说明中所参照的像素结构剖面图；
【図31】第5の実施形態に関わる距離の規定法を示す画素構造断面である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 11是表示将板 13与挠性基板 11翻转后的其粘合状态的图，图 12是沿其箭头A-A线的剖面图，图 13同样是沿箭头 B-B线的剖面图。
図11はプレート13とフレキシブル基板11を裏返して接着の状態を示したもので、図12はその矢印A−A線に沿った断面図、図13は同じく矢印B−B線に沿った断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3为图 2的 III-III线剖面图，为说明叠层基片和通孔结构的第一例。
【図3】図2におけるIII−III断面図であり、多層基板および貫通孔の構造の第1の例を説明した図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3为图 2的 III-III线剖面图，说明了叠层基片 70和通孔 72结构的第一例。
図3は、図2におけるIII−III断面図であり、多層基板70および貫通孔72の構造の第1の例を説明した図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4a： 根据本发明的包括两个腔的用于 OMUX的示例性滤波器的示意性剖面图；
【図4a】本発明による、2つの空洞を備えるOMUX用の例示的フィルターの概略断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2是示出第 1实施方式的照相机模块中的 A-A′线处的剖面结构的说明图。
【図2】第1の実施形態のカメラモジュールにおいて、A−A′線での断面構造を示す説明図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是示出第 1实施方式的照相机模块中的 B-B′线处的剖面结构的说明图。
【図3】第1の実施形態のカメラモジュールにおいて、B−B′線での断面構造を示す説明図。 - 中国語 特許翻訳例文集
在这个示例中，初始条件 5mV的改变会导致完全不同的噪声剖面。
すなわち、この例において、初期条件の5mVの変化であっても、全く異なるノイズプロファイルが生成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是示出了图 1所示 MFP的图像扫描单元的内部构造 (沿线 A-A的横截面 )的剖面图。
【図3】図1に示したMFPの画像読取部の内部構成（図1のA−A断面）を示す断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3是本发明第 1实施方式的颜色传感器具有的颜色传感器像素的剖面图。
【図3】本発明の第1の実施形態におけるカラーセンサが備えるカラーセンサ画素の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4是图像传感器的一部分的剖面图，所述图像传感器包括形成于该图像传感器的 p型衬底上的 n阱中的、图 2的 PMOS像素电路；
【図4】当該イメージセンサのp型基板上のnウエル内に形成された図2のpMOS画素回路を有するイメージセンサの一部の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 6是表示本根据发明实施例的用于便携式终端机滑盖开合装置的旋转板的剖面结构图。
【図6】本発明の例示的な実施形態に係る携帯端末機用スライド式カバー開閉装置に適用される回転板を示す断面構成図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4是示出第 1实施方式的照相机模块中的 B-B′线处的剖面结构的形状记忆致动器的固定部的说明图。
【図4】第1の実施形態のカメラモジュールにおいて、B−B′線での断面構造の形状記憶アクチュエータの固定部を示す説明図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 18表示了和暗部色域 J的朝向灰度轴方向的中心轴垂直的面上的暗部色域 J的剖面、与各逆光修正曲线的对应关系。
図18は、暗部色域Jのグレー軸方向を向く中心軸に対して垂直な面における暗部色域Jの断面と、各逆光補正曲線との対応関係を例示している。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，如图 4B中所示的电压X(n)(也称为 Xn)的初始条件在被设置为 50mV时将产生的噪声剖面与在电压 X(n)的初始条件被设置为 55mV时相比较完全不同。
例えば、図4Bに示す電圧X（n）（Xnとも記す）の初期状態が50mVに設定される場合、電圧X（n）の初期状態が55mVに設定される場合と比較して、全く異なるノイズプロファイルを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集
| 意味 | 例文 |
